北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晶亦精微”）成功通過(guò)科創(chuàng)板首次公開(kāi)募股（IPO）審核，這標(biāo)志著這家專(zhuān)注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司將迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。晶亦精微主要從事化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售以及相關(guān)的技術(shù)服務(wù)，為集成電路制造商提供關(guān)鍵設(shè)備支持。
2024-03-06 14:37:49
249 一、超聲波清洗機(jī)的4大清洗特點(diǎn)
1. 高效性：超聲波清洗機(jī)利用高頻振動(dòng)產(chǎn)生的微小氣泡在物體表面進(jìn)行沖擊和剝離，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)物體表面的高效清洗。相比傳統(tǒng)的手工清洗和機(jī)械清洗，超聲波清洗機(jī)具有更高的清洗
2024-03-04 09:45:59128 
SMT貼片加工焊接后的清洗方法有多種，以下是一些常見(jiàn)的清洗方法： 1.化學(xué)清洗：使用有機(jī)溶劑如酒精、異丙醇或特定清洗劑，通過(guò)浸泡或手動(dòng)清洗電路板。用于去除松香助焊劑殘留物等。溶劑清洗需要在通風(fēng)
2024-02-28 14:16:14124 二氧化碳雪清洗作為一種新型的清洗方法，在芯片制造領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。通過(guò)將高壓液態(tài)二氧化碳釋放，得到微米級(jí)固相二氧化碳顆粒，并與高壓氣體混合形成動(dòng)能，可以有效地沖擊晶粒表面，去除微米級(jí)和亞微米
2024-02-27 12:14:4693 
PCB（Printed Circuit Board，印刷電路板）焊接后需要進(jìn)行清洗，以去除殘留的焊膏、通孔內(nèi)的雜質(zhì)、金屬離子等，確保電路板表面干凈，并提高電路板的可靠性和性能。以下是一般的 PCB
2024-02-27 11:04:26141 
上海證券交易所（上交所）近日宣布，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晶亦精微”）的首次公開(kāi)募股（IPO）已經(jīng)成功過(guò)會(huì)，未來(lái)該公司將在科創(chuàng)板上市。晶亦精微是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司，主要從事化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和技術(shù)服務(wù)。
2024-02-20 09:45:34296 北京晶亦精微科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“晶亦精微”）科創(chuàng)板IPO順利過(guò)會(huì)，即將在上海證券交易所科創(chuàng)板上市。該公司專(zhuān)注于半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及技術(shù)服務(wù)，特別是化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件
2024-02-20 09:34:15171 CMP設(shè)備供應(yīng)商北京晶亦精微傳來(lái)科創(chuàng)板IPO的新動(dòng)態(tài)，引發(fā)行業(yè)關(guān)注。晶亦精微作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，專(zhuān)注于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，并為客戶(hù)提供相關(guān)技術(shù)服務(wù)。此次IPO
2024-01-31 14:34:33310 材料 去除的影響。重點(diǎn)綜述了傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)中的游離磨料和固結(jié)磨料工藝以及化學(xué)機(jī)械拋光的輔助增效工藝。同時(shí)從工藝條件、加工效果、加工特點(diǎn)及去除機(jī)理 4 個(gè)方面歸納了不同形式的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，最后對(duì)碳化硅的化學(xué) 機(jī)械拋光技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向進(jìn)行了展望，并對(duì)今后研究的側(cè)重點(diǎn)提出了相關(guān)思路。
2024-01-24 09:16:36431 
最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合，這種形式的拋光稱(chēng)為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是，將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個(gè)墊面的高度，在然后沿著相反的方向旋轉(zhuǎn)。墊料通常是由一種
2024-01-12 09:54:06359 
使用至光伏/半導(dǎo)體制造工藝的不同環(huán)節(jié)中，這可能會(huì)帶來(lái)更多新材料成分的納米顆粒潛在污染，亟需對(duì)硅片表面納米顆粒進(jìn)行尺寸和數(shù)量的表征。
2024-01-11 11:29:04348 
傳統(tǒng)的手工拋光打磨存在勞動(dòng)強(qiáng)度高、拋光效果不穩(wěn)定、難以處理復(fù)雜形狀、安全風(fēng)險(xiǎn)和無(wú)法滿(mǎn)足高質(zhì)量要求等痛點(diǎn)。因此，應(yīng)用工業(yè)機(jī)器人進(jìn)行自動(dòng)化表面精加工的技術(shù)隨之崛起。
2024-01-11 11:03:37196 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：OPC-2300液體顆粒計(jì)數(shù)器是普洛帝采用顆粒計(jì)數(shù)器提供者英國(guó)普洛帝分析測(cè)試集團(tuán)公司的核心技術(shù)，嚴(yán)格按照英國(guó)普洛帝第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)技術(shù)，研制的一款在線(xiàn)液體顆粒計(jì)數(shù)器檢測(cè)設(shè)備，集結(jié)
2024-01-08 11:53:40
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：OPC-2300液體顆粒計(jì)數(shù)器是普洛帝采用顆粒計(jì)數(shù)器提供者英國(guó)普洛帝分析測(cè)試集團(tuán)公司的核心技術(shù)，嚴(yán)格按照英國(guó)普洛帝第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)技術(shù)，研制的一款在線(xiàn)液體顆粒計(jì)數(shù)器檢測(cè)設(shè)備，集結(jié)
2024-01-08 11:19:28
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：OPC-2300液體顆粒計(jì)數(shù)器是普洛帝采用顆粒計(jì)數(shù)器提供者英國(guó)普洛帝分析測(cè)試集團(tuán)公司的核心技術(shù)，嚴(yán)格按照英國(guó)普洛帝第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)技術(shù)，研制的一款在線(xiàn)液體顆粒計(jì)數(shù)器檢測(cè)設(shè)備，集結(jié)
2024-01-08 11:16:06
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：OPC-2300液體顆粒計(jì)數(shù)器是普洛帝采用顆粒計(jì)數(shù)器提供者英國(guó)普洛帝分析測(cè)試集團(tuán)公司的核心技術(shù)，嚴(yán)格按照英國(guó)普洛帝第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)技術(shù)，研制的一款在線(xiàn)液體顆粒計(jì)數(shù)器檢測(cè)設(shè)備，集結(jié)
2024-01-08 11:13:11
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：OPC-2300液體顆粒計(jì)數(shù)器是普洛帝采用顆粒計(jì)數(shù)器提供者英國(guó)普洛帝分析測(cè)試集團(tuán)公司的核心技術(shù)，嚴(yán)格按照英國(guó)普洛帝第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)技術(shù)，研制的一款在線(xiàn)液體顆粒計(jì)數(shù)器檢測(cè)
2024-01-08 11:02:19
CMP技術(shù)指的是在化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用下，使得待拋光原料表面達(dá)到指定平面度的過(guò)程。化學(xué)藥水與原料接觸后，生成易于拋光的軟化層，隨后利用拋光墊以及研磨顆粒進(jìn)行物理機(jī)械拋光，以清除軟化層。
2023-12-28 15:13:06409 12月27日消息，根據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士近日研發(fā)出了可重復(fù)使用的 CMP拋光墊技術(shù)，不僅可以降低成本，而且可以增強(qiáng) ESG（環(huán)境、社會(huì)、治理）管理。
2023-12-27 13:48:50231 
需要指出的是，CMP 技術(shù)通過(guò)化學(xué)與機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中，拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負(fù)責(zé)物理機(jī)械拋光，清除這一軟化層。
2023-12-27 10:58:31335 
制造過(guò)程中，清洗是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)。這是因?yàn)榘雽?dǎo)體材料表面往往存在雜質(zhì)和污染物，這些雜質(zhì)和污染物會(huì)嚴(yán)重影響半導(dǎo)體的性能和可靠性。半導(dǎo)體清洗機(jī)通過(guò)采用先進(jìn)的清洗技術(shù)，如超聲波清洗、化學(xué)清洗等，能夠有效地去除半導(dǎo)體表
2023-12-26 13:51:35255 
為了保證PCBA的高可靠性、電器性能穩(wěn)定性和使用的壽命，提升PCBA組件質(zhì)量及成品率，避免污染物污染及因此產(chǎn)生的電遷移，電化學(xué)腐蝕而造成電路失效。需要對(duì)PCBA焊接工藝后的錫膏殘留、助焊劑殘留、油污
2023-12-24 11:22:08
在北京亦莊項(xiàng)目建設(shè)方面，華海清科據(jù)公司的子公司華海清科北京在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)實(shí)行“華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，用于公司開(kāi)展化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備、減薄設(shè)備、濕法設(shè)備等高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、建設(shè)周期預(yù)計(jì)26個(gè)月。
2023-12-07 16:30:58462 半導(dǎo)體制造業(yè)依賴(lài)復(fù)雜而精確的工藝來(lái)制造我們需要的電子元件。其中一個(gè)過(guò)程是晶圓清洗，這個(gè)是去除硅晶圓表面不需要的顆粒或殘留物的過(guò)程，否則可能會(huì)損害產(chǎn)品質(zhì)量或可靠性。RCA清洗技術(shù)能有效去除硅晶圓表面的有機(jī)和無(wú)機(jī)污染物，是一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓清洗工藝。
2023-12-07 13:19:14235 隨著技術(shù)的不斷變化和器件尺寸的不斷縮小，清潔過(guò)程變得越來(lái)越復(fù)雜。每次清洗不僅要對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，所使用的機(jī)器和設(shè)備也必須進(jìn)行清洗。晶圓污染物的范圍包括直徑范圍為0.1至20微米的顆粒、有機(jī)和無(wú)機(jī)污染物以及雜質(zhì)。
2023-12-06 17:19:58562 
，從而達(dá)到潔凈的工藝過(guò)程。它是基于激光與物質(zhì)相互作用效應(yīng)的一項(xiàng)新技術(shù)，與傳統(tǒng)的機(jī)械清洗法、化學(xué)腐蝕清洗、液體固體強(qiáng)力沖擊清洗、高頻超聲清洗等傳統(tǒng)清洗方法相比，有明顯的
2023-12-06 10:58:54
CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學(xué)機(jī)械拋光”，是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點(diǎn)
2023-12-05 09:35:19416 
化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢(shì)介紹。
2023-11-29 10:05:09348 在芯片制造中，單純的物理研磨是不行的。因?yàn)閱渭兊奈锢硌心?huì)引入顯著的機(jī)械損傷，如劃痕和位錯(cuò)，且無(wú)法達(dá)到所需的平整度，因此不適用于芯片制造。
2023-11-29 10:03:32325 
1. 制備工藝：制備過(guò)程中的反應(yīng)條件、溶劑選擇等因素會(huì)對(duì)顆粒尺寸分布均勻程度產(chǎn)生影響。例如，在溶劑沉淀法制備納米材料時(shí)，溶液濃度、pH值等因素都會(huì)影響顆粒尺寸分布。2. 原料性質(zhì)：原料的物理化學(xué)性質(zhì)也
2023-11-28 13:38:39
助焊劑是焊接過(guò)程中不可缺少的一種物質(zhì)，它的作用是去除焊接部位的氧化物，增加焊點(diǎn)的潤(rùn)濕性，提高焊接質(zhì)量和可靠性。助焊劑分為有機(jī)助焊劑和無(wú)機(jī)助焊劑，根據(jù)是否需要清洗，又可以分為可清洗助焊劑和免洗助焊劑。
2023-11-22 13:05:32383 
據(jù)鼎龍控股集團(tuán)消息，鼎龍（仙桃）半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)占地218畝，建筑面積11.5萬(wàn)平方米，項(xiàng)目總投資約10億元人民幣。經(jīng)過(guò)15個(gè)月的建設(shè)，同時(shí)進(jìn)入千噸級(jí)半導(dǎo)體oled面板光刻膠（pspi）、萬(wàn)噸級(jí)cmp拋光液（slurry）和萬(wàn)噸級(jí)cmp拋光液用納米粒子研磨法等
2023-11-17 10:56:40694 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是目前最主流的晶圓拋光技術(shù)，拋光過(guò)程中，晶圓廠會(huì)根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求，選擇符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指標(biāo)要求的拋光液，來(lái)提高拋光效率和產(chǎn)品良率。
2023-11-16 16:16:35212 背景 András Deák博士的研究重點(diǎn)是了解分子如何相互作用并附著在納米顆粒表面背后的物理學(xué)。許多應(yīng)用依賴(lài)于以預(yù)定方式附著在納米顆粒表面的引入分子。然而，如果納米顆粒已經(jīng)有分子附著在其表面，則不
2023-11-15 10:33:52174 
近年來(lái)，銅(Cu)作為互連材料越來(lái)越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪?、不?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線(xiàn)。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是需要許多對(duì)環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強(qiáng)氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
如何使用AT32F415比較器(CMP)？
2023-11-01 17:17:16316 
高效硅太陽(yáng)能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質(zhì)量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結(jié)束時(shí)，有必要去除晶圓表面的潛在污染物，例如有機(jī)物、金屬和顆粒。當(dāng)前的工業(yè)晶圓加工過(guò)程包括兩個(gè)清潔步驟。第一個(gè)
2023-11-01 17:05:58135 
8gu盤(pán)閃存顆粒壞了 可以自己換16g或者更大的閃存顆粒嗎
2023-11-01 06:47:37
、環(huán)保、節(jié)能等特點(diǎn)，已成功應(yīng)用于輪胎模具清洗、飛機(jī)機(jī)體除漆、文物修復(fù)等領(lǐng)域。傳統(tǒng)清洗技術(shù)包括機(jī)械摩擦清洗（噴砂清洗、高壓水槍清洗等）、化學(xué)腐蝕清洗、超聲波清洗、干
2023-10-29 08:07:49883 
隨著納米結(jié)構(gòu)表面和界面在廣泛的科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用中變得越來(lái)越重要，確定可擴(kuò)展和廉價(jià)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)這些變成了一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。特別是有序、非密集、表面支撐的金屬納米顆粒的大面積陣列的制造，由于其在不同領(lǐng)域
2023-10-26 15:33:58194 
AT32F421 CMP 使用指南描述了怎么使用AT32F421xx的比較器(CMP)。AT32F421系列內(nèi)置一個(gè)超低功耗比較器CMP，它可用作獨(dú)立器件（I/O上提供了全部接口），也可以與定時(shí)器結(jié)合使用。
2023-10-24 08:07:14
這篇應(yīng)用筆記描述了怎么使用AT32F415xx的比較器(CMP)。AT32F415系列內(nèi)置兩個(gè)超低功耗比較器CMP1和CMP2，可以用于多種功能，包括：外部模擬信號(hào)的監(jiān)測(cè)控制及從低功耗模式喚醒，與內(nèi)置定時(shí)器結(jié)合使用，進(jìn)行脈沖寬度測(cè)量和PWM信號(hào)控制等。
2023-10-24 07:38:06
重要的角色。 在半導(dǎo)體清洗工藝中，PFA管的主要作用是用于傳輸、儲(chǔ)存和排放各種化學(xué)液體。這些化學(xué)液體可能是用于清洗半導(dǎo)體的試劑，也可能是用于腐蝕去除半導(dǎo)體表面的各種薄膜和污垢。在這個(gè)過(guò)程中，PFA管需要承受各種化學(xué)物質(zhì)的侵
2023-10-16 15:34:34258 的可靠性和品質(zhì)。清洗方法可以使用機(jī)械清洗、化學(xué)清洗或超聲波清洗等技術(shù)，具體選擇取決于PCB的特點(diǎn)和要求。清洗可以確保電路板上的元件和導(dǎo)線(xiàn)之間沒(méi)有任何污染物，以提高電路的可靠性和性能。 捷多邦小編還整理了一些清洗PCB板子的優(yōu)點(diǎn)： 去除污垢
2023-10-16 10:22:52215 兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤(rùn)滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向，其研究
2023-09-22 09:13:04
兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤(rùn)滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向，其研究
2023-09-20 09:24:04
0 兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤(rùn)滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向，其研究
2023-09-19 10:07:41278 
性能和速度上同時(shí)滿(mǎn)足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術(shù)是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù) , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術(shù)對(duì)于
2023-09-19 07:23:03
激光除銹機(jī) 激光清洗銹蝕的原理 激光清洗銹蝕的原理是利用高頻高能激光脈沖照射工件表面，使表面的銹層或涂層發(fā)生瞬間蒸發(fā)或剝離，從而高速有效地清除金屬表面附著物或表面涂層。
2023-09-15 09:56:53
得益于半導(dǎo)體業(yè)界的繁榮，世界cmp拋光液市場(chǎng)正在經(jīng)歷明顯的增長(zhǎng)。cmp拋光液是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵成分，在實(shí)現(xiàn)集成電路制造的精度和效率方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體的格局不斷重新形成，對(duì)cmp拋光液的需求從來(lái)沒(méi)有這么高過(guò)。
2023-09-14 10:28:36664 非常廣泛，包括納米物理、納米化學(xué)、納米材料學(xué)、納米生物學(xué)、納米電子學(xué)、納米機(jī)械加工學(xué)等、納米力學(xué)和納米測(cè)量學(xué)等等，很多前沿的研究都在持續(xù)進(jìn)行中，首先我們要知道納
2023-09-09 08:28:01562 
在從MA35D1把SPP筆從MA35D1中去除后,NAND沒(méi)有啟動(dòng)。
2023-09-06 07:15:22
光學(xué)加工是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程。難以通過(guò)單一加工方法加工滿(mǎn)足各種加工質(zhì)量指標(biāo)要求的光學(xué)元件。平面拋光機(jī)的基礎(chǔ)是加工材料的微去除。實(shí)現(xiàn)這種微去除的方法包括研磨加工、微粉顆粒拋光和納米材料拋光。根據(jù)
2023-08-28 08:08:59355 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)-概況 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備用于去除晶圓表面的顆粒、污染物和其他雜質(zhì)。清潔后的表面有助于提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量和性能。市場(chǎng)上有各種類(lèi)型的半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備。一些流行的設(shè)備類(lèi)型包括
2023-08-22 15:08:001225 
早些時(shí)期半導(dǎo)體常使用濕式清洗除塵方法，濕式清洗除塵通常使用超純水或者化學(xué)藥水來(lái)清洗除塵，優(yōu)點(diǎn)就是價(jià)格低廉，缺點(diǎn)是有時(shí)化學(xué)藥水或者超純水會(huì)把產(chǎn)品損害。隨著科技技術(shù)的進(jìn)步，人們對(duì)半導(dǎo)體的清洗除塵要求越來(lái)越高，不僅要保證產(chǎn)品的良率達(dá)到一定的標(biāo)準(zhǔn)，還需要清洗除塵的程度達(dá)到不錯(cuò)的水平
2023-08-22 10:54:45681 缸體超聲波清洗棒采用超聲波清洗，具有清洗速度快、清洗效果好、對(duì)工件無(wú)損傷、降低勞動(dòng)強(qiáng)度、節(jié)約成本等優(yōu)點(diǎn)。缸體超聲波清洗棒對(duì)附著在汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)缸體表面的機(jī)油、灰塵和顆粒雜質(zhì)通過(guò)超聲波處理從金屬表面分離
2023-08-18 11:48:07445 
電路板沾污物的危害：顆粒性污染物——電短路。極性沾污物—介質(zhì)擊穿、漏電、元件/電路腐蝕。非極性沾污—影響外觀、白色粉點(diǎn)、粘附灰塵、電接觸不良。線(xiàn)路板的清洗方式： 普通清洗主要使用單個(gè)清洗槽，需要清洗的PCB放在清洗劑液體里浸泡清洗。
2023-08-17 15:29:371344 
以粗糙度指標(biāo)為例，電鍍工藝后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差，所以鍵合前需要對(duì)其表面進(jìn)行平坦化處理，如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，使得鍵合時(shí)Cu 表面能夠充分接觸，實(shí)現(xiàn)原子擴(kuò)散，由此可見(jiàn)把控Bump
2023-08-17 09:44:330 2023-08-15 15:45:320 全自動(dòng)拆包機(jī)械手 常見(jiàn)的PP、PE、PVC塑料顆粒通常是由人工進(jìn)行破包上料，為題升自動(dòng)化水平減少人工成本，很多企業(yè)開(kāi)始用拆包機(jī)械手進(jìn)行這一作業(yè)，拆包機(jī)械手是由機(jī)器人拆垛系統(tǒng)、包裝袋輸送系統(tǒng)
2023-08-03 10:48:21364 
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是晶圓制造的關(guān)鍵步驟，其作用在于減少晶圓表面的不平整，而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，價(jià)值量較高，分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量，其品質(zhì)直接影響著拋光效果，因而
2023-08-02 10:59:473411 
20世紀(jì)60年代以前，半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407523 
統(tǒng)清洗方式分為物理清洗和化學(xué)清洗，物理清洗一般用高壓水射流將設(shè)備上的垢清理出來(lái)；化學(xué)清洗多為酸洗，因?yàn)樗嵯葱枰獓?yán)格控制用量及清洗時(shí)間，如不嚴(yán)格控制，很容易對(duì)設(shè)備造成腐蝕，但是由于清洗是個(gè)動(dòng)態(tài)的不是
2023-07-31 16:03:57479 
手持式連續(xù)激光清洗機(jī)是表面清理的高科技產(chǎn)品，易于安裝、操控和實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。操作簡(jiǎn)單，接通電，打開(kāi)設(shè)備，即可進(jìn)行無(wú)化學(xué)試劑、無(wú)介質(zhì)、無(wú)塵、無(wú)水的清洗，可自動(dòng)對(duì)焦，貼合曲面清洗，清洗表面潔凈度高等優(yōu)勢(shì)，能夠清洗物件表面樹(shù)脂、油污、污漬、污垢、銹蝕、涂層、鍍層、油漆。
2023-07-25 14:10:31
據(jù)介紹，在器件制造過(guò)程中，由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機(jī)械拋光等工藝步驟的大幅增長(zhǎng)，在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積，這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導(dǎo)致的缺陷風(fēng)險(xiǎn)成為產(chǎn)品良率的嚴(yán)重威脅。
2023-07-19 15:02:26607 電化學(xué)拋光(EP)通過(guò)選擇性地去除工件表面區(qū)域中的特定零件（如粗糙度和氧化物）形成鏡面狀表面。
2023-07-18 17:24:43550 
CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183030 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈硅部件供應(yīng)商盾源聚芯沖刺IPO上市! 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈叩門(mén)A股消息頻傳，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備供應(yīng)商晶亦精微，半導(dǎo)體功率器件企業(yè)華羿微電均在沖刺科創(chuàng)板上市。 硅部件供應(yīng)商寧夏
2023-07-18 10:43:08368 
陶氏化學(xué)公司是粘合劑，輔助劑等在內(nèi)的多種材料提供的高純度化學(xué)產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)的半導(dǎo)體核心化學(xué)材料的主要供應(yīng)商，也供應(yīng)全球重要的CMP材料包括拋光墊、拋光液等。
2023-07-18 09:59:07613 。 晶亦精微主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備及其配件，并提供技術(shù)服務(wù)。目前主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設(shè)備，是國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)8英寸CMP設(shè)備境外批量銷(xiāo)售的設(shè)備供應(yīng)商。
2023-07-14 11:01:15460 
所CMP事業(yè)部早在2017年便研制出國(guó)內(nèi)首臺(tái)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的8英寸CMP設(shè)備，在CMP設(shè)備領(lǐng)域技術(shù)積累深厚，是國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)8英寸CMP設(shè)備境外批量銷(xiāo)售的設(shè)備供應(yīng)商。目前，晶亦精微主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設(shè)備，在報(bào)告期內(nèi)其
2023-07-11 17:25:01626 
所CMP事業(yè)部早在2017年便研制出國(guó)內(nèi)首臺(tái)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的8英寸CMP設(shè)備，在CMP設(shè)備領(lǐng)域技術(shù)積累深厚，是國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)8英寸CMP設(shè)備境外批量銷(xiāo)售的設(shè)備供應(yīng)商。目前，晶亦精微主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設(shè)備，在報(bào)告期內(nèi)其
2023-07-11 01:04:001336 
在前道加工領(lǐng)域：CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝段來(lái)分可以分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）
2023-07-10 15:14:333567 
據(jù)通州區(qū)馬駒橋鎮(zhèn)政府消息，華海清科集成電路尖端設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目位于馬聚橋鎮(zhèn)智能制造基地，主要涉及化學(xué)機(jī)械光處理（cmp）設(shè)備，減薄機(jī)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。如果該項(xiàng)目得以實(shí)現(xiàn)，將具備28納米以下尖端工程的cmp設(shè)備研究開(kāi)發(fā)能力和每月加工20萬(wàn)個(gè)12英寸再生晶片的能力。
2023-06-30 11:50:10711 CMP401 和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器，采用獨(dú)立的輸入和輸出電源。獨(dú)立電源使輸入級(jí)可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用3 V或5 V電源供電，具體取決于接口
2023-06-28 17:22:15
CMP401和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器，采用獨(dú)立的輸入和輸出電源。獨(dú)立電源使輸入級(jí)可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用+3 V或+5 V電源供電，具體取決于
2023-06-28 17:19:58
綜上所述，油液顆粒計(jì)數(shù)器檢測(cè)報(bào)告中的微分和積分分別對(duì)應(yīng)了NAS1638和ISO4406標(biāo)準(zhǔn)的不同方面，微分對(duì)應(yīng)了污染等級(jí)，而積分對(duì)應(yīng)了顆粒濃度等級(jí)。
2023-06-25 16:10:13307 
-鉛涂層
清洗水漂洗
擦洗用研磨劑擦洗
活化漫沒(méi)在10% 的硫酸中
在突出觸頭上鍍鎳厚度為4 -5μm
清洗去除礦物質(zhì)水
金滲透溶液處理
鍍金
清洗
烘干
第二種，通孔電鍍
有多種方法可以在基板鉆孔
2023-06-12 10:18:18
清洗劑液體顆粒計(jì)數(shù)器. 采用英國(guó)普洛帝核心技 術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精 密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、 超純水、電子產(chǎn)品、平板玻璃
2023-06-09 11:12:17252 
PMT-2清洗劑液體顆粒計(jì)數(shù)器，采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、超純水、電子產(chǎn)品、平板玻璃
2023-06-08 15:50:31
電化學(xué)清洗及電拋光和超聲波清洗方法。不僅需要拆卸鍍膜機(jī)內(nèi)零件，耗費(fèi)大量時(shí)間精力，同時(shí)拆裝過(guò)程也有不可避免的污染，而且需要消耗一定的清洗材料，尤其是清洗體積大的物件時(shí)，及其不便。
2023-06-08 14:35:37542 
在現(xiàn)代工業(yè)中，表面加工是至關(guān)重要的一環(huán)。為了達(dá)到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求，往往需要進(jìn)行拋光處理。
2023-06-08 11:13:552653 
在化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高，腐蝕速率越快。在拋光過(guò)程中拋光液持續(xù)流動(dòng)，我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度，腐蝕率以最快的速度發(fā)生，則拋光液不同的PH值對(duì)應(yīng)一個(gè)腐蝕率，由此可見(jiàn)，去除速率與PH值有關(guān)，PH越高，速率越快。
2023-06-02 15:24:06347 
在半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中，清洗晶圓的技術(shù)的提升是為了制造高質(zhì)量產(chǎn)品。目前已經(jīng)有多種濕法清洗晶圓的技術(shù)，如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機(jī)械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學(xué)物質(zhì)的酸和堿溶液，會(huì)產(chǎn)生大量廢水，因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問(wèn)題。
2023-06-02 13:33:211020 
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
全自動(dòng)水清洗機(jī)工作方式:配比后的清洗液通過(guò)清洗腔內(nèi)噴嘴以一定的壓力和流量噴射在待洗的PCBA上,以軟化和沖刷PCBA表面的松香等助焊劑殘留液,然后通過(guò)去離子水對(duì)PCBA漂洗,最后對(duì)PCBA沖洗去除
2023-05-25 11:48:341460 
拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤(pán)（晶片），然后是一個(gè)稱(chēng)為拍打的扁平過(guò)程，包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
研究人員首先對(duì)銀納米顆粒/銅納米線(xiàn)進(jìn)行了合成，并對(duì)制備的銅納米線(xiàn)和化學(xué)沉積后負(fù)載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線(xiàn)進(jìn)行了形貌和結(jié)構(gòu)表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線(xiàn)材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線(xiàn)電極，用于后續(xù)無(wú)酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:28631 
晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或基板的情況下去除化學(xué)雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。晶圓表面必須保持不受影響，這樣粗糙、腐蝕或點(diǎn)蝕會(huì)抵消晶圓清潔過(guò)程的結(jié)果
2023-05-11 22:03:03783 激光清洗不僅可用于清洗有機(jī)污染物質(zhì)，還可以用來(lái)清洗無(wú)機(jī)化合物。激光清洗的原理是利用激光束的高能量密度，使污垢或涂層等物質(zhì)發(fā)生蒸發(fā)或剝離，從而清洗表面。這個(gè)過(guò)程并不依賴(lài)于物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)，因此激光清洗
2023-05-08 17:11:07571 
實(shí)驗(yàn)名稱(chēng): 功率放大器在磁性微納米顆粒微流體操控研究中的應(yīng)用 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容: 設(shè)計(jì)一套精準(zhǔn)的磁場(chǎng)操控平臺(tái)，并制備兩種不同類(lèi)型磁性顆粒；研究了均勻型磁性顆粒在磁場(chǎng)下的成鏈的機(jī)理，給出成鏈模型，通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究
2023-05-08 11:35:01265 
集成設(shè)備制造的縮小圖案要求濕化學(xué)加工的表面清潔度和表面光滑度，特別是對(duì)于常見(jiàn)的清潔技術(shù)RCA清潔（SC-1和SC-2）。本文討論了表面制備參數(shù)的特性和影響。
2023-05-06 14:25:04407 
一、自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果因素自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果取決于多個(gè)因素，除了自動(dòng)拋光機(jī)本身的質(zhì)量以外，還包括使用工藝、選用什么樣的拋光輔料，要拋光物件材質(zhì)，操作者的經(jīng)驗(yàn)技術(shù)等，在條件都合適的情況下，自動(dòng)
2023-05-05 09:57:03535 在當(dāng)今的器件中，最小結(jié)構(gòu)的尺寸接近于需要從晶片表面移除的粒子的尺寸。在不破壞脆弱設(shè)備的情況下，在工藝步驟之間去除納米顆粒的清洗過(guò)程的重要性正在不斷增長(zhǎng)。兆波清洗可用于單晶片或批量晶片處理。
2023-05-02 16:32:11865 
清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性
基本步驟：化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859 
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā) 編號(hào)：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151 
是世界上最圓的球了。我們通過(guò)短片了解一下。1、研磨與拋光的區(qū)別研磨：利用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒，通過(guò)研具與工件在一定壓力下的相對(duì)運(yùn)動(dòng)對(duì)加工表面進(jìn)行的精整加工。
2023-04-13 14:24:341685 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到129\.1億美元。到 2029 年。晶圓清洗是在不影響半導(dǎo)體表面質(zhì)量的情況下去除顆粒或污染物的過(guò)程。器件表面晶圓上的污染物和顆粒雜質(zhì)對(duì)器件的性能和可靠性有重大影響。本報(bào)告側(cè)重于半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)的不同部分（產(chǎn)品、晶圓尺寸、技術(shù)、操作模式、應(yīng)用和區(qū)域）。
2023-04-03 09:47:511643 
在整個(gè)晶圓加工過(guò)程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8% ；濕電子化學(xué)品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。
2023-03-25 09:30:544119
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