電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙P溝道增強型mosfet TPS1120數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-19 09:19:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單P溝道增強型mosfet TPS1100數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-19 09:13:590 臺積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實力，也進一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30
228 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
半導(dǎo)體放電管TSS：原理及在電子領(lǐng)域的應(yīng)用？|深圳比創(chuàng)達電子EMC半導(dǎo)體放電管TSS是一種高壓、高速、低電流的電子元件，廣泛用于電力電子、通訊、光電子等領(lǐng)域。本文將從TSS的定義、工作原理、應(yīng)用場
2024-03-06 10:07:51
半導(dǎo)體放電管TSS是一種高壓、高速、低電流的電子元件，廣泛用于電力電子、通訊、光電子等領(lǐng)域。本文將從TSS的定義、工作原理、應(yīng)用場景等多個方面進行詳細介紹，幫助大家更好地了解這一電子元件。接下來
2024-03-06 10:03:11
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
，高耐壓，高可靠性?？梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度等特性，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。 一. 碳化硅MOSFET常見封裝TO247 碳化硅MOSFET是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的場效應(yīng)晶體管。它的工
2024-02-21 18:24:15408 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，雙N溝道溝槽MOSFET 2N7002AKS-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 13:57:090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:03:240 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:02:240 引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈市場！EV中的電機控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件，它的普及為汽車功率半導(dǎo)體市場打開了增長的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）隨著智能家居的發(fā)展，高效高性能的小體積電源越來越被市場青睞。想要將電源體積做得更小，但同時能夠保證最好的性能，氮化鎵（GaN）的出現(xiàn)，讓這一方案得以實現(xiàn)。在智能家居
2024-01-19 00:21:003336 MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，是電路設(shè)計中常用的功率開關(guān)器件，為壓控器件；其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，具備驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高、熱穩(wěn)定性高于GTR等優(yōu)點
2024-01-09 10:22:43112 
使用LTC4013充電，輸入24V，5A充電，沒有使用MPPT功能，輸出接12V鉛蓄電池。
目前現(xiàn)象是可以產(chǎn)生5A電流充電，但Vinfet比Vdcin小，導(dǎo)致MOS管沒有進行低阻抗導(dǎo)通，比較熱，請問有關(guān)INFET管腳正常工作的設(shè)置條件（電路按照應(yīng)用電路設(shè)計）
2024-01-05 07:24:28
半導(dǎo)體放電管是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關(guān)特性。當浪涌電壓超過轉(zhuǎn)折的電壓VBO時，器件被導(dǎo)通，這時它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
逆變器是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電源電路。在應(yīng)用設(shè)備中，為了實現(xiàn)節(jié)能，對小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實現(xiàn)逆變器的高速運行，已經(jīng)提出使用寬帶隙半導(dǎo)體和結(jié)合n溝道和p溝道晶體管的互補功率逆變器。
2024-01-03 16:45:40227 
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152269 
電子設(shè)備中。與N溝道MOS管相比，P溝道MOS管的導(dǎo)電溝道由P型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，因此其導(dǎo)通條件與N溝道MOS管有所不同。本文將對P溝道MOS管的導(dǎo)通條件進行詳細介紹。 首先，我們需要了解P溝道MOS
2023-12-28 15:39:311083 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《充放電雙燈指示小體積移動電源TP4203數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2023-12-27 09:53:180 型號：50P06-VB絲?。篤BE2625品牌：VBsemi參數(shù)：- P溝道 MOSFET- 額定電壓：-60V- 最大持續(xù)電流：-50A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：20mΩ @ 10V
2023-12-20 15:07:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:36:290 閾值電壓（Vth）：-1.6V- 封裝類型：TO252應(yīng)用簡介：FDD4685-VB是一款高性能的P溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），具有高電流承
2023-12-14 11:19:22
Ω @ 4.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：-1.5V- 封裝類型：SOP8應(yīng)用簡介：AO4441-VB是一款P溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），
2023-12-13 17:57:43
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
是物體，人體會釋放大量電荷，絕緣體的情況下放電能量要比外部物體大得多；當外部物體是設(shè)備時，如果不接地，即使導(dǎo)體也會積累電荷，一旦與半導(dǎo)體設(shè)備接觸，電流就會流過設(shè)備，導(dǎo)致靜電擊穿；除去人體和設(shè)備的外部原因
2023-12-12 17:18:54
：P9006EDG適用于功率開關(guān)和逆變器等應(yīng)用的P溝道MOSFET。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。適用領(lǐng)域與模塊：適用于電源開關(guān)、逆變器和功率放
2023-12-08 16:36:21
：AO3407適用于功率開關(guān)和穩(wěn)壓應(yīng)用的P溝道MOSFET。其低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。優(yōu)勢與適用領(lǐng)域：具有低導(dǎo)通電阻，適用于要求低功率損耗和高效率的領(lǐng)域，如電
2023-12-06 11:52:49
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 MOS結(jié)構(gòu)加上一對背靠背的PN結(jié)，就構(gòu)成一個MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時半導(dǎo)體表面不是反型的，此時由于PN結(jié)的反向截止效果，源漏之間不會導(dǎo)通。當外加?xùn)艍菏?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體表面反型時，源漏之間就有
2023-11-30 15:54:49398 
Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強型兩種。這里我們以增強型MOS為例分析。
場效應(yīng)管是由源極，漏極，柵極組成，由于襯底的摻雜不同可分為N溝道和P溝道場效應(yīng)管。（溝道
2023-11-28 15:53:49
解一下什么是溝道。溝道是在半導(dǎo)體材料中形成的電子流的通道。通過在材料中創(chuàng)建和控制溝道，我們能夠控制電流的流動，從而實現(xiàn)半導(dǎo)體器件的功能。在常見的場效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor, FET）中，溝道是連接源極和漏極的部分。 p溝道和
2023-11-23 09:13:422314 硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬
2023-11-18 08:11:021311 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電源適配器對器件的小體積要求.doc》資料免費下載
2023-11-15 11:48:171 小體積與高速率的完美融合 計訊物聯(lián)TG453系列產(chǎn)品是一款小體積5G工業(yè)網(wǎng)關(guān)。滿足5G高速率網(wǎng)絡(luò)需求，具有小體積，易安裝，強兼容的特點。適用于對網(wǎng)速具有高要求的應(yīng)用場景如無人駕駛、無人機、移動
2023-11-13 11:09:41
型晶體管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關(guān)和放大電路中，可以控制電流流動并放大信號。
2023-11-03 14:56:23293 
型號 SQD50P0615LGE3絲印 VBE2625品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 50A 導(dǎo)通電阻 20mΩ @10V, 25m
2023-11-02 09:28:15
SUNLORDINC順絡(luò)新研發(fā)新的小體積熱敏電阻以及方案應(yīng)用
2023-10-31 16:18:30225 
在高集成度的控制系統(tǒng)上，電源模塊體積越做越小，但是小體積難以做到大功率。為滿足需求，致遠電子推出一款小體積、大功率寬壓輸入電源模塊，擁有比1W/3W產(chǎn)品更高的功率，比普通6W/10W產(chǎn)品更小的體積
2023-10-31 08:25:39238 
型號 FDD5614P絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導(dǎo)通電阻 61mΩ @10V, 72m
2023-10-28 11:48:41
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 VPS8702是一款專門為小體積、低待機功耗的微功率隔離電源而設(shè)計的變壓器驅(qū)動器，其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流電路，即可實現(xiàn)3~6V輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率高達3W
2023-10-12 10:23:07
VPS8701B是一款專門為小體積、低待機功耗的微功率隔離電源而設(shè)計的變壓器驅(qū)動器，其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流電路，即可實現(xiàn)6~~~30V輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率
2023-10-12 10:04:51
VPS6501是一款專門為小體積、低待機功耗微功率隔離電源而設(shè)計的推挽式變壓器驅(qū)動器，其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流電路，即可實現(xiàn)3.3V或5V輸入、3.3V~~~24V輸出
2023-10-12 09:52:32
VPS8505是一款專門為小體積、低待機功耗微功率隔離電源而設(shè)計的推挽式變壓器驅(qū)動器，其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流電路，即可實現(xiàn)3.3V或5V輸入、3.3V~~~24V輸出
2023-10-12 09:49:26
VPS8504C是一款專門為小體積、低待機功耗微功率隔離電源而設(shè)計的推挽式變壓器驅(qū)動器，其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流電路，即可實現(xiàn)3.3V或5V輸入、3.3V24V輸出
2023-10-12 09:43:02
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:32:500 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110 影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）是一種常用的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點。MOSFET的閾值電壓是決定其工作狀態(tài)的重要參數(shù)，影響著
2023-09-17 10:39:446648 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
意法半導(dǎo)體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 SHIKUES時科小體積大能量，BTA12A雙向可控硅
2023-09-05 15:49:45319 
和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140 供應(yīng)AP90P03Q p溝道mos管 30v 60a絲印:90P03Q-銓力半導(dǎo)體代理，提供AP90P03Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:40:01
供應(yīng)AP2335 場效應(yīng)管(MOSFET) SOT-23 絲印2335 P溝道 20V7A，是銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP2335規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 16:24:490 目前BGA封裝技術(shù)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，相較于傳統(tǒng)的TSOP封裝，具有更小體積、更好的散熱性能和電性能。
在BGA封裝的植球工藝階段，需要使用到特殊設(shè)計的模具，該模具的開窗口是基于所需的實際焊球
2023-08-21 13:38:06
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
及其應(yīng)用。
什么是晶體管
晶體管是電子設(shè)備。它是通過p型和n型半導(dǎo)體制成的。當半導(dǎo)體放置在相同類型半導(dǎo)體之間的中心時，這種排列稱為晶體管。我們可以說晶體管是兩個二極管的組合，它是背靠背連接的。晶體管是一
2023-08-02 12:26:53
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種場效應(yīng)晶體管（FET），由三個端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因此MOSFET是一種電壓控制器件。施加在柵極
2023-07-07 10:13:352972 
在H橋電路中實現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數(shù)才能實現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個設(shè)計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
因具備高頻、高效、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)越性能特點，氮化鎵是時下最熱門的第三代半導(dǎo)體材料之一；因可幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗的特性，SIP（System in Package
2023-06-26 09:52:52362 氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
HY1908D/U/V N溝道增強型MOSFET規(guī)格書免費下載。
2023-06-14 17:04:041 效的保證，芯片的內(nèi)部缺陷遠小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品，其高溫穩(wěn)定性大大提高。 內(nèi)阻低 超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。
體積小 在同等
2023-06-13 16:30:37
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個 MOSFET的耗電量就越少，還可以制造出更多的晶體管，讓其發(fā)揮作用，可謂是一舉多得。
2023-06-13 12:29:09596 
半導(dǎo)體冷凍治療儀利用半導(dǎo)體制冷組件產(chǎn)生的低溫來治療疾病，是近年來發(fā)展較快的物理治療設(shè)備。它具有溫控精確、功耗低、體積小等優(yōu)點，在康復(fù)治療領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。半導(dǎo)體冷凍治療儀包括治療儀本體、半導(dǎo)體
2023-06-12 09:29:18699 
蘭奈梅亨--(美國商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導(dǎo)體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實現(xiàn)具有史上最低導(dǎo)通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 *附件：power1.pdf
遇到一個電源板無法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護設(shè)計。正常啟動時Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導(dǎo)通，經(jīng)過后級U9基準和U27運放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
;amp;做高ROI秋招策略
2、半導(dǎo)體行業(yè)人才資源趨勢
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主講人介紹
黃博同
復(fù)醒科技CEO·復(fù)旦大學(xué)微電子博士
主講人黃博同先生
2023-06-01 14:52:23
日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET (ASFET) 新產(chǎn)品組合，重點發(fā)布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372
場效應(yīng)管是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，也稱為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有噪聲小、功耗低、開關(guān)速度快、不存在二次擊穿問題，主要具有信號放大、電子開關(guān)、功率控制等功能，廣泛應(yīng)用
2023-05-26 14:24:29
中國—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 小體積溫控開關(guān)具有體積優(yōu)勢、輕量化優(yōu)勢、安裝方式優(yōu)勢和空間利用優(yōu)勢，能夠更好地滿足特定應(yīng)用場景的需求。
2023-05-22 10:48:48210 
型功率管，是由雙極型三極管 (BJT) 和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式半導(dǎo)體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發(fā)展的春天。
2023-05-18 09:51:583446 
在蘋果的MagSafe磁吸無線充電器選用了以上器件，該器件的小體積吸引了眾多應(yīng)用工程師的愛好，在DFN1608的體積下，0603大小，可以滿足2A的持續(xù)電流，并滿足低VF的肖特基產(chǎn)品。
2023-05-10 10:25:42137 
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
占有率達到8.87%，位居行業(yè)第二。作為一家專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，晶導(dǎo)微擁有國際領(lǐng)先的GPP芯片生產(chǎn)工藝和先進的SMD封裝技術(shù)，形成了從分立器件芯片和框架的研發(fā)設(shè)計、制造
2023-04-14 16:00:28
占有率達到8.87%，位居行業(yè)第二。作為一家專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，晶導(dǎo)微擁有國際領(lǐng)先的GPP芯片生產(chǎn)工藝和先進的SMD封裝技術(shù)，形成了從分立器件芯片和框架的研發(fā)設(shè)計、制造
2023-04-14 13:46:39
全自動半導(dǎo)體激光COS測試機TC 1000 COS（chip on submount）是主流的半導(dǎo)體激光器封裝形式之一，對COS進行全功能的測試必不可少
2023-04-13 16:28:40
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514
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