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探究羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器以及超級結(jié)MOSFET PrestoMOS

貿(mào)澤電子 ? 來源:羅姆半導體集團 ? 作者:羅姆半導體集團 ? 2021-08-09 14:30 ? 次閱讀
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ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC,還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。

我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器,再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET PrestoMOS。

采用了無閂鎖效應(yīng)SOI工藝的高可靠性

非隔離型柵極驅(qū)動器

ROHM的非隔離型柵極驅(qū)動器是使用了自舉方式的高邊/低邊柵極驅(qū)動器。通過采用無閂鎖效應(yīng)SOI工藝,實現(xiàn)了高可靠性。產(chǎn)生閂鎖效應(yīng)時,會流過大電流,可能會導致IC或功率元器件損壞??梢酝ㄟ^元件布局和制造工藝來改善抗閂鎖性能,而ROHM的SOI(Silicon On Insulator)工藝通過SOI基板的完全介電分離法提高了耐壓性能,并且可以從結(jié)構(gòu)上避免閂鎖效應(yīng)。

反向恢復時間更短的超級結(jié)MOSFET:

PrestoMOS

PrestoMOS是一種超級結(jié)MOSFET,以往的超級結(jié)MOSFET的問題在于內(nèi)部寄生二極管的反向恢復時間trr特性,而PrestoMOS系列產(chǎn)品不僅具有更短的反向恢復時間trr,而且損耗更低。

與IGBT相比,PrestoMOS在中低功率范圍內(nèi)的損耗電壓很小,因而可以減少損耗。另外,在電機驅(qū)動電路等電路中,還可以使用高速內(nèi)部寄生二極管,而無需使用外置快速恢復二極管(FRD)來減少由普通MOSFET和IGBT的再生電流引起的換流損耗。與FRD相比,PrestoMOS的寄生二極管的VF更低,因此損耗也更低。

編輯:jq

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原文標題:R課堂 | 非隔離型柵極驅(qū)動器與功率元器件

文章出處:【微信號:貿(mào)澤電子,微信公眾號:貿(mào)澤電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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