濕法清洗過程中硅片表面顆粒的去除
摘要
研究了在半導(dǎo)體制造過程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。結(jié)果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。在堿性溶液中，顆粒去除的機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
介紹
由于半導(dǎo)體器件正在追求更高水平的-集成度和更高分辨率的模式，ET清潔技術(shù)對于重新-移動硅片表面的污染物仍然至關(guān)重要。在1970年提出的RCA清洗工藝作為一種濕式清洗技術(shù)在世界各地仍在使用，以去除晶圓表面的污染物。雖然RCA凈化-過程中，NH4OH-H2O2-H2O溶液對-顆粒的去除效果非常好，但其顆粒去除機(jī)理尚不完全清楚。
實(shí)驗(yàn)
采用五英寸CZ(1,0,0)晶片進(jìn)行粒子吸附實(shí)驗(yàn)。天然氧化物首先在0.5%的HF溶液中從晶圓表面去除。然后將晶片浸泡在含有顆粒的各種溶液中10分鐘，然后沖洗和干燥。天然氧化物在晶圓表面形成后，再在0.5%的HF溶液中移動，然后清洗和干燥。
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27479瀏覽量
219655 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
4927瀏覽量
128092 -
制造
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
511瀏覽量
24012
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
8寸晶圓的清洗工藝有哪些
8寸晶圓的清洗工藝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，它直接關(guān)系到芯片的良率和性能。那么直接揭曉關(guān)于8寸晶圓的清洗工藝介紹吧！ 顆粒去除清洗
等離子體刻蝕和濕法刻蝕有什么區(qū)別
等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法，雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料，但它們的原理、過程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有
芯片濕法蝕刻工藝
芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導(dǎo)體制造中使用的關(guān)鍵技術(shù)，主要用于通過化學(xué)溶液去除硅片上不需要的材料。 基本概念 濕法蝕刻是一種將硅片浸入特定的化
優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控
一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn)
濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面
芯片濕法刻蝕殘留物去除方法
包括濕法清洗、等離子體處理、化學(xué)溶劑處理以及機(jī)械研磨等。以下是對芯片濕法刻蝕殘留物去除方法的詳細(xì)介紹： 濕法
晶圓濕法刻蝕原理是什么意思
、濕法刻蝕過程中，使用的化學(xué)溶液與待刻蝕的晶圓材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，將固體材料轉(zhuǎn)化為可溶于水的化合物。這種化學(xué)反應(yīng)需要高選擇性的化學(xué)物質(zhì)，以確保只有需要去除的部分被刻蝕，而其他部分保持不變。 2、在刻蝕
芯片制造過程中的兩種刻蝕方法
本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕（Etch）是芯片制造過程中相當(dāng)重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕 利用等離子體將不要的材料去除。 ②
光刻膠清洗去除方法
光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
去除晶圓表面顆粒的原因及方法
本文簡單介去除晶圓表面顆粒的原因及方法。
在12寸（300毫米）晶圓廠中，清洗是一個至關(guān)重要的工序。晶圓廠會購買大量的高純度濕化學(xué)
揭秘PCB板清洗過程：每一步都關(guān)乎產(chǎn)品質(zhì)量！
在電子制造領(lǐng)域，PCB板（Printed Circuit Board，即印制電路板）作為電子設(shè)備的基礎(chǔ)組件，其質(zhì)量和性能直接影響著整個產(chǎn)品的穩(wěn)定性和壽命。而PCB板的清洗過程，則是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。本文將深入探討PCB板的清洗過程及其作用，揭示那些決定產(chǎn)品質(zhì)量的
模具清洗利器—激光洗模機(jī)
激光洗模機(jī)能夠有效地解決模具清洗過程中的各種問題，提高清洗效率，降低清洗成本，是當(dāng)下模具清洗的利器。激光洗模機(jī)采用激光技術(shù)，在清洗過程中能夠
硅晶片清洗：半導(dǎo)體制造過程中的一個基本和關(guān)鍵步驟
和電子設(shè)備中存在的集成電路的工藝。在半導(dǎo)體器件制造中，各種處理步驟分為四大類，例如沉積、去除、圖案化和電特性的改變。 最后，通過在半導(dǎo)體材料中摻雜雜質(zhì)來改變電特性。晶片清洗過程的目的是
超聲波清洗機(jī)的4大清洗特點(diǎn)與清洗原理
效率和更好的清洗效果。
2. 環(huán)保性：超聲波清洗機(jī)在清洗過程中無需使用化學(xué)清洗劑，只需使用清水或少量專用清洗劑即可。這大大降低了
二氧化碳雪清洗技術(shù)在芯片制造中的關(guān)鍵突破
的顆粒。與傳統(tǒng)的濕法和干法清洗方法相比，二氧化碳雪清洗具有以下優(yōu)點(diǎn)：高效清洗：二氧化碳雪清洗能夠
使用ICP-MS/MS進(jìn)行光伏硅片表面Ti納米顆粒表征的實(shí)驗(yàn)過程
高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產(chǎn)過程中的基本要求，其潔凈度直接影響產(chǎn)品的最終性能、效率以及穩(wěn)定性。硅片是由硅棒上切割所得，其表面的多層晶格處于被破壞的狀態(tài)，布滿了不飽和的懸掛鍵，
工商網(wǎng)監(jiān)
評論