0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
电子发烧友
开通电子发烧友VIP会员 尊享10大特权
海量资料免费下载
精品直播免费看
优质内容免费畅学
课程9折专享价
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-07-31 16:57 ? 次閱讀

5750388a-2f80-11ee-bbcf-dac502259ad0.jpg

增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC MOSFET的EasyDUAL 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。

產(chǎn)品型號(hào):

FF17MR12W1M1H_B11

17mΩ 1200V

FF17MR12W1M1H_B70

17mΩ 1200V 低熱阻

FF17MR12W1M1HP_B11

17mΩ 1200V TIM版本

FF33MR12W1M1H_B11

33mΩ 1200V

FF33MR12W1M1HP_B11

33mΩ 1200V TIM版本

產(chǎn)品特點(diǎn)

1200V CoolSiC MOSFET

Easy1B封裝

Best-in-class 12毫米高度模塊封裝

非常低的模塊寄生電感

RBSOA反向工作安全區(qū)寬

柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口大

PressFIT引腳

兩個(gè)阻值型號(hào)都有帶有熱界面材料版本

應(yīng)用價(jià)值

擴(kuò)展了柵源電壓最大值:+23V和-10V

在過載條件下,Tvjop最高可達(dá)175°C

最佳的性價(jià)比,可降低系統(tǒng)成本

可工作在高開關(guān)頻率,并改善對(duì)冷卻要求

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

引入新的M1H增強(qiáng)型1代芯片系列模塊,Best-in-class 1200V Easy1B模塊

采用英飛凌WBG材料,達(dá)到功率和效率的新水平

緊跟市場(chǎng)的新趨勢(shì),支持多種目標(biāo)應(yīng)用

應(yīng)用領(lǐng)域

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

不間斷電源(UPS)

電動(dòng)汽車充電

光伏系統(tǒng)的解決方案

儲(chǔ)能系統(tǒng)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8392

    瀏覽量

    219130
  • 高速開關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    18

    瀏覽量

    9234
收藏 0人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

    新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊,增強(qiáng)型1代M1H芯片、集成NTC
    的頭像 發(fā)表于 06-10 17:06 ?459次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 英飛凌EconoDUAL? 3 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>1200V</b>模塊

    新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

    新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管,專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:04 ?367次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b> G2 SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

    新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品,專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā),包括工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 05-27 17:03 ?249次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用頂部散熱QDPAK的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b> G2 SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋產(chǎn)品

    聞泰科技推出車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET

    ,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET,為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?444次閱讀

    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOP
    的頭像 發(fā)表于 05-13 17:04 ?451次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>EasyDUAL</b>? 1B和2B,<b class='flag-5'>1200V</b>共發(fā)射極IGBT模塊

    新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

    新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強(qiáng)型1代、集成NTC溫度傳感器
    的頭像 發(fā)表于 04-17 17:05 ?298次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 半橋<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> EconoDUAL? 3模塊

    英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC
    的頭像 發(fā)表于 03-15 18:56 ?432次閱讀

    新品 | 采用CoolSiC? MOSFET的7.5kW電機(jī)驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板

    新品采用CoolSiCMOSFET的7.5千瓦電機(jī)驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板EVAL-FS33MR12W1M1HM5是采用33mΩ1200V碳化硅MOSFET模塊的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路板。開發(fā)該評(píng)估板的目的是為了在
    的頭像 發(fā)表于 03-11 17:03 ?622次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b>的7.5kW電機(jī)驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板

    三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析

    1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?1702次閱讀
    三菱電機(jī)<b class='flag-5'>1200V</b>級(jí)SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析

    新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

    新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為
    的頭像 發(fā)表于 11-29 01:03 ?430次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? 34mΩ <b class='flag-5'>1200V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> D2PAK-7L封裝

    瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

    為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn),讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效,組裝時(shí)能自動(dòng)化生產(chǎn)。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 14:58 ?894次閱讀
    瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的<b class='flag-5'>1200V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

    驅(qū)動(dòng)器板。設(shè)計(jì)用于評(píng)估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiC? MOSFET。 采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關(guān)。驅(qū)動(dòng)電路采用了具有米勒鉗位
    的頭像 發(fā)表于 10-29 17:41 ?570次閱讀
    采用第二代<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b>的集成伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

    2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

    1200V三相全橋碳化硅功率模塊,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V,工作頻率可達(dá)30kHz,輸出功率可達(dá)300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢(shì),性價(jià)比超國(guó)外產(chǎn)品,適用于電動(dòng)汽車、
    的頭像 發(fā)表于 09-18 17:18 ?895次閱讀
    2.5nH超低電感的<b class='flag-5'>1200V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>三相全橋模塊

    新品 | 采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器

    新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而開發(fā)的升級(jí)版逆變器和柵極驅(qū)動(dòng)器板。設(shè)計(jì)用于評(píng)估采用
    的頭像 發(fā)表于 09-05 08:03 ?613次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用第二代<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b>的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器

    1200V GaN又有新玩家入場(chǎng),已進(jìn)入量產(chǎn)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近,又有國(guó)內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日,宇騰科技在社交平臺(tái)上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基GaN功率器件工作電壓達(dá)到1200V,已進(jìn)入
    的頭像 發(fā)表于 07-31 01:06 ?4306次閱讀

    電子發(fā)燒友

    中國(guó)電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會(huì)員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個(gè)性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動(dòng)獲取豐厚的禮品