IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實力,也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應(yīng)用而設(shè)計。
2024-03-06 11:43:19282 納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31 智能功率模塊 (IPM)。與市場上其他領(lǐng)先的解決方案相比, SPM31
2024-02-27 16:04:04458 第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31 智能功率模塊 (IPM)。與市場上其他領(lǐng)先的解決方案相比, SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高,因而總體
2024-02-27 15:42:11121 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 驅(qū)動器、逆變器和電動汽車等。 識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管可以通過以下步驟進(jìn)行: 1. 外形識別 IGBT晶體管通常有有特定的外觀特征,其封裝一般較大且多為模塊封裝。最常見的封裝類型有TO-220、TO-247、TO-3P等。在封裝上通常會標(biāo)有器件型號、廠商標(biāo)志或批次號等
2024-01-12 11:18:10350 本文介紹了針對電機(jī)驅(qū)動進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可控性。而二極管因為優(yōu)化了場截止設(shè)計,其振蕩發(fā)生
2024-01-09 14:24:50232 據(jù)悉,國聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標(biāo)性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品,部分型號產(chǎn)品已開始供應(yīng)市場。另一方面,針對比亞迪在內(nèi)的多方潛在客戶,該公司的電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品正在進(jìn)行進(jìn)一步洽談。
2023-12-12 10:41:48229 IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBT MODULE 1200V 5000W
2023-11-01 10:26:39
繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10422 各位大佬,請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試?
2023-10-23 10:19:00
隨著新能源汽車(NEV)的崛起,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已成為這一領(lǐng)域的核心元件。目前我國新能源汽車快速發(fā)展已經(jīng)使IGBT已成為我國最重要的應(yīng)用領(lǐng)域,占據(jù)約30%的市場份額。以特斯拉Model
2023-10-21 11:30:001085 2023年10月,凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異,開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動,能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26485 、電磁爐、工業(yè)電源、逆變焊機(jī)等領(lǐng)域;針對中大功率產(chǎn)品,芯能也能提供系統(tǒng)化解決方案:650V/450A和1200V/450A EconoDUAL智能IGBT功率模塊、34mm模塊、62mm模塊等產(chǎn)品均
2023-10-16 11:00:14
來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 Magnachip開始全面量產(chǎn)用于電動汽車PTC加熱器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V絕緣
2023-09-19 16:04:38306 繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認(rèn)可后,英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場景的1200VIGBT7P7芯片,并將其應(yīng)用在PrimePACK模塊中,再次刷新
2023-09-14 08:16:10430 型號:1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT,適用于高效能和高可靠性的應(yīng)用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值,能夠提供低導(dǎo)通
2023-08-25 16:58:531477 JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管,產(chǎn)品型號為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。
2023-08-25 15:40:571056 NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。產(chǎn)品型號:FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低
2023-07-31 16:57:59584 增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。
2023-07-28 14:22:44231 供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片可代換IR2104,提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
在此方向上,青桐資本項目伙伴「量芯微半導(dǎo)體(GaNPower)」(以下簡稱「量芯微」)在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn),并于近日與泰克科技(Tektronix Inc.)合作進(jìn)行了器件測試。
2023-07-19 16:37:301366 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 的汽車驅(qū)動產(chǎn)品來實現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。 ? 針對這一需求,士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅(qū)動模塊——600A/1200V IGBT模塊(B3模塊), 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力,為用戶帶來更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48735 本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設(shè)計用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
/引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(650V&1200V)和三個系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對光儲、UPS、EVcharger、焊機(jī)
2023-05-31 16:51:27636 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和絕緣
2023-05-20 15:19:12583 EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品,用于高功率應(yīng)用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)(高達(dá)10kW)。
2023-05-18 16:18:24315 合作關(guān)系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 中,采用了羅姆的新產(chǎn)品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英(左)賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen(右) 隨著全球電動化技術(shù)的快速發(fā)展,對功
2023-04-26 15:27:11517 。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51606 以下文章來源于安森美,作者安森美領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領(lǐng)先的性能
2023-04-06 16:07:10367 新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7,TO-247封裝分立器件,旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。產(chǎn)品特點得益于著名
2023-03-31 10:52:07472 新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7,TO-247封裝分立器件,可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號:IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:58674 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
2023-03-29 15:28:40
IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
2023-03-29 15:28:38
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:15
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:11
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
2023-03-29 15:23:12
IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
2023-03-29 15:16:31
IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
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IGBT MODULE 1200V 150A HEX
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IGBT MODULE 1200V 183A HEX
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IGBT MODULE 1200V 108A HEX
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IGBT MODULE 1200V 325A
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IGBT MODULE 1200V 108A HEX
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IGBT MODULE 1200V 250A
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IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
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IGBT MODULE 1200V 60A
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IGBT MODULE 1200V 84A
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IGBT MODULE 1200V 84A
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IGBT MODULE 1200V 250A
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IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 30A
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IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 60A
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IGBT MODULE 1200V 20A HEX
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IGBT MODULE 1200V 30A
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IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 12A HEX
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IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 150A HEX
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IGBT MODULE 1200V 150A HEX
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IGBT MODULE 1200V 60A
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IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
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IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 28A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:02
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:01
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:57
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:56
IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247
2023-03-29 15:13:53
ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片,可兼容代換IR2104,應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機(jī)驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動
2023-03-29 09:24:35
IGBT 1200V 80A TO247-4
2023-03-27 13:19:13
IGBT 1200V 150A TO247-4
2023-03-27 13:15:25
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