0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-05-31 16:51 ? 次閱讀

/ 引言 /

英飛凌TRENCHSTOP IGBT7系列單管具有兩種電壓等級(650V&1200V)和三個(gè)系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機(jī)等應(yīng)用進(jìn)行了專門的優(yōu)化,并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和豐富的產(chǎn)品系列,H7單管正在成為光伏和儲能應(yīng)用的新星。

產(chǎn)品特點(diǎn)

按照應(yīng)用需求去定義產(chǎn)品,去掉短路能力從而獲得更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,如圖1所示。完美適配于不需要短路能力的光儲等應(yīng)用。

1200V H7系列有四種封裝,電流規(guī)格覆蓋40A-140A。其中140A的電流規(guī)格為市場首發(fā),如圖2所示。而英飛凌上一代1200V 高速單管HIGHSPEED3 H3的最大電流規(guī)格僅為75A。

1200V H7全系列配置全電流規(guī)格的EC7 Rapid二極管,適配整流工況。

更強(qiáng)的防潮和抗宇宙射線能力。

a09e8618-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖1 英飛凌不同1200V單管的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗對比

產(chǎn)品系列

a0c47882-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖2 1200V H7單管產(chǎn)品系列

標(biāo)注:TO247-4pin assymetric為開爾文引腳、柵極引腳變細(xì)的TO247-4封裝,有助于避免連錫、加強(qiáng)絕緣性能。

TRENCHSTOP IGBT7 H7

與HIGHSPEED H3對比

1200V HIGHSPEED3 H3 IGBT針對高頻應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,具有很短的拖尾電流和很小的關(guān)斷損耗;因?yàn)椴捎昧薚RENCHSTOP技術(shù),其導(dǎo)通損耗也很低。因此,H3單管廣泛應(yīng)用于光伏、儲能、UPS等領(lǐng)域。而1200V H7單管更近一步,表現(xiàn)出更優(yōu)越的性能。

下圖為IKW40N120H3和IKW40N120CH7的在相同條件下的雙脈沖測試結(jié)果:

測試電壓:600V

測試電流:20A

測試溫度:室溫25°C

柵極電阻:10Ω

a0efb808-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖3 H3開通波形 @600V,20A,25°C

a111c59c-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖4 H7開通波形 @600V,20A,25°C

a14db778-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖5 H3關(guān)斷波形 @600V,20A,25°C

a17acdc6-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖6 H7關(guān)斷波形 @600V,20A,25°

左右滑動(dòng)查看更多

分析雙脈沖結(jié)果可見,H7系列單管具有更快的開關(guān)速度,而且其開通損耗比H3降低22.4%,關(guān)斷損耗降低了34.5%,且具有更短的拖尾電流。另外,規(guī)格書顯示,IKW40N120H7的Vce(sat)比IKW40N120CH3低25.9%。

由雙脈沖結(jié)果可知,1200V H7單管適用于光儲中的Boost、T型三電平、DCDC等高開關(guān)頻率拓?fù)?。下面以T型三電平為例,通過PLECS軟件和英飛凌官網(wǎng)提供的PLECS模型進(jìn)行仿真

a1af92c2-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖7 仿真拓?fù)洌篢型三電平

a1cf92a2-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

工況:20kW、10%過載、Vout=380V、PF=1、fsw=18kHz、風(fēng)冷

在相同工況下,H7單管的導(dǎo)通損耗略低于H3,開關(guān)損耗降低接近一半,較低的總損耗會使得散熱器的溫度降低。但H7芯片的面積比H3小,導(dǎo)致的較大熱阻不利于結(jié)溫的降低,盡管如此,H7單管的結(jié)溫仍然比H3單管低13.8°C。也就是說,可以用H7單管代替之前設(shè)計(jì)中的同電流規(guī)格H3單管,并獲得更高的結(jié)溫裕量。

隨著1200V H7單管電流規(guī)格的增大,其芯片面積增大,熱阻降低,帶來更好的性能。下面使用75A規(guī)格的IKQ75N120CH7與100A規(guī)格的IKQ100N120CH7分別應(yīng)用于30kW和40kW的T型三電平拓?fù)溥M(jìn)行仿真。

a1ff812e-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

工況:30kW、10%過載、380V輸出、PF=1、fsw=18kHz、風(fēng)冷

a236ad0c-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

工況:40kW、10%過載、Vout=380V輸出、PF=1、fsw=16kHz、風(fēng)冷

可見,可以通過單顆大電流單管進(jìn)行更高功率逆變器的設(shè)計(jì),但是需要合理的散熱來解決單顆TO247PLUS封裝上高達(dá)80W的功耗。值得一提的是:對大電流的單管,降低其Rth(c-h)將獲得更大的收益。因?yàn)榇箅娏鲉喂艿腞th(c-h)占有更大比例。

1200V H7單管在光伏和儲能系統(tǒng)中的應(yīng)用

1200V H7系列單管完美適用于T型三電平的豎管。通常情況下,T型三電平的直流母線在700-850V之間,豎管需要選用1200V耐壓的IGBT;逆變器開關(guān)頻率通常較高,同時(shí)其工作原理決定了開關(guān)損耗占比較大,所以豎管需要具有低的開關(guān)損耗;光伏逆變器要求支持±0.8的功率因數(shù),儲能逆變器要求達(dá)到-1的功率因數(shù),1200V H7系列單管配置的全電流規(guī)格EC7 Rapid二極管可以處理這種整流工況。為了增大IGBT出電流能力,50A至140A的1200V H7單管提供TO247PLUS封裝,在裝載更大面積芯片的同時(shí)提供了比TO247封裝具有更大的散熱焊盤。

a25fb6fc-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖8 TO247-3 VS TO247PLUS-3

當(dāng)下,光伏逆變器降本壓力增大,越來越多的光伏逆變器企業(yè)開始嘗試100kW及以上逆變器的大電流單管并聯(lián)解決方案。目前,英飛凌1200V H7單管的100A、120A、140A規(guī)格是其豎管的最優(yōu)解決方案。通過仿真和熱測試的評估發(fā)現(xiàn),兩并聯(lián)或三并聯(lián)方案配合良好的散熱設(shè)計(jì),1200V H7系列單管可以輕松實(shí)現(xiàn)100kW+的逆變器。

值得一提的是,對TO247PLUS-4封裝的單管,由于開爾文射極的存在,驅(qū)動(dòng)回路電感減小,開關(guān)速度增快;同芯片技術(shù)、同電流規(guī)格時(shí),其開關(guān)損耗比TO247PLUS-3降低20%。這對光伏逆變器廠家沖擊更高功率規(guī)格的逆變器提供巨大幫助。但增快的開關(guān)速度會增大IGBT的關(guān)斷電壓尖峰,需要注意功率回路雜感的優(yōu)化。

總結(jié)

?英飛凌1200V TRENCHSTOP7 IGBT7 H7系列單管具有多種電流規(guī)格、豐富的封裝形式、極低的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗,是光儲應(yīng)用中的優(yōu)選型號。

?相較于英飛凌上一代1200V H3單管,H7單管具有更好的表現(xiàn),同電流規(guī)格的單管可以實(shí)現(xiàn)更大功率的機(jī)型。

?多顆大電流H7單管并聯(lián)可以實(shí)現(xiàn)100kW及以上逆變器。

?大電流單管應(yīng)用中降低Rth(c-h)會獲得更大收益。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電壓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    45

    文章

    5700

    瀏覽量

    117404
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1278

    文章

    4043

    瀏覽量

    253784
收藏 0人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

    新品儲能用1200V500ANPC2電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:08 ?257次閱讀
    新品 | 儲能用<b class='flag-5'>1200V</b> 500A NPC2 <b class='flag-5'>三</b><b class='flag-5'>電平</b><b class='flag-5'>IGBT</b> EasyPACK? 3B模塊

    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon
    的頭像 發(fā)表于 05-13 17:04 ?446次閱讀
    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,<b class='flag-5'>1200V</b>共發(fā)射極<b class='flag-5'>IGBT</b>模塊

    陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT

    陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT,產(chǎn)品型號為YGK40N120TMA1。
    的頭像 發(fā)表于 03-11 16:17 ?430次閱讀
    陸芯科技推出<b class='flag-5'>1200V</b>40A GEN3 <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>

    國產(chǎn)SiC MOSFETT電平拓?fù)?/b>的應(yīng)用分析

    的優(yōu)勢與SiC MOSFET適配性 電壓應(yīng)力降低 T電平拓?fù)?/b>,每個(gè)開關(guān)器件僅承受母線電壓的
    的頭像 發(fā)表于 02-24 22:30 ?337次閱讀
    國產(chǎn)SiC MOSFET<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>T</b><b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>三</b><b class='flag-5'>電平</b><b class='flag-5'>拓?fù)?/b><b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用<b class='flag-5'>分析</b>

    英飛凌IGBT7系列芯片大解析

    ,英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽(micropatterntrench)技術(shù),溝道密度更高,元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì),并且
    的頭像 發(fā)表于 01-15 18:05 ?1025次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>IGBT7</b>系列芯片大解析

    芯達(dá)茂國產(chǎn)IGBT模塊,國產(chǎn)IBGT 全系列型號

    深圳市佛科技有限公司介紹芯達(dá)茂國產(chǎn)IGBT模塊,國產(chǎn)IBGT 提供樣品,技術(shù)支持。 國產(chǎn)IBGT+FRD
    發(fā)表于 12-19 15:03

    新品速遞 英飛凌、ST等新品速覽

    涵蓋工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和工具的芯片應(yīng)用、電動(dòng)汽車( EV )車載充電器和電機(jī)芯片應(yīng)用、發(fā)電和儲能系統(tǒng)芯片應(yīng)用等。 01 | 英飛凌:可實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率應(yīng)用的IGBT芯片 英飛凌近期發(fā)布Easy2B Easy3B 1200V IGBT7
    的頭像 發(fā)表于 12-09 11:36 ?644次閱讀
    新品速遞 英飛凌、ST等新品速覽

    菱電機(jī)1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

    1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹菱電機(jī)1200V
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?1702次閱讀
    <b class='flag-5'>三</b>菱電機(jī)<b class='flag-5'>1200V</b>級SiC MOSFET技術(shù)解析

    新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T電平模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品

    新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T電平模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOP
    的頭像 發(fā)表于 12-04 01:04 ?999次閱讀
    新品 | Easy2B Easy3B <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT7</b> <b class='flag-5'>H7</b>高速芯片的<b class='flag-5'>T</b><b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>三</b><b class='flag-5'>電平</b>模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品

    英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM

    性能CIPOS Maxi轉(zhuǎn)模封裝IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二極Emcon
    的頭像 發(fā)表于 11-22 14:28 ?693次閱讀
    英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A <b class='flag-5'>1200V</b> IPM

    深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

    采用這些技術(shù)并擴(kuò)大芯片面積,第8代1200V IGBT功率模塊相同的菱電機(jī)LV100封裝實(shí)現(xiàn)了1800A的額定電流,是傳統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:59 ?1704次閱讀
    深度了解第8代1800A/<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>功率模塊

    新品 | D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP?的IGBT7系列

    新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOPIGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOPIGBT7系列,是采用額定電壓為1
    的頭像 發(fā)表于 11-14 01:03 ?699次閱讀
    新品 | D2PAK和DPAK封裝的<b class='flag-5'>TRENCHSTOP</b>?的<b class='flag-5'>IGBT7</b>系列

    新品 | 采用IGBT7的CIPOS? Maxi 10-20A 1200V IPM

    新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉(zhuǎn)模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRENCHSTOPIGBT7和快速二
    的頭像 發(fā)表于 10-09 08:04 ?667次閱讀
    新品 | 采用<b class='flag-5'>IGBT7</b>的CIPOS? Maxi 10-20A <b class='flag-5'>1200V</b> IPM

    英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊,適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

    ,進(jìn)一步擴(kuò)展了其第七代TRENCHSTOP? IGBT7產(chǎn)品系列。新型IM12BxxxC1 系列基于最新的TRENCHSTOP IGBT7 1200
    發(fā)表于 08-12 16:35 ?748次閱讀
    英飛凌推出高<b class='flag-5'>性能</b> CIPOS? Maxi 智能功率模塊,適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

    1200V GaN又有新玩家入場,已進(jìn)入量產(chǎn)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近,又有國內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日,宇騰科技社交平臺上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基GaN功率器件工作電壓達(dá)到1200V
    的頭像 發(fā)表于 07-31 01:06 ?4298次閱讀

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個(gè)性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動(dòng)獲取豐厚的禮品