MIC4414YFT EV，MIC4414評(píng)估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于在低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強(qiáng)型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
LTC4226的ON針腳具備外部可調(diào)的UVLO,同時(shí)還負(fù)責(zé)檢測(cè)連接器是否插緊。一個(gè)集成型充電泵用于為標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOSFET提供柵極驅(qū)動(dòng)，并利用內(nèi)部12V箝位來保護(hù)其柵極氧化物。
2019-10-10 09:12:45
LTC4366-1 浪涌抑制器可保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET 的柵極，LTC4366-1 可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在 MOSFET 兩端承載過壓的情況下，負(fù)載可以保持運(yùn)作狀態(tài)。
2019-10-29 09:02:04
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC44411資料下載內(nèi)容包括：LTC4441-1功能和特點(diǎn)LTC4441-1引腳功能LTC4441-1內(nèi)部方框圖LTC4441-1典型應(yīng)用電路LTC4441-1電氣參數(shù)
2021-03-24 07:13:00
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4441功能和特點(diǎn)LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應(yīng)用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
你好，我正在尋找這兩個(gè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器IC，F(xiàn)DD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產(chǎn)生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC1154資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC1154引腳功能LTC1154功能和特點(diǎn)LTC1154內(nèi)部方框圖LTC1154典型應(yīng)用電路
2021-03-24 06:18:36
MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4442資料下載內(nèi)容包括：LTC4442功能和特點(diǎn)LTC4442引腳功能LTC4442內(nèi)部方框圖LTC4442典型應(yīng)用電路LTC4442電氣參數(shù)
2021-03-24 07:59:58
MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC44445資料下載內(nèi)容包括：LTC4444-5功能和特點(diǎn)LTC4444-5引腳功能LTC4444-5內(nèi)部方框圖LTC4444-5典型應(yīng)用電路LTC4444-5電氣參數(shù)
2021-03-30 07:31:51
N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路LTC4446資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4446功能和特點(diǎn)LTC4446引腳功能LTC4446內(nèi)部方框圖LTC4446應(yīng)用電路
2021-04-15 06:53:16
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于器件的源極/發(fā)射極而言）。使用專門驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng)
2021-07-09 07:00:00
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動(dòng)上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹＿@些驅(qū)動(dòng)程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-30 16:47:03
N8322 是一款可驅(qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓?fù)渲?。LN8322 內(nèi)部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關(guān)斷狀態(tài)
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
的優(yōu)點(diǎn)包括以下幾點(diǎn)內(nèi)容：設(shè)計(jì)非常簡單，因此適用于空間受限的地方，例如低壓驅(qū)動(dòng)器和非隔離POL應(yīng)用。這是高端開關(guān)位置內(nèi)的簡化柵極驅(qū)動(dòng)方法，可以降低總體成本。在低電壓下工作時(shí)，MOSFET提供的效率更高
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同，N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)
2018-03-03 13:58:23
記本電腦電源切換SCSI終端電源切換蜂窩電話電源管理電池充電和管理高端工業(yè)和汽車開關(guān)步進(jìn)電機(jī)和直流電機(jī)控制說明LTC1154單高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器允許使用低高側(cè)交換應(yīng)用的成本N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。內(nèi)部電荷泵提高柵極
2020-09-08 17:28:16
LTC1163的典型應(yīng)用 - 三路1.8V至6V高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器可通過低至1.8V電源的廉價(jià)低RDS（ON）N通道開關(guān)切換電源或接地參考負(fù)載
2020-04-17 10:09:17
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動(dòng)上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。這些驅(qū)動(dòng)程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-29 17:38:58
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
LTC1155雙高端柵極驅(qū)動(dòng)器的典型應(yīng)用允許使用低成本N溝道FET用于高端開關(guān)應(yīng)用
2020-04-16 10:14:10
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號(hào)，比較用的三角波為10Mhz。需要開關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動(dòng)器。請(qǐng)問mosfet驅(qū)動(dòng)器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達(dá)到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動(dòng)器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
LTC3851采用耐熱增強(qiáng)型 3mm×3mmQFN-16 和窄型SSOP-16，該器件驅(qū)動(dòng)所有N溝道功率MOSFET級(jí)并具有一致或比例跟蹤功能。4V 至38V的輸入范圍促成種類繁多的應(yīng)用，包括大多數(shù)
2021-04-16 07:51:54
還可以安裝Arduino UNO R3連接器。該擴(kuò)展板上使用的IC驅(qū)動(dòng)器是用于N溝道功率MOSFET的L6398單芯片半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。 L6398柵極驅(qū)動(dòng)器和STL220N6F7功率MOSFET組合形成BLDC電機(jī)的高電流功率平臺(tái)，基于STM32 Nucleo板的數(shù)字部分提供6步或FOC算法控制解決方案
2020-05-20 08:53:36
VEE 為基準(zhǔn)。外部旁路電容器 C1、C2 可適應(yīng)瞬態(tài)電流。圖 7：采用 IX6611 柵極驅(qū)動(dòng)器的 IXYS 公司 SiC MOSFET IXFN70N120SK 性能，Vds = 600 V 且
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)通過快速開關(guān)時(shí)間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC。圖2：用自舉電路對(duì)高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
請(qǐng)問一下大神有VN05N柵極驅(qū)動(dòng)器的替代品嗎？
2022-12-21 07:08:20
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間
2018-10-25 10:22:56
是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極和源極/發(fā)射極之間形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)
2018-11-01 11:35:35
您好，歡迎觀看第三個(gè)討論隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的 TI 高精度實(shí)驗(yàn)室講座。 我們將探討可以作為隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的基準(zhǔn)核心參數(shù)。 我們將會(huì)檢查這些參數(shù)的數(shù)據(jù)表定義， 討論在隔離式和非隔離式驅(qū)動(dòng)器中決定
2022-11-10 07:54:32
，低側(cè)FET導(dǎo)通并開始通過其通道導(dǎo)通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負(fù)責(zé)高速接通的一個(gè)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對(duì)于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4447資料下載內(nèi)容包括：LTC4447引腳功能LTC4447內(nèi)部方框圖LTC4447典型應(yīng)用電路LTC4447極限參數(shù)
2021-03-26 07:14:06
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，采用高達(dá) 135V 的輸入電壓工作。該器件包含一個(gè)負(fù)責(zé)全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因而使其能夠
2023-04-20 11:36:57
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:00
6016 
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。
2010-02-04 08:40:551261 
高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5，該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:271040 
東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 觀看視頻系列，“了解您的柵極驅(qū)動(dòng)器”。 柵極驅(qū)動(dòng)器雖然經(jīng)常被忽視，但是它在電源和電機(jī)控制系統(tǒng)等系統(tǒng)中發(fā)揮著很重要的作用。我喜歡把柵極驅(qū)動(dòng)器比作肌肉！該視頻系列說明了柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理，并重點(diǎn)介紹
2017-04-26 15:18:383420 
，簡稱 ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7001，該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運(yùn)行。
2017-07-07 15:00:372012 LTC7001 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器可憑借非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲，非常方便地驅(qū)動(dòng)柵極電容很大的 MOSFET，因此很適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
2017-09-06 10:48:509928 
。其內(nèi)部充電泵全面增強(qiáng)了外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)，從而使該器件能夠保持接通時(shí)間無限長。LTC7004 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲，容易地驅(qū)動(dòng)柵極電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
2017-09-11 09:36:582795 
LTC7004 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲，容易地驅(qū)動(dòng)柵極電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
2017-09-18 10:49:384777 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:37
23 LTC?7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，采用高達(dá) 135V 的輸入電壓工作。該器件包含一個(gè)負(fù)責(zé)全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因而使其能夠無限期地保持導(dǎo)通。
2018-07-11 15:38:002998 
1.4知道你的柵極驅(qū)動(dòng)器：VDD
2019-04-23 06:09:003536 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)LTC7001相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LTC7001的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LTC7001真值表，LTC7001管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 14:37:34
柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET，JFET等，因?yàn)槿?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。
2020-01-29 14:18:0019390 
來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動(dòng)器的作用 柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-02-05 15:07:301 LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-03-06 14:41:535 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:113 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作
2021-03-19 01:44:181 用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器具有強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)
2021-03-19 07:15:032 LTC4442/LTC4442-1 - 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器為高效率降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器提供 5A 電流
2021-03-20 20:09:435 LTC3780/LTC4444演示電路-使用N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器(8-48V至12V@3A)的同步降壓-升壓控制器
2021-04-13 09:15:0814 LTC4444：高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:316 LTC4449：高速同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 19:51:574 LTC7000/LTC7001：快速150V保護(hù)高端nMOS靜電交換機(jī)驅(qū)動(dòng)程序數(shù)據(jù)表
2021-05-11 10:02:373 LTC4444-5：高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146 LTC1693：高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:193 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 LTC7001接近150V高中NMOS StationSwitch Driver Diseet
2021-05-29 17:20:155 帶MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的LTC3803LTC4441演示電路升壓轉(zhuǎn)換器(6-24V至52V@2A)
2021-06-04 14:54:385 LTC3780 LTC4444演示電路-使用N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器的同步降壓-升壓控制器(8-48V至12V@3A)
2021-06-16 19:04:4312 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 和發(fā)射極。為了工作MOSFET/IGBT，通常必須向柵極施加相對(duì)于器件源極/發(fā)射極的電壓。專用驅(qū)動(dòng)器用于向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論這些柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為什么需要它們，以及如何定義它們的基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
2023-01-30 17:17:121151 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是
2023-02-23 15:35:241 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391475 
介紹
在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源）時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機(jī)或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34808 
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