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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>羅姆半導(dǎo)體“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn),開關(guān)損耗降低85%

羅姆半導(dǎo)體“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn),開關(guān)損耗降低85%

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2023-10-11 09:35:49686

納米軟件半導(dǎo)體測試廠家助力半導(dǎo)體分立器件動態(tài)參數(shù)測試

半導(dǎo)體動態(tài)測試參數(shù)是指在交流條件下對器件進行測試,是確保半導(dǎo)體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據(jù)。動態(tài)測試參數(shù)主要有開關(guān)時間、開關(guān)損耗、反向恢復(fù)電流、開關(guān)電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38278

【轉(zhuǎn)帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢及其在Boost PFC中的應(yīng)用

的EMI;具有正溫度系數(shù)的導(dǎo)通電壓,有利于器件并聯(lián)使用過程中的均流,提高并聯(lián)使用的可靠性。通過在產(chǎn)品設(shè)計中合理選擇SiC SBD,可以提高產(chǎn)品性能,降低產(chǎn)品的綜合成本。 作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè)
2023-10-07 10:12:26

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢

本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢,以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗,開關(guān)損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成電路
2023-09-21 17:09:32316

ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14351

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347

意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計,為沃爾沃下一代電動汽車賦能

? 點擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國” , 關(guān)注我們 ???????? ?? 意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅 ( SiC功率MOSFET,支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現(xiàn)
2023-09-07 08:10:01407

面向新能源應(yīng)用的寬帶隙新材料和功率模塊解決方案

更高的性能 & 電壓運行? 極低的功率損耗? 低電流下的高效率? 固有SiC 體二極管(4象限運轉(zhuǎn))更高的工作頻率? 更低的開關(guān)損耗? 出色的二極管開關(guān)性能更高的工作溫度? 可在高達 200°C 的結(jié)溫下工作
2023-09-07 06:49:53

東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝

點擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---
2023-09-04 15:13:401134

功率半導(dǎo)體器件 氧化鎵市場正在穩(wěn)步擴大

調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件,市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:24364

STI將于2026年在釜山建立功率半導(dǎo)體材料工廠

,該組件是電動汽車的關(guān)鍵組件。 碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體應(yīng)用于控制電動汽車 (EV)、電子產(chǎn)品和5G通信網(wǎng)絡(luò)中的電流和功率轉(zhuǎn)換方向。由于其耐用性和穩(wěn)定性,SiC功率半導(dǎo)體正在迅速取代硅 (Si) 功率半導(dǎo)體。 在一份聲明中釜山市表示,該工廠將用于生產(chǎn)晶圓等功率半導(dǎo)體材料
2023-08-30 15:46:01372

車規(guī)級!碳化硅(SiC)MOSFET,正式開啟量產(chǎn)交付

據(jù)介紹,瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動電壓(Vgs)為15-18V,可提升應(yīng)用兼容性,簡化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET,但進一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計,使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%,并顯著降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。
2023-08-23 12:48:23368

一文看懂SiC功率器件

一、什么是SiC半導(dǎo)體?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144

SiC功率半導(dǎo)體市場,如何才能成為頭部玩家?

功率電子領(lǐng)域,要論如今炙手可熱的器件,SiC要說是第二,就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限,由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能,已經(jīng)是大勢所趨。 與傳統(tǒng)
2023-08-16 08:10:05270

碳化硅(SiC)火爆!上半年SiC車型銷量超120萬輛,本土SiC企業(yè)上車哪家強?

本土企業(yè)開始嶄露頭角,而日本車企偏向于選擇日本供應(yīng)商。 相比IGBT,SiC功率器件具有更高開關(guān)速度、更低開關(guān)損耗、更高效率和耐用性等特點,轉(zhuǎn)化為汽車最直觀的體驗就是續(xù)航能力更長,更易于輕量化車身設(shè)計。特斯拉率先將SiC用于其爆款車型Model 3上,其也成
2023-08-11 17:07:36465

功率半導(dǎo)體的知識總結(jié)(MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件)

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043

MOS管的開關(guān)損耗計算

MOS 管的開關(guān)損耗對MOS 管的選型和熱評估有著重要的作用,尤其是在高頻電路中,比如開關(guān)電源,逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001215

MOS管的開關(guān)損耗計算

CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:224661

TMC2023-車規(guī)級功率半導(dǎo)體論壇劇透丨SiC在NEV中的創(chuàng)新型應(yīng)用

,電驅(qū)動系統(tǒng)引入SiC模塊如何進一步降低雜散電感,功率器件與模塊可靠性如何提升等。以上話題將在SiC在NEV中的創(chuàng)新型應(yīng)用版塊一一研討。 ? 第十五屆汽車動力系統(tǒng)技術(shù)年會(TMC2023)暨第二屆車規(guī)級功率半導(dǎo)體及應(yīng)用技術(shù)論壇 將于7月13-14日在青島重磅推
2023-06-27 16:06:52586

中國車企下決“芯” 功率半導(dǎo)體全布局

無獨有偶,在車規(guī)級功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局的車企不止吉利一家。近日,深藍汽車與斯達半導(dǎo)體達成合作,雙方組建了一家名為 " 重慶安達半導(dǎo)體有限公司 " 的全新合資公司,雙方將圍繞車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊開展合作,共同推進下一代功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-06-25 16:47:45556

科友半導(dǎo)體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月,科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產(chǎn),打破了國際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49

高效率功率變換成為開關(guān)電源的主要選擇

開關(guān)損耗一直困惑著開關(guān)電源設(shè)計者,由于功率半導(dǎo)體器件在開關(guān)過程中,器件上同時存在電流、電壓,因而不可避免地存在開關(guān)損耗,如果開關(guān)電源中開關(guān)管和輸出整流二極管能實現(xiàn)零電壓開關(guān)或零電流開關(guān),則其效率可以明顯提高。
2023-06-24 11:02:00227

影響電源效率提升的主要損耗

效率一直以來都是電源領(lǐng)域的研究重點,尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如,適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來,第三代GaN半導(dǎo)體的廣泛應(yīng)用,以及功率開關(guān)頻率的提高,使得
2023-06-23 09:47:00609

半橋GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計

升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21

IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用

IGBT技術(shù)在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創(chuàng)新。新一代IGBT產(chǎn)品在提高開關(guān)速度、降低開關(guān)損耗、增強耐壓能力等方面取得了顯著進展,提高了系統(tǒng)效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42

GaNFast功率半導(dǎo)體建模資料

GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27

三菱電機開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊樣品

三菱電機集團近日(2023年6月13日)宣布,將于6月14日開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊的樣品。該模塊降低了內(nèi)部電感,并集成了第二代SiC芯片,有望幫助實現(xiàn)更高效、更小型、更輕量的工業(yè)設(shè)備。
2023-06-15 11:16:28748

一文詳解功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體器件或模塊是電機控制器的心臟。電機控制器、電機和減速器一起組 成電動汽車的電力驅(qū)動總成。
2023-06-09 16:48:232758

AEC-Q101|SiC功率器件高溫反偏

SiC(碳化硅)功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性,能有效實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求,受到了新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的追捧。
2023-06-09 15:20:53499

導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢壘二極管,以降低開關(guān)損耗和恢復(fù)損耗,搭配 PFC 和 LLC 二合一數(shù)字控制器,在重負(fù)載和輕負(fù)載條件下均有優(yōu)異的效率表現(xiàn),并且擁有全面的保護功能,包含過壓保護、過流保護、開環(huán)保護等
2023-06-02 16:03:57214

盡可能地降低 SiC FET 的電磁干擾和開關(guān)損耗

Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商,它的加入促使
2023-05-29 21:05:02291

瞻芯電子SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)提供一站式芯片解決方案

功率半導(dǎo)體和芯片公司,瞻芯電子將攜最新碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體、芯片產(chǎn)品和解決方案參展,在N5館儲能技術(shù)及裝備、逆變器、電源國際品牌館亮相,并期待與您共同探討未來的綠色能源發(fā)展之路。 ? 瞻芯電子致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件和模塊、柵極驅(qū)動芯片、控制芯片產(chǎn)品
2023-05-25 14:59:221125

又一大廠入局!預(yù)計2025年量產(chǎn)SiC功率器件

據(jù)悉,瑞薩電子將用于處理系統(tǒng)的尖端邏輯半導(dǎo)體的生產(chǎn)外包給代工廠,這些系統(tǒng)的開發(fā)和投資成本很高。功率半導(dǎo)體則在內(nèi)部生產(chǎn),2014年關(guān)閉的甲府工廠也將于2024年上半年重新開始運營,開始生產(chǎn)使用硅的功率半導(dǎo)體。
2023-05-24 17:06:241050

中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場合”

經(jīng)過 30 多年的碳化硅(SiC)研發(fā),我們目前的產(chǎn)品組合中包含各種 SiC 肖特基二極管、MOSFET 和功率模塊,涵蓋了廣泛的功率要求。相較于硅(Si)晶體管,出色的載流能力和更低的開關(guān)損耗
2023-05-20 16:12:01833

為什么礦機電源對效率和可靠性要求越來越高

作為半導(dǎo)體材料,SiC具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢,這便給SiC器件帶來了諸多特征參數(shù)方面的提升,比如更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,更高的耐壓容量,更高的工作頻率,更高的工作溫度,更高的功率密度等等,而這些都是提升礦機電源功率以及電能轉(zhuǎn)化效率的好辦法。
2023-05-19 10:43:22920

特瑞仕開始提供功率半導(dǎo)體SiC肖特基勢壘二極管850V/10A樣品

特瑞仕半導(dǎo)體是專注于電源IC的模擬CMOS專業(yè)集團,Phenitec Semiconductor是特瑞仕半導(dǎo)體的子公司,此產(chǎn)品是由Phenitec Semiconductor開發(fā)的SiC SBD芯片搭載于多功能TO-220AC封裝投放市場。
2023-05-16 11:32:28190

安森美上車“極氪”,半導(dǎo)體大廠積極布局車用SiC市場

半導(dǎo)體廠Onsemi于今年四月底宣布與中國吉利汽車集團旗下的極氪汽車簽署SiC功率元件LTSA(Long-Term Supply Agreement),極氪車款未來將藉由搭載Onsemi提供
2023-05-16 08:42:16250

碳化硅功率器件測試

碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國
2023-05-15 10:04:53804

功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進展

功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過 60 余年發(fā)展,器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限,因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視,尤其是以碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導(dǎo)體材料為大功率半導(dǎo)體技術(shù)及器件帶來了新的發(fā)展機遇。
2023-05-09 14:27:552715

第三代半導(dǎo)體SIC產(chǎn)業(yè)鏈研究(下)

半導(dǎo)體SiC
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-25 17:57:10

第三代半導(dǎo)體SIC產(chǎn)業(yè)鏈研究(上)

半導(dǎo)體SiC
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-25 17:50:53

淺談降低MOSFET損耗和及EMI性能提高

MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:021248

國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長

技術(shù)及工藝的先進性,還較大程度上依賴進口,未來進口替代空間較大。從中長期看,國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測,到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18

「芝·解車」蔚來汽車SiC電驅(qū)動系統(tǒng)拆解

電機控制器整體重量低于7.5kg,厚度76mm,功率密度為34kW/kg,SiC用在車用逆變器上,可以使開關(guān)損耗降低75%(芯片溫度為150°C)。在相同封裝下,全SiC模塊具備更高的電流輸出能力,支持逆變器達到更高功率。
2023-03-30 09:39:251229

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13

MOSFET開關(guān)損耗的計算方法

MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時將會導(dǎo)致一些不可避免的損耗,這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:555700

第三代半導(dǎo)體SiC模塊廠商中科意創(chuàng)完成數(shù)千萬元A+輪融資

,芯片支撐系統(tǒng)”模式布局第三代半導(dǎo)體 SiC 功率模塊以及系統(tǒng)應(yīng)用,基于STPAK 封裝的SiC 模塊取得了非常不錯的市場成績。而且中科意創(chuàng)成功研發(fā)了國內(nèi)首臺ASIL-D最高功能安全等級的SiC電機控制器,并獲得了國內(nèi)首張ASIL-D產(chǎn)品認(rèn)證證書。 對
2023-03-24 18:24:394106

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