美高森美推出新一代1200V非穿通型IGBT

　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8?技術(shù)，與競爭解決方案相比，總體開關(guān)和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應用。

　　美高森美新的分立元件產(chǎn)品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些器件可以單獨提供，或者與任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky) 二極管組合封裝提供，以便簡化產(chǎn)品開發(fā)和制造。其它特性包括：

　　·相比競爭產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能;

　　·硬開關(guān)運行頻率大于80 KHz，實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換;

　　·易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù))，提升大功率應用的可靠性;以及

　　·額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，在需要短路能力的應用中實現(xiàn)可靠運作

　　APT40GR120B晶體管采用TO-247封裝，APT40GR120S采用表面安裝D3 PAK封裝，APT40GR120B2D30則是T-MAX? 封裝器件，包含了一個30A反并聯(lián)超快恢復二極管，采用美高森美的專有“DQ”系列低開關(guān)損耗、額定雪崩能量二極管技術(shù)制造。

　　供貨

　　美高森美新型NPT IGBT中的最初兩款產(chǎn)品已具有以上全部待征并已量產(chǎn)，可通過當?shù)胤咒N商或美高森美銷售代表獲取樣品。