德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開(kāi)發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國(guó)舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
1711 大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:347768 
科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM?MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)
2022-03-31 18:10:574794 
等大功率領(lǐng)域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，對(duì)功率器件的可靠性要求很高，為此，針對(duì)自主研制的3300V SiC MOSFET 開(kāi)展柵氧可靠性研究。首先，按照常規(guī)的評(píng)估技術(shù)對(duì)其進(jìn)行了高溫
2024-01-04 09:41:54599 
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
CIPOS Maxi IPM集成了改進(jìn)的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)CoolSiC? MOSFET，以提高系統(tǒng)可靠性，優(yōu)化PCB尺寸和系統(tǒng)成本。
2020-12-11 17:01:08971 3G核心網(wǎng)網(wǎng)元是什么？為什么要提高3G核心網(wǎng)高的可靠性設(shè)計(jì)？3G核心網(wǎng)高可靠性設(shè)計(jì)方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
高等特點(diǎn)，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET在開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，實(shí)現(xiàn)了傳統(tǒng)型半導(dǎo)體（Si）實(shí)現(xiàn)不了的低損耗，包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級(jí)成本
2020-09-24 16:23:17
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
問(wèn)題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類(lèi)問(wèn)題）ROHM通過(guò)開(kāi)發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
，即非本征缺陷時(shí)才有效。與Si MOSFET相比，現(xiàn)階段SiC MOSFET柵極氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。電篩選降低了可靠性風(fēng)險(xiǎn)與沒(méi)有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出現(xiàn)故障。無(wú)缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問(wèn)題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類(lèi)型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
MOSFET狀態(tài)表明了主要商業(yè)障礙的解決方案，包括價(jià)格，可靠性，堅(jiān)固性和供應(yīng)商的多樣化。盡管價(jià)格優(yōu)于Si IGBT，但由于成本抵消了系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)，SiC MOSFET已經(jīng)取得了成功。隨著材料成本的下降，這項(xiàng)技術(shù)
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類(lèi)似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
。本篇到此結(jié)束。關(guān)于SiC-MOSFET，將會(huì)借其他機(jī)會(huì)再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHM針對(duì)SiC-SBD的可靠性，面向標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體元器件，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)與評(píng)估。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無(wú)源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開(kāi)關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
率為一個(gè)平穩(wěn)值，意味著產(chǎn)品進(jìn)入了一個(gè)穩(wěn)定的使用期。耗損失效期的失效率為遞增形式，即產(chǎn)品進(jìn)入老年期，失效率呈遞增狀態(tài)，產(chǎn)品需要更新。提高可靠性的措施可以是：對(duì)元器件進(jìn)行篩選;對(duì)元器件降額使用，使用容錯(cuò)法
2015-08-04 11:04:27
，給社會(huì)生產(chǎn)生活帶來(lái)巨大的損失?！ ‰姀S提高DCS控制系統(tǒng)可靠性的措施 在dcs系統(tǒng)中，采用了許多提高可靠性的技術(shù)措施。這些技術(shù)措施是建立在以下四種基本思想上的： ?、偈?b class="flag-6" style="color: red">系統(tǒng)本身不易發(fā)生故障，即所謂
2018-12-03 11:05:31
量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使每個(gè)部件都成為最簡(jiǎn)設(shè)計(jì)。當(dāng)今世界流行的模塊化設(shè)計(jì)方法是提高設(shè)備可靠性的有效措施。塊功能相對(duì)單一，系統(tǒng)由模塊組成，可以減少設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，將設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化。國(guó)內(nèi)外大量
2018-09-21 14:49:10
、性能指標(biāo)的前提下，應(yīng)盡量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使每個(gè)部件都成為最簡(jiǎn)設(shè)計(jì)。當(dāng)今世界流行的模塊化設(shè)計(jì)方法是提高設(shè)備可靠性的有效措施。塊功能相對(duì)單一，系統(tǒng)由模塊組成，可以減少設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，將設(shè)
2014-10-20 15:09:29
的前提下，應(yīng)盡量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使每個(gè)部件都成為最簡(jiǎn)設(shè)計(jì)。當(dāng)今世界流行的模塊化設(shè)計(jì)方法是提高設(shè)備可靠性的有效措施。塊功能相對(duì)單一，系統(tǒng)由模塊組成，可以減少設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，將設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化
2018-11-23 16:50:48
，應(yīng)盡量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使每個(gè)部件都成為最簡(jiǎn)設(shè)計(jì)。當(dāng)今世界流行的模塊化設(shè)計(jì)方法是提高設(shè)備可靠性的有效措施。塊功能相對(duì)單一，系統(tǒng)由模塊組成，可以減少設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，將設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化
2023-11-22 06:29:05
為提高單片機(jī)本身的可靠性。近年來(lái)單片機(jī)的制造商在單片機(jī)設(shè)計(jì)上采取了一系列措施以期提高可靠性。這些技術(shù)主要體現(xiàn)在以下幾方面： 1.降低外時(shí)鐘頻率 外時(shí)鐘是高頻的噪聲源，除能引起對(duì)本應(yīng)用系統(tǒng)
2020-07-16 11:07:49
描述此參考設(shè)計(jì)介紹高可靠性應(yīng)用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯(cuò)碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器接口的系統(tǒng)注意事項(xiàng)。其中
2018-10-22 10:20:57
一般采用采用分布式供電系統(tǒng)，以滿(mǎn)足高可靠性設(shè)備的要求。 因?yàn)樵骷苯記Q定了電源的可靠性，所以元器件的選用是尤為重要。元器件的失效主要集中在以下四點(diǎn)：制造質(zhì)量問(wèn)題、器件可靠性的問(wèn)題、設(shè)計(jì)問(wèn)題、損耗問(wèn)題。在
2018-10-09 14:11:30
和恢復(fù)特性，還成功將VF降低至約0.15V，達(dá)到當(dāng)時(shí)業(yè)界最小的VF 1.35。VF降低有助于降低設(shè)備的傳導(dǎo)損耗。第三代SiC-SBD為提高抗浪涌電流性能并改善漏電流IR，采用了JBS（Junction
2018-12-03 15:11:25
散熱器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等貼片封裝，從而大幅簡(jiǎn)化熱管理。 因此，可以提高開(kāi)關(guān)電源的功率密度，同時(shí)降低系統(tǒng)成本。 繼去年發(fā)布展示有巨大優(yōu)勢(shì)的全新30V硅技術(shù)產(chǎn)品之后
2018-12-06 09:46:29
所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測(cè)脈沖
2018-11-29 11:38:26
規(guī)范的清潔度要求好處提高PCB清潔度就能提高可靠性。不這樣做的風(fēng)險(xiǎn)線路板上的殘?jiān)?、焊料積聚會(huì)給防焊層帶來(lái)風(fēng)險(xiǎn)，離子殘?jiān)鼤?huì)導(dǎo)致焊接表面腐蝕及污染風(fēng)險(xiǎn)，從而可能導(dǎo)致可靠性問(wèn)題（不良焊點(diǎn)/電氣故障），并最終
2016-02-20 14:25:46
高可靠性的線路板具有什么特點(diǎn)？
2021-04-25 08:16:53
。所有這些應(yīng)用都需要具備更高功率密度的先進(jìn)半導(dǎo)體系統(tǒng)。此類(lèi)功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、堅(jiān)固性和長(zhǎng)使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊振動(dòng)條件下的堅(jiān)固性和可靠性不僅是牽引應(yīng)用關(guān)注的焦點(diǎn)，同時(shí)也
2018-12-03 13:49:12
開(kāi)來(lái)，并應(yīng)用于電纜以將電線與電纜所穿過(guò)的環(huán)境隔離開(kāi)來(lái)。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導(dǎo)通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
采用IR51H420構(gòu)成的高可靠性節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器電路圖
2019-10-31 09:10:48
秋”將全力以赴地持續(xù)提高可靠性，一如既往地積極捍衛(wèi)國(guó)家市場(chǎng)形象，不遺余力地為“中國(guó)制造”代言，竭盡全力助推中國(guó)從“制造大國(guó)”邁向“制造強(qiáng)國(guó)”！`
2020-07-09 11:54:01
作業(yè)的設(shè)備，即使可靠性提高1%，成本提高10%也是合算的。PCBA可靠性高，則維修費(fèi)、停機(jī)損失可大幅減少，資產(chǎn)及生命安全更有保障！當(dāng)今，放眼全球，國(guó)家與國(guó)家的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)演變成企業(yè)與企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，可靠性
2020-07-03 11:09:11
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
，發(fā)現(xiàn)提高可靠性水平可大大幅減少電子設(shè)備的維修費(fèi)用；表面看來(lái)，高可靠性的前期生產(chǎn)、管控成本會(huì)較高，但是，后期的故障率更少，而且維護(hù)費(fèi)、停機(jī)損失會(huì)更低。為了幫助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益最大化，“華秋”更執(zhí)念于把
2020-07-08 17:10:00
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認(rèn)識(shí)到，SiC MOSFET 的輸出開(kāi)關(guān)電流變化率 (di/dt) 遠(yuǎn)高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時(shí)振蕩、電磁干擾以及輸出級(jí)損耗。高開(kāi)關(guān)速度還可能導(dǎo)致電壓過(guò)沖。滿(mǎn)足高電壓應(yīng)用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
標(biāo)記。GE公司分析，對(duì)能源、交通、礦山、通訊、工控、醫(yī)療等連續(xù)作業(yè)的設(shè)備，即使可靠性提高1%，成本提高10%也是合算的。PCBA可靠性高，則維修費(fèi)、停機(jī)損失可大幅減少，資產(chǎn)及生命安全更有保障！當(dāng)今
2020-07-03 11:18:02
一定的短路能力。下表是派恩杰半導(dǎo)體部分產(chǎn)品短路能力：表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量派恩杰半導(dǎo)體針對(duì)柵極的可靠性是嚴(yán)格按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行，在柵極分別加負(fù)壓和正壓（-4V
2022-03-29 10:58:06
電路板斷路。即便修復(fù)‘得當(dāng)’，在負(fù)荷條件下（振動(dòng)等）也會(huì)有發(fā)生故障的風(fēng)險(xiǎn)，從而可能在實(shí)際使用中發(fā)生故障。3、超越 IPC 規(guī)范的清潔度要求好處提高 PCB 清潔度就能提高可靠性。不這樣做的風(fēng)險(xiǎn)線路板上
2019-10-21 08:00:00
分享一款不錯(cuò)的高可靠性CAN-bus以太網(wǎng)冗余組網(wǎng)方案
2021-05-26 06:37:56
的可靠性防范措施。3．本質(zhì)可靠性與可靠性控制本質(zhì)可靠性是只考慮系統(tǒng)功能要求的軟、硬件可靠性設(shè)計(jì)，是可靠性設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。如采用 CMOS 電路代替 7rrL 電路提高噪聲容限，增加系統(tǒng)抗干擾能力：采用
2021-01-11 09:34:49
可靠性設(shè)計(jì)是單片機(jī)應(yīng)甩系統(tǒng)設(shè)計(jì)必不可少的設(shè)計(jì)內(nèi)容。本文從現(xiàn)代電子系統(tǒng)的可靠性出發(fā)，詳細(xì)論述了單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性特點(diǎn)。提出了芯片選擇、電源設(shè)計(jì)、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復(fù)等集合硬件系統(tǒng)
2021-02-05 07:57:48
，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">高可靠性電源系統(tǒng)的要求 在理想的世界里，高可靠性系統(tǒng)應(yīng)該設(shè)計(jì)為能夠避免單點(diǎn)失效，有辦法在保持運(yùn)行 (但也許是在降低的性能水平
2018-10-17 16:55:21
isoSPI 數(shù)據(jù)鏈路助力實(shí)現(xiàn)高可靠性車(chē)載電池系統(tǒng)
2019-09-02 14:23:53
汽車(chē)行業(yè)發(fā)展迅速，汽車(chē)的設(shè)計(jì)、制造和操控方式在發(fā)生著重大轉(zhuǎn)變。最值得注意的是，與半導(dǎo)體技術(shù)相關(guān)的安全性和可靠性在很大程度上影響著汽車(chē)的安全性。系統(tǒng)集成商面對(duì)的挑戰(zhàn)是構(gòu)建強(qiáng)大的平臺(tái)，并確保該平臺(tái)能夠在
2019-07-25 07:43:04
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿(mǎn)足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專(zhuān)門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類(lèi)電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
`請(qǐng)問(wèn)如何提高PCB設(shè)計(jì)焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
PMU的原理是什么？如何提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
碳化硅-MOSFET的電流源驅(qū)動(dòng) 對(duì)于1200V、帶VSD的100A分立IGBT，需要22Ω的柵極電阻，以將最大dv/dt限制為5V/ns。對(duì)于CSD，需要290mA的柵極電流設(shè)置（ROUTREF值
2023-02-21 16:36:47
目前，汽車(chē)中使用的復(fù)雜電子系統(tǒng)越來(lái)越多，而汽車(chē)系統(tǒng)的任何故障都會(huì)置乘客于險(xiǎn)境，這就要求設(shè)計(jì)出具有“高度可靠性”的系統(tǒng)。同時(shí)，由于FPGA能夠集成和實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的功能，因而系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員往往傾向于在這些系統(tǒng)中采用FPGA。
2019-09-27 07:45:33
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿(mǎn)足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專(zhuān)門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類(lèi)電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文擬從印制板下游用戶(hù)安裝后質(zhì)量、直接用戶(hù)調(diào)試質(zhì)量和產(chǎn)品使用質(zhì)量三方面研究印制板的可靠性，從而表征出印制板加工質(zhì)量的優(yōu)劣并提供生產(chǎn)高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
`請(qǐng)問(wèn)如何通過(guò)PCB設(shè)計(jì)提高焊接的可靠性？`
2020-03-30 16:02:37
如何采用功率集成模塊設(shè)計(jì)出高能效、高可靠性的太陽(yáng)能逆變器？
2021-06-17 06:22:27
、新技術(shù)、新材料對(duì)老產(chǎn)品、老結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，采取措施提高產(chǎn)品的固有可靠性。要提高射頻連接器的固有可靠性，必須遵循射頻連接器的基本設(shè)計(jì)原則和特點(diǎn)，在不降低它的電氣特性或者說(shuō)在保證其電氣特性不受影響的條件下
2019-07-10 08:04:30
關(guān)注有助于確保整個(gè)終端設(shè)備可靠性要求的裝置。集成電路在嵌入式系統(tǒng)的性能、尺寸和整體成本方面已經(jīng)實(shí)現(xiàn)重大突破，對(duì)各種存儲(chǔ)元件的依賴(lài)及使用小尺寸硅工藝技術(shù)可能產(chǎn)生的永久和瞬時(shí)誤差對(duì)可靠性產(chǎn)生了影響。 將眾多
2018-08-30 14:43:15
盡管許多嵌入式工程師充滿(mǎn)了希望和夢(mèng)想，但高可靠性的代碼不是一蹴而就的。它是一個(gè)艱苦的過(guò)程，需要開(kāi)發(fā)人員維護(hù)和管理系統(tǒng)的每個(gè)比特和字節(jié)。當(dāng)一個(gè)應(yīng)用程序被確認(rèn)為“成功”的那一刻，通常會(huì)有一種如釋重負(fù)
2019-09-29 08:10:15
。因此，硬件可靠性設(shè)計(jì)在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計(jì)，更要考慮整個(gè)控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)。
2021-01-25 07:13:16
無(wú)線電池管理系統(tǒng)突出了業(yè)界提高可靠性的動(dòng)力
2019-09-09 08:23:41
本文提出一種優(yōu)化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED顯示系統(tǒng)，只需要用1片F(xiàn)PGA和2片SRAM就可以實(shí)現(xiàn)大屏幕LED顯示的驅(qū)動(dòng)和內(nèi)容更換，可以說(shuō)其性能已經(jīng)大有改善。本設(shè)計(jì)可以應(yīng)對(duì)多種大屏幕顯示的場(chǎng)合。
2021-06-04 06:02:01
甲烷傳感器的特點(diǎn)甲烷傳感器的工作原理新型高可靠性甲烷傳感器的原理與設(shè)計(jì)
2021-04-09 06:41:47
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
用于高可靠性醫(yī)療應(yīng)用的混合信號(hào)解決方案
2019-09-16 06:34:54
迅速、真正提高的目的。因此，在同等期限內(nèi)，應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù)所獲得的可靠性要比傳統(tǒng)方法高得多，更為重要的是在短時(shí)間內(nèi)就可以獲得早期的高可靠性，而且不像傳統(tǒng)方法那樣，需要進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的可靠性增長(zhǎng)，因此也就大大
2019-11-08 07:38:43
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
頻率做得更高。作為傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中IGBT和Si-MOSFET的替代品，TO-247三線和四線封裝仍將占有一席之地。隨著技術(shù)的成熟，可靠性將得到越來(lái)越多的證明，隨著成品率的提高和片芯尺寸的縮小，成本有望降低
2023-02-27 14:28:47
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
、板薄、高頻、高速”的發(fā)展趨勢(shì)，對(duì)可靠性的要求會(huì)越來(lái)越高。高可靠性 PCB 可以發(fā)揮穩(wěn)健的載體作用，從而實(shí)現(xiàn) PCBA 的長(zhǎng)期、穩(wěn)定運(yùn)作，保證終端產(chǎn)品的安全性、穩(wěn)定性和使用壽命，提高經(jīng)濟(jì)效益。高可靠性
2022-05-09 14:30:15
PCB的外殼中。可以將組件安裝到靈活的解決方案上，而不是將組件安裝到剛性PCB上，它們將與外形合適的外殼相符。此外，可以用加固基板加固柔性PCB的部分，以提高可靠性。最后，柔性印制電路板可提供最輕
2023-04-21 15:52:50
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開(kāi)發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過(guò)采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
集成電路為高可靠性電源提供增強(qiáng)的保護(hù)和改進(jìn)的安全功能
2019-06-11 16:25:31
羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品（圖1）。特點(diǎn)是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導(dǎo)通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531592 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。它們?cè)趧?dòng)態(tài)損耗方面樹(shù)立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn)，此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498006 ）電機(jī)已成為許多勻速或變速的高可靠性中高檔系統(tǒng)的選擇。借助幾個(gè)霍爾效應(yīng)傳感器和一個(gè)控制器，BLDC 電機(jī)變得相對(duì)容易控制。如今，BLDC 電機(jī)系統(tǒng)已十分常見(jiàn)，但是，大多數(shù)系統(tǒng)仍使用傳感器來(lái)控制電機(jī)。為了降低 BLDC 系統(tǒng)的成本并提高可靠性，許
2017-09-15 08:53:08
15 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 ，瑞能半導(dǎo)體于2021年推出SiC MOSFET產(chǎn)品，不僅一如既往的追求高可靠性，同時(shí)也擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的高性能和競(jìng)爭(zhēng)力。
2022-02-18 16:44:103785 
值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16874 ROHM針對(duì)SiC上形成的柵極氧化膜，通過(guò)工藝開(kāi)發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
2022年11月，上海瞻芯電子開(kāi)發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為T(mén)O247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:332073 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
2023年10月，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開(kāi)關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng)，能夠滿(mǎn)足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26488 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告
2023-12-05 14:34:46211 
另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無(wú)疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36131
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