電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>Qorvo推出創(chuàng)新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊

Qorvo推出創(chuàng)新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦

UnitedSiC宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V 第四代 SiC FET

中國北京 -?2022 年 5 月 17 日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅
2022-05-17 11:55:242172

英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET

德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200VSiC型FET(JFET)“CoolSiC產(chǎn)品群”,并在2012年5月8日~10日于德國舉行的電源技術(shù)展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:481711

美高森美推出新一代1200V非穿通型IGBT

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:34781

美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200V肖特基二極管

美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:061242

Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動汽車設(shè)計(jì)性能

中國 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型
2024-01-31 15:19:34487

10W PoE隔離式同步反激式緊湊型參考設(shè)計(jì)包括BOM及層圖

描述該緊湊型參考設(shè)計(jì)是一種典型的 PoE 應(yīng)用,在以太網(wǎng) 5.3V 電壓下供應(yīng) 10W 功率。電路板上搭載了數(shù)據(jù)過濾器、外部輔助輸入和 EMI 濾波器。同步整流提高了能效,在輸出電壓僅為 5.3V
2018-10-25 16:19:35

200~1200V電源炸機(jī),求助

測試1200V輸入時(shí),加十多分鐘后就炸機(jī)了,不是一開始就炸,MOS管那一串都炸了,變壓器沒燒毀。大神幫我看一下電路和波形,600V以后的CS波形感覺就不太好看了,不知道是什么導(dǎo)致的。示波器通道2壞了,沒法雙通道,只能這樣了。
2017-12-13 08:56:00

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

逆變器等中高功率領(lǐng)域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。    關(guān)斷波形圖(650V/10A產(chǎn)品)  650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型  
2020-09-24 16:22:14

1200V/10A碳化硅肖特基二極管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49

1200V碳化硅MOSFET系列選型

。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性,也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?! ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?!   ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型    
2020-09-24 16:23:17

1200V耐壓400A/600A產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更低損耗與小型化

ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43

SiC MOSFET:經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案

產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET:1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ,均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn),加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17

SiC-SBD的產(chǎn)品陣容支持車載的650V/1200V、5A~40A

在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V1200V、額定電流為5A~40A的產(chǎn)品,具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外,ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17

緊湊型升壓轉(zhuǎn)換器可節(jié)省電池電量

DN358- 緊湊型升壓轉(zhuǎn)換器可節(jié)省電池電量
2019-08-30 06:02:07

緊湊型雙輸出DC/DC轉(zhuǎn)換器LT3742

電路圖顯示LT3742,緊湊型雙輸出DC / DC轉(zhuǎn)換器:14V28V輸入至4A時(shí)為4A,4A時(shí)為5V
2019-06-03 08:49:42

緊湊型有源射頻天線模塊的功能

“SmarTile”為中移動研究院自研的緊湊型有源射頻天線模塊,集光纖接口到天線的完整鏈路,采用高集成,低功耗,低成本的類終端RFIC實(shí)現(xiàn)。SmarTile結(jié)構(gòu)緊湊美觀,各性能指標(biāo)均能達(dá)到
2019-06-13 06:59:04

緊湊型矢量光場生成系統(tǒng)

緊湊型矢量光場生成系統(tǒng) 1,概述矢量光場可廣泛應(yīng)用于光學(xué)捕獲和操縱、表面等離子體、光學(xué)加工、焦場工程、量子信息處理、超分辨率顯微成像、光通信等方面。上海瞬渺光電近期推出的Model
2024-02-28 13:20:52

CCWDM緊湊型粗分波復(fù)用器的四大優(yōu)勢

是在緊湊型自由空間CWDM器件中,多波長光信號由輸入光纖進(jìn)入。原理是用輸入透鏡將輸入光纖上的波長分別為λ1, λ2…λn的光信號聚焦到第一個(gè)濾波片上;波長為λ1的光信號通過第一個(gè)濾波片并經(jīng)第一個(gè)輸出
2019-01-24 16:21:44

EPCOS/TDK B82477D6緊湊型雙電感器產(chǎn)品說明

  EPCOS/TDK B82477D6緊湊型雙電感器采用磁屏蔽鐵氧體磁芯和磁屏蔽結(jié)構(gòu),銅漆包線繞組焊接在端子上。該電感器的繞組技術(shù)可實(shí)現(xiàn)兩個(gè)繞組的緊密耦合。這些元件具有高額定電流和低直流電阻,符合
2020-07-01 16:23:26

GaN和SiC區(qū)別

額定擊穿電壓器件中的半導(dǎo)體材料方面勝過Si.Si在600V1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經(jīng)上市,被公認(rèn)為是提高功率轉(zhuǎn)換器效率的最佳解決方案。 SiC的設(shè)計(jì)障礙是低水平寄生效應(yīng),如果內(nèi)部和外部
2022-08-12 09:42:07

GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變

SiC JBS二極管提供卓越的功能,包括但不限于高溫操作,高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39

LT3464緊湊型升壓轉(zhuǎn)換器采用16V偏置電源

電路圖顯示LT3464緊湊型升壓轉(zhuǎn)換器采用16V偏置電源,可提供6.5mA的電流,效率為77%,來自鋰離子電池
2020-07-14 08:13:32

LT3483緊湊型高效LCD電源電路圖

電路圖顯示LT3483,緊湊型高效LCD電源在15V時(shí)產(chǎn)生5mA,小于90mm2
2020-07-15 09:27:29

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】應(yīng)用于電動汽車的基于 SiC 器件雙向諧振 DC/DC 變換器

電動汽車充電領(lǐng)域的研究,想借助發(fā)燒友論壇完成項(xiàng)目的設(shè)計(jì)。項(xiàng)目計(jì)劃:1)研究與分析雙向諧振式DCDC變換器的工作原理;2)下載器件模型在ADS上搭建仿真電路,同時(shí)設(shè)計(jì)SiC管的驅(qū)動策略;3)采用耐壓1200V
2020-04-24 18:11:27

一種緊湊型表貼波導(dǎo)濾波器及其測試結(jié)果介紹

工作原理的限制,普通的波導(dǎo)濾波器的體積比較大。緊湊型波導(dǎo)濾波器是微波技術(shù)領(lǐng)域的一個(gè)經(jīng)典而又十分活躍的研究課題。2003年, Vlad Lenive 和 John Ness 報(bào)告了一種采用高度減小的波導(dǎo)
2019-07-05 06:02:13

一種采用頻率選擇膜片和電容柱子構(gòu)成的緊湊型濾波器介紹

減小的緊湊型波導(dǎo)濾波器。Rauscher也報(bào)告了一種采用介質(zhì)填充和脊波導(dǎo)加載的緊湊型波導(dǎo)濾波器。本文將介紹一種采用頻率選擇膜片和電容柱子構(gòu)成的緊湊型濾波器。
2019-07-08 07:46:30

為汽車攝像頭模塊中的Aptina AR0132圖像傳感器提供緊湊型電源解決方案

該參考設(shè)計(jì)可為汽車攝像頭模塊中的 Aptina AR0132 圖像傳感器提供緊湊型電源解決方案。該設(shè)計(jì)附帶電源板和濾波板,電源板上帶有兩個(gè)同步降壓穩(wěn)壓器,可提供 1.8V 和 2.8V 輸出。設(shè)計(jì)系統(tǒng)框圖(點(diǎn)擊此處下載完整框圖)>>了解更多 設(shè)計(jì)特性…
2022-11-22 07:08:17

低成本增強(qiáng)隔離式10kW三相逆變器緊湊型設(shè)計(jì)

描述TIDA-01540 參考設(shè)計(jì)可為增強(qiáng)隔離式 10kW 三相逆變器降低系統(tǒng)成本并支持緊湊型設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)在單個(gè)封裝和自舉配置中使用雙柵極驅(qū)動器來為柵極驅(qū)動電源產(chǎn)生浮動電壓,從而實(shí)現(xiàn)較低的系統(tǒng)成本
2018-12-06 14:17:15

光無源器件:你對CCWDM緊湊型波分復(fù)用器了解多少?

哪些分類?產(chǎn)品集合如下: 一:2x4CHCCWDM緊湊型波分復(fù)用器 CCWDM產(chǎn)品使用易飛揚(yáng)專有的自由空間光學(xué)平臺的集成光學(xué)模塊,可以提高光學(xué)性能,同時(shí)降低制造成本,封裝小于傳統(tǒng)CWDM模塊尺寸的1
2018-05-10 14:24:07

SiC功率模塊的開關(guān)損耗

的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關(guān)損耗、2)開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30

關(guān)于支持緊湊型5G大規(guī)模MIMO網(wǎng)絡(luò)無線電的RF前端系列的知識點(diǎn)總結(jié)的太棒了

關(guān)于支持緊湊型5G大規(guī)模MIMO網(wǎng)絡(luò)無線電的RF前端系列的知識點(diǎn)總結(jié)的太棒了
2021-06-10 08:48:09

具有VOUT跟蹤和排序功能的緊湊型雙路降壓轉(zhuǎn)換器

DN403- 具有VOUT跟蹤和排序功能的緊湊型雙路降壓轉(zhuǎn)換器
2019-07-30 13:11:15

具有全SiC MOSFET的10KW交錯式升壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

介紹了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二極管的100KHz,10KW交錯式硬開關(guān)升壓DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開關(guān)損耗使得開關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24

具有雙路輸出選項(xiàng)的 12V 輸入、1V/45A緊湊型POL解決方案包括BOM,PCB文件及光繪文件

高效率的緊湊型解決方案。主要特色緊湊的 45A PoL 解決方案,尺寸為 0.72 英寸 x 1.2 英寸 (18.3mm x30.5mm)適合 45A 單軌或 23A 雙軌的靈活配置在 1V/45A、400kHz 時(shí)達(dá)到 87.5% 的高效率提供 PMBUS 接口用于配置和遙測此設(shè)計(jì)經(jīng)過全面測試
2018-08-15 06:40:34

具有雙路輸出選項(xiàng)的12V 輸入1V/45A緊湊型負(fù)載點(diǎn)模塊參考設(shè)計(jì)

高效率的緊湊型解決方案。特性緊湊的 45A PoL 解決方案,尺寸為 0.72 英寸 x 1.2 英寸 (18.3mm x30.5mm)適合 45A 單軌或 23A 雙軌的靈活配置在 1V/45A、400kHz 時(shí)達(dá)到 87.5% 的高效率提供 PMBUS 接口用于配置和遙測此設(shè)計(jì)經(jīng)過全面測試`
2015-05-08 15:14:53

具有溫度不變勢壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管

本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24

變壓器 | TDK推出適合超聲波應(yīng)用的緊湊型EP 6變壓器

  TDK集團(tuán)隆重推出適合超聲波應(yīng)用的全新B78416A*系列緊湊型愛普科斯 (EPCOS) EP6變壓器。新系列元件為表面安裝 (SMD) ,有五種型號供選擇,覆蓋1:1:8.42至1:1:15
2022-02-17 16:04:14

回收511-1AK01模塊,回收西門子緊湊型CPU 512-1CK00,回收511-1CK00模塊

`回收511-1AK01模塊,回收西門子緊湊型CPU 512-1CK00,回收511-1CK00模塊,回收模擬量CPU模塊,回收發(fā)那科驅(qū)動器,回收西門子6AV觸摸屏,回收哪里有高價(jià)回收西門子CPU
2020-11-03 08:12:53

基于ARM的緊湊型圖像采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

利用ARM7(LPC2210)與CMOS感光芯片(OV7620)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)緊湊型圈像采集、處理系統(tǒng);通過夸理利用LPC2210數(shù)據(jù)總線的工作方式,有效地消除了OV7620對系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的干擾
2020-04-28 06:38:33

基于TPS65218的緊湊型集成電源解決方案

描述基于 TPS65218 的參考設(shè)計(jì)是一種緊湊型集成電源解決方案,適用于 Altera? Cyclone? VE、GX、GT)SoC(屬于 Cyclone? 產(chǎn)品系列)。此設(shè)計(jì)以一體式 IC
2022-09-23 07:35:25

如何從緊湊型閃光燈中選擇圖像?

我試圖使用以太網(wǎng)將成像器從spartan6 sp605轉(zhuǎn)移到pc。在基準(zhǔn)參考設(shè)計(jì)界面中,它顯示“鏈接已連接到fpga”,但以太網(wǎng)狀態(tài)LED未激活。我想從緊湊型閃存添加一個(gè)圖像,我想用以太網(wǎng)傳輸它。在
2019-09-16 09:52:13

如何在緊湊型閃存中存儲數(shù)據(jù)?

你好,我正在使用XUPV5-LX110T評估平臺,我想將數(shù)據(jù)存儲和讀取到一個(gè)緊湊型閃存(CF),CF存儲器插槽就在平臺上。關(guān)于如何實(shí)現(xiàn)它的任何想法?謝謝,普拉卡什。
2019-08-19 07:59:53

如何實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)?

實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23

實(shí)現(xiàn)大電流化的技術(shù)要點(diǎn)

元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后,產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)大,并擁有達(dá)1200V、300A的產(chǎn)品,各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著新封裝的開發(fā), ROHM繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品陣容,如今已經(jīng)擁有覆蓋IGBT
2018-12-04 10:19:59

工業(yè)驅(qū)動器的三相緊湊型功率級參考設(shè)計(jì)包括BOM及框圖

描述該用于工業(yè)驅(qū)動器的三相緊湊型功率級參考設(shè)計(jì)使用支持基本電容隔離要求的 UCC53xx 柵極驅(qū)動器,可通過光耦合器提供更長的使用壽命和更佳的傳播延遲匹配,從而最大程度地減小逆變器死區(qū)失真和損耗
2018-09-30 09:44:42

帶反射器的緊湊型LED

了市場的許可和贊許,成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。ROHM公司推出了SML-M13和SML-MN2系列帶反射器的緊湊型LED,其中SML-M13系列LED型號包括
2019-03-29 03:56:31

是德緊湊型可調(diào)協(xié)激光器

是德緊湊型可調(diào)協(xié)激光器
2019-08-07 06:44:55

極具熱效率的低成本緊湊型偏置電源含PCB布局

器件上的溫升均小于 60 攝氏度1% 輸出電壓調(diào)節(jié)精度利用所有標(biāo)準(zhǔn)組件(包括磁體)25mm(寬)x 45mm(長)緊湊型電路板尺寸提供測試報(bào)告
2019-01-02 16:01:55

淺析:CCWDM緊湊型粗波分復(fù)用技術(shù)概況原理和優(yōu)勢

需要高的穩(wěn)定性能和可靠性能。 那么,針對以上這些情況,ccwdm應(yīng)運(yùn)而生。ccwdm是一種小型化的cwdm,具有封裝尺寸更小、插入損耗更低、通道均勻性好等優(yōu)點(diǎn)。 CCWDM緊湊型波分復(fù)用原理 緊湊型
2018-03-29 15:36:34

用于1200V PrimePACK的評估驅(qū)動板

2ED250E12-F_EVAL,2ED250E12-F評估驅(qū)動板的開發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進(jìn)行首次設(shè)計(jì)時(shí)為其提供支持。評估驅(qū)動板是一個(gè)功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動器,其中兩個(gè)1ED020I12-F驅(qū)動器IC過程控制和反饋信號并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37

用于K32L2B緊湊型酷創(chuàng)板

描述酷創(chuàng)板這是用于 K32L2B緊湊型開發(fā)板,旨在與 Seeeduino XIAO 板兼容。它具有 USB Type-C 和 SparkFun Qwiic/Adafruit STEMMA QT
2022-07-01 07:45:18

用于射頻和微波系統(tǒng)的超緊湊型可調(diào)諧MMIC濾波器

用于射頻和微波系統(tǒng)的超緊湊型可調(diào)諧MMIC濾波器
2019-05-20 17:24:24

研華緊湊型1U工業(yè)主板機(jī)箱ACP-130MB

  研華推出最新款產(chǎn)品 ACP-1320MB,一款緊湊型 1U 機(jī)架式主板機(jī)箱。二十多年來,研華始終致力于工業(yè)機(jī)箱在設(shè)計(jì)上的日臻完善和質(zhì)量上的不斷提高。 ACP-1320MB 表面呈黑色,經(jīng)久耐用
2018-11-26 10:59:13

羅姆成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12

適用于汽車輔助攝像機(jī)模塊緊湊型電源和串行器解決方案

! 現(xiàn)在,咱們就先來看看“汽車電子參考設(shè)計(jì)”的第5期有什么好的推薦吧! 了解更多,點(diǎn)擊此處獲取本參考設(shè)計(jì)的原文介紹。 設(shè)計(jì)概述PMP9351 是一種適用于汽車輔助攝像機(jī)模塊緊湊型電源和串行器解決方案,采用 OmniVision 圖像傳感器 OV10635。此參考板有兩個(gè) LMR22007 同步降壓穩(wěn)壓器,提供兩個(gè) 3…
2022-11-22 06:04:32

通用AC輸入70W緊湊型音頻電源解決方案

描述此參考設(shè)計(jì)可為70W(峰值)音頻系統(tǒng)提供緊湊型電源解決方案。該電源可接受通用交流輸入,并采用 UCC28610 準(zhǔn)諧振反激式控制器來產(chǎn)生24V 隔離輸出。此外,還提供輔助的 5V/1.5A 和 3.3V/0.1A 輸出。該設(shè)計(jì)可為 30W 持續(xù)負(fù)荷以及 70W高峰負(fù)荷供電,效率最高可達(dá) 85%。
2018-11-23 14:56:53

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

。與此同時(shí),SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?!癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50

采用降壓轉(zhuǎn)換器的緊湊型高效率30W參考評估板,提供12V

采用降壓轉(zhuǎn)換器的緊湊型高效率30W參考評估板,提供12V
2020-06-01 14:20:31

Qorvo SiC E1B模塊

Qorvo SiC E1B模塊Qorvo SiC E1B模塊采用獨(dú)特的共源共柵電路,常開SiC JFET與Si MOSFET共同封裝,形成常關(guān)SiC FET。Qorvo SiC E1B具有類硅柵
2024-02-26 14:00:25

Centralsem推出采用緊湊型SMD封裝的5A肖特基橋C

Centralsem推出采用緊湊型SMD封裝的5A肖特基橋CBRSDSH5-40 CBRSDSH5-40是首個(gè)40V/5A全波橋式整流器,封裝在一個(gè)表面貼裝SMDIP外殼內(nèi)。VF為0.37V,IR為40µA,該器件適合應(yīng)用于各
2009-11-06 08:34:05640

IR針對汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH

IR針對汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32697

基于EconoDUAL 3設(shè)計(jì)的600A/1200V汽車驅(qū)動

Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應(yīng)用包括自動驅(qū)動系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車柴油發(fā)動機(jī)驅(qū)動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093084

R&S推出創(chuàng)新緊湊型信號發(fā)生器SFC

RS SFC緊湊型測試 調(diào)制器 提供了這樣一種解決方案:支持幾乎所有的調(diào)制標(biāo)準(zhǔn),擁有極高的性價(jià)比,基于創(chuàng)新而獨(dú)特的設(shè)計(jì),SFC僅占有半個(gè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)架寬度,十分緊湊。目前RS SFC緊湊型調(diào)
2011-09-15 09:51:351037

羅姆半導(dǎo)體“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn),開關(guān)損耗降低85%

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)構(gòu)
2012-03-23 08:52:571591

美超微(R)推出緊湊型高密度服務(wù)器解決方案

5月27日,美超微推出新的緊湊型高密度服務(wù)器解決方案,為英特爾備受期待的Xeon處理器E3-1200 V3產(chǎn)品系列提供支持。
2013-05-27 10:14:381288

Fairchild針對高速光伏逆變器和苛刻工業(yè)應(yīng)用發(fā)布1200V SiC二極管

全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 發(fā)布首個(gè)1200V碳化硅(SiC)二極管 —— FFSH40120ADN,納入即將推出SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161329

英飛凌推出革命性的1200V碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù) 助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)提升效率和性能

英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化,兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿,相比1200V硅(Si)IGBT低了一個(gè)數(shù)量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源(UPS)或充電/儲能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn),此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498006

英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:003685

英飛凌新品:采用D2PAK-7L封裝1200V CoolSiC? MOSFET

英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝1200V CoolSiC MOSFET,導(dǎo)通電阻從30m?到350m?,可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器(不同的電流額定值)實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695

緊湊型模塊的結(jié)構(gòu)組成是怎樣的

模塊是光通信傳輸系統(tǒng)中非常重要的有源器件,是進(jìn)行光電和電光轉(zhuǎn)換的光電子模塊,能夠在光通信中起到光電信號轉(zhuǎn)換的作用。隨著通信市場的高速發(fā)展,光模塊也在隨之不斷演進(jìn),如今,以小型封裝為主的緊湊型模塊已經(jīng)獲得了廣泛普及。
2020-12-25 16:25:32665

英飛凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規(guī)模推出SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427

采用緊湊型封裝的新款 6A 和 12A DC/DC 微型模塊可提供即時(shí)電源

采用緊湊型封裝的新款 6A 和 12A DC/DC 微型模塊可提供即時(shí)電源
2021-03-18 20:16:4811

雙通道微型模塊接收器子系統(tǒng)在緊湊型封裝中兼有高速 ADC 和驅(qū)動器

雙通道微型模塊接收器子系統(tǒng)在緊湊型封裝中兼有高速 ADC 和驅(qū)動器
2021-03-21 12:16:379

緊湊型交換機(jī)模塊CSM1277

本部分概述非管理緊湊型交換機(jī)模塊 CSM 1277 的功能。
2021-05-17 10:48:1229

東芝新推出1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606

Qorvo推出新一代1200V碳化硅場效應(yīng)晶體管(FET)系列

2022年5月11日 –移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)系列,這些產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。
2022-05-12 11:22:571487

Qorvo推出新一代1200V碳化硅場效應(yīng)晶體管

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列,該系
2022-05-25 10:46:531004

比亞迪半導(dǎo)體全新推出1200V 1040A SiC功率模塊

作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司,在SiC功率器件領(lǐng)域,比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破,重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊,并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動控制器中的規(guī)?;瘧?yīng)用。
2022-06-21 14:40:571216

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級認(rèn)證

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證,同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規(guī)級可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16874

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595

國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認(rèn)證

2022年11月,上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:332073

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51608

賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

賽米控丹佛斯(總部位于德國紐倫堡)和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市) 在開發(fā)SiC(碳化硅) 功率模塊方面,已有十多年的良好合作關(guān)系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊
2023-04-26 15:27:11517

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊

合作關(guān)系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938

德承發(fā)布全新高效緊湊型嵌入式工業(yè)電腦DX-1200,為工控領(lǐng)域增添生力軍

強(qiáng)固型嵌入式電腦品牌 – Cincoze 德承,全新推出Rugged Computing - DIAMOND 產(chǎn)品線的高效緊湊型嵌入式電腦DX-1200,利用緊湊規(guī)劃克服了體積限制,讓效能與強(qiáng)固得以充分發(fā)揮。
2023-05-18 11:27:53332

凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月,凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異,開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動,能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26488

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10423

至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

深圳市至信微電子有限公司(簡稱:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上,至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片,其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。
2024-01-16 15:45:17286

Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

Qorvo,全球領(lǐng)先的綜合連接和電源解決方案供應(yīng)商,近日發(fā)布了其全新車規(guī)級碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS
2024-02-01 10:18:06202

安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59346

Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝1200V碳化硅(SiC)模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝1200V碳化硅(SiC模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35333

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝1200V碳化硅(SiC模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2024-03-06 11:43:19283

蓉矽半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證

蓉矽半導(dǎo)體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力,也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228

已全部加載完成