英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復(fù)的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應(yīng)用而設(shè)計。
2024-03-06 11:43:19282 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35331 碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實現(xiàn)更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 碳化硅二極管的優(yōu)點和局限性分析 碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導(dǎo)體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管具有許多優(yōu)點和局限性。下面是對碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:27408 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33455 
MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結(jié)MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
和IGBT的區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)差異： 碳化硅是一種化合物半導(dǎo)體材料，由碳原子和硅原子組成。它具有非常高的熔點和熱導(dǎo)性，使其在高溫和高功率應(yīng)用中具有出色的性能。碳化硅晶體管的結(jié)構(gòu)通常更復(fù)雜，由多個寄生二極管組成，因此其電子流動路徑更復(fù)
2023-12-08 11:35:531782 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10422 
三安光電目前擁有1200V系列碳化硅二極管（sic）和mosfet，可應(yīng)用于800v平臺。其中，碳化硅（sic）二極管產(chǎn)品經(jīng)過持續(xù)的反復(fù)作業(yè)，推出了第四代高性能產(chǎn)品，7種產(chǎn)品通過汽車規(guī)格認(rèn)證
2023-10-12 10:59:55617 ，有助于滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優(yōu)勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴(kuò)展了SBD的應(yīng)用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(SBD)。材料與結(jié)構(gòu)兩兩組合就形成了4種結(jié)果
2023-09-22 10:26:25205 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260 碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:02879 
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451805 
如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。
2023-09-05 10:56:05277 
在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia
2023-08-14 16:06:29540 
寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無法實現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢。
2023-08-04 11:04:17480 1200 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 Gen 6 系列高電壓、高性能 Z-Rec ?碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用無封裝裸芯片格式，可
2023-07-31 10:15:57
1200 V、20 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 10:13:58
電壓/高溫測試的 1200 V 碳化硅 (SiC) 二極管。E 系列二極管非常適合車載和非車載汽車充電器應(yīng)用以及太陽能逆變。 特征1200
2023-07-31 10:05:53
1200 V、15 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 10:03:33
1200 V、10 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 10:01:33
電壓/高溫測試的 1200 V 碳化硅 (SiC) 二極管。E 系列二極管非常適合車載和非車載汽車充電器應(yīng)用以及太陽能逆變。 特征1200 伏肖特基整流
2023-07-31 09:58:26
1200 V、8 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 09:52:20
1200 V、5 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 09:50:22
1200 V、2 A、第 4 代裸片 SiC 肖特基二極管利用 Wolfspeed 的 Gen 4 系列 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管降低系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求。這些二極管提供
2023-07-31 09:46:38
碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451092 ??1700V,25A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基
2023-07-27 10:22:00
1700V,10A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管
2023-07-27 10:19:54
1700V,5A,至247-2包件,第6代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管可以很
2023-07-27 10:17:56
1200V型,40A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 10:16:08
1200V,40A,至247-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D40120H是一個1200V離散碳化硅肖特基二極管(40A),其特點是MPS(合并PIN肖特基)設(shè)計,是更強(qiáng)大和可靠
2023-07-27 10:14:00
1200V型,30A型,至247-3型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:58:50
1200V型,30A型,至247-2型包,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D30120H是一個1200V離散碳化硅肖特基二極管(30A),其特點是MPS(合并PIN肖特基)設(shè)計,是更強(qiáng)
2023-07-27 09:46:22
1200V型,20A型,-263-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:44:25
1200V,20A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管
2023-07-27 09:40:47
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:34:59
1200V型,20A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:32:48
1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:30:31
1200V型,15A型,到220-2型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:14:59
1200V型,15A型,至247-3型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:11:43
1200V型,15A型,至247-2型包,第4代離散的SCHHOSTKY二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)
2023-07-27 09:09:11
1200V型,10A型,到220-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:49:42
1200V型,10A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-26 17:46:42
1200V型,10A型,到252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:43:35
1200V型,10A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:41:29
1200V,8A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:30:11
1200V,8A,到252-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅 建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格
2023-07-26 17:27:50
1200V,5A,到220-2包件,第4代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格,
2023-07-26 17:25:50
1200V型,5A型,至252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管與碳化硅建立一個強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價格.
2023-07-26 17:23:39
1200V,2A-220-2包件,第4代離散S肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:19:54
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:17:31
1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計,這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:15:10
600 V、20 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 10:50:38
600 V、16 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 10:46:45
600 V、10 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 10:39:12
600 V、10 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 10:29:01
600 V、8 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 10:24:29
600 V、8 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 10:21:52
600 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 10:17:04
600 V、6 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 10:14:55
600 V、6 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 10:12:16
600 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 10:09:36
600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 10:07:08
600 V、4 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 09:51:09
600 V、3 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-25 09:21:52
600 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-24 17:45:09
600 V、2 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-24 17:42:41
600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-24 17:37:00
600 V、2 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-24 17:32:22
600 V、1 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42
600 V、1 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比
2023-07-24 17:23:06
等特性，從而降低了能耗并縮小了系統(tǒng)尺寸。特別是在光伏、儲能、充電和電動汽車等高壓大功率應(yīng)用中，碳化硅材料的優(yōu)勢得以充分發(fā)揮。 納芯微全新推出1200V系列SiC二極管產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品專為光伏、儲能、充電等工業(yè)場景而設(shè)計。 其
2023-07-10 15:45:02324 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負(fù)載條件下
2023-07-05 16:00:20
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5
2023-07-05 15:50:06
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
2023-06-15 10:36:54205 
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34800 碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導(dǎo)體器件，具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動、逆變器、電動汽車等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:002089 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。
2023-05-25 10:39:07281 根據(jù)公司披露：上海瀚薪具備多年的車規(guī)級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903 
、高速數(shù)字電路、射頻電路等領(lǐng)域。相比于普通的 pn 結(jié)二極管，肖特基二極管的 pn 結(jié)由金屬與半導(dǎo)體材料直接接觸形成，而不是由摻雜半導(dǎo)體 。其工作原理為，當(dāng)肖特基二極管正向偏置時，電子從金屬側(cè)進(jìn)入半導(dǎo)體中
2023-05-23 14:47:57
了解電源中碳化硅 （SiC） MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比，作為一項相對較新的技術(shù)，可視化這些碳化硅組件的性能可以幫助設(shè)計人員更輕松地利用這項技術(shù)。
2023-05-20 17:02:261014 
碳化硅的RDS（ON）較低，因而開關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍?；?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277 
年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點
2023-05-05 17:00:1195 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復(fù)時間接近零的特點，使得在PFC電路（功率因數(shù)校正）上的MOSFET開通損耗減少，效率得到進(jìn)一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384 
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細(xì)節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:48
17
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論