士蘭微電子推出高性能汽車驅(qū)動(dòng)模塊—600A/1200V IGBT模塊

隨著人們對(duì)環(huán)保意識(shí)的提高和汽車駕駛體驗(yàn)感的不斷追求，新能源汽車的市場(chǎng)需求逐漸增大，已然成為汽車發(fā)展的大趨勢(shì)，但是新能源汽車充電時(shí)間長(zhǎng)、續(xù)航里程短等問題仍然是汽車廠商和車主們的痛點(diǎn)。因此，需要更好的汽車驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。

針對(duì)這一需求，士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅(qū)動(dòng)模塊——600A/1200V IGBT模塊（B3模塊）, 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動(dòng)力，為用戶帶來更高的效率和更好的體驗(yàn)。

該模塊產(chǎn)品阻斷電壓可以達(dá)到1200V，可以滿足800V平臺(tái)新能源汽車快速充電的需求，在5C倍率的充電速度下，可以實(shí)現(xiàn)5min充電0-80%。同時(shí)，該模塊峰值工況下支持850V電壓，輸出電流350-400Arms，輸出動(dòng)能強(qiáng)，汽車加速快，這對(duì)于追求速度與激情的消費(fèi)者來說是極其重要的。

士蘭微電子基于自主研發(fā)的精細(xì)溝槽 FS-V 技術(shù)開發(fā)的這款六單元拓?fù)淠K，可以為車輛提供高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級(jí)特性，從而為嚴(yán)苛的環(huán)境條件下的逆變器運(yùn)行提供更可靠的保障。

與傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)模塊相比，士蘭600A/1200V IGBT模塊的電流密度更高，可以將更多的功率輸出到驅(qū)動(dòng)軸，提高車輛的加速性能和行駛距離。此外，該模塊還具有高短路能力和高阻斷電壓等級(jí)，可以保護(hù)逆變器免受突發(fā)電流和電壓的損害，從而延長(zhǎng)逆變器的壽命。

該模塊IGBT芯片采用士蘭最新一代的場(chǎng)截止5代（Field-Stop V）技術(shù)和最先進(jìn)的精細(xì)溝槽技術(shù)，較之前常規(guī)IGBT工藝具有更窄的臺(tái)面寬度，用于降低飽和壓降，提高器件的功率密度，縮小芯片的尺寸；且硅厚度只有110um，可以使得器件-40度下耐壓大于1200V，大大降低了器件的飽和壓降和關(guān)斷損耗；其低 VCE(sat)特性使該模塊具備正溫度系數(shù)，具有較低的靜態(tài)損耗，以及低開關(guān)損耗，可以增大模塊的輸出能力，提高整個(gè)電控系統(tǒng)的效率；采用導(dǎo)熱性優(yōu)良的DBC，進(jìn)一步降低模塊熱阻，提高輸出能力。

產(chǎn)品驗(yàn)證數(shù)據(jù)顯示，該模塊的規(guī)格和同封裝下的輸出能力已經(jīng)超過了同類競(jìng)品，達(dá)到了世界一流水平。這也意味著，士蘭600A/1200V IGBT模塊是一款創(chuàng)新產(chǎn)品，它可以為混動(dòng)和純電動(dòng)汽車等應(yīng)用帶來更高的燃油效率和更快的充電速度，進(jìn)而改善車輛的性能和駕駛體驗(yàn)。

二十多年來，士蘭微電子堅(jiān)持走“設(shè)計(jì)制造一體化”道路，打通了“芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封裝”全產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)了“從5吋到12吋”的跨越，為汽車客戶與零部件供應(yīng)商提供一站式的服務(wù)。

士蘭微電子應(yīng)用于汽車電子的產(chǎn)品不僅涵蓋了主驅(qū)、車載充電機(jī)、車身電子、底盤電子和智能座艙等功率器件，還包括驅(qū)動(dòng)IC、電源IC、電機(jī)IC和MCU等系列產(chǎn)品，可以為客戶提供更可靠、更具性價(jià)比、更高性能的產(chǎn)品和解決方案。在穩(wěn)產(chǎn)保供的大方針下，全力以赴促進(jìn)客戶和行業(yè)的共同發(fā)展。
責(zé)任編輯：彭菁