去除晶圓表面顆粒的原因及方法

本文簡(jiǎn)單介去除晶圓表面顆粒的原因及方法。

在12寸（300毫米）晶圓廠中，清洗是一個(gè)至關(guān)重要的工序。晶圓廠會(huì)購(gòu)買(mǎi)大量的高純度濕化學(xué)品如硫酸，鹽酸，雙氧水，氨水，氫氟酸等用于清洗。

為什么在工序中不斷清洗以去除顆粒？

顆粒會(huì)引起芯片的短路或開(kāi)路，半導(dǎo)體制造是一個(gè)多步驟的過(guò)程，每一步工序都會(huì)產(chǎn)生大量的顆粒，需要將晶圓表面的顆?？刂圃跇O低范圍內(nèi)才能繼續(xù)下一工序。

用什么藥液？

業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)藥液：SC-1（StandardClean-1），又名APM，又名RCA-1。是由沃納·科恩 （Werner Kern） 于1965 年在美國(guó)無(wú)線電公司（RCA） 工作時(shí)開(kāi)發(fā)了這一配方，一直沿用至今。

配比為：氨水：雙氧水：超純水=1：1：6，可根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整配比。在 75℃左右，超聲浸泡 10 分鐘。這種堿-過(guò)氧化物混合藥液可去除部分的有機(jī)物和幾乎全部的顆粒。

SC-1去除顆粒的原理

由于氨水能夠解離出氫氧根離子，氫氧根離子可以使晶圓表面帶負(fù)電，且可以改變顆粒的zeta 電位并使顆粒與晶圓相互排斥，而達(dá)到去除顆粒以及防止顆粒再次沉積的目的。