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快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力

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2020-09-29 16:51:51

電機驅動器為什么能廣泛運用

的功率水平是需要設計師來確定什么驅動器MOSFET 使用在任何給定的系統(tǒng)。在使用各種電動工具時,適當考慮這里的廣泛結果是設計過程中的關鍵步驟。大多數(shù)驅動器提供7 v 到13 v 的柵極驅動電壓???/div>
2022-04-14 14:43:07

直流5V升壓交流150V

直流5V升壓交流150V怎么來做,我知道要用變壓,但是我不知道怎么搭建電路,變壓要怎么來做?
2014-12-17 11:58:48

請問該高壓正弦波放大電路輸出幅度能達到峰峰值150V的要求嗎?

此圖是高壓正弦波放大電路,這個圖能自己產(chǎn)生正弦波,輸出幅度能達到峰峰值150V的要求嗎?對電路不是很了解,望高手分析,謝謝!
2018-12-28 11:32:49

這個用MOSFET驅動電機可行嗎?

現(xiàn)在在做一個500W的直流電機的驅動,電機的額定電流30A左右。在網(wǎng)上看到的這類驅動多是H橋的。實際應用中不需要正反轉,只用PWM調速即可,請問能否用一片MOSFET驅動器和一個N溝道的管子來驅動這個電機呢,會不會有什么問題呢。
2016-01-04 09:42:49

采用ADuM7234隔離式半橋驅動器的EVAL-CN0196-EB1Z H橋評估板

EVAL-CN0196-EB1Z,H橋驅動器評估板,采用隔離式半橋驅動器。 CN0196是由高功率開關MOSFET組成的H橋,其由低壓邏輯信號控制。該電路在邏輯信號和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02

降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法

,新型高壓MOSFET使長期困擾高壓MOSFET的導通壓降高的問題得到解決;可簡化整機設計,如散熱器件體積可減少到原40%左右;驅動電路、緩沖電路簡化;具備抗雪崩擊穿能力和抗短路能力;簡化保護電路并使整機
2023-02-27 11:52:38

高電壓熱插拔控制LT4254電子資料

概述:LT4254是一款高壓熱插撥 (Hot Swap?) 控制允許電路板在帶電背板上安全地插撥。對于 10.8V 至 36V 范圍內的供電電壓,一個內部驅動器高壓 N 溝道MOSFET的柵極進行控制。
2021-04-08 07:50:07

MAX15054 高邊MOSFET驅動器,用于HB LED驅

MAX15054 高邊MOSFET驅動器,用于HB LED驅動器和DC-DC應用   概述 MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅動器高壓應用中可工作在較高的開關頻率
2010-01-28 08:43:041653

高壓MOSFET驅動器電路

高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947

凌力爾特推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器

10 月 1 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器 LTC4440A-5,該器件能以高達 80V
2013-10-09 15:41:271040

150V 同步降壓型 DC/DC 控制器

式同步降壓型開關穩(wěn)壓器控制器 LTC3895,該器件可驅動一個全 N 溝道 MOSFET 電源級。其 4V 至 140V (150V 絕對最大值) 輸入電壓范圍允許使用高壓輸入電源或具高壓浪涌的輸入工作,從而無需外部浪涌抑制器件。
2016-05-24 13:55:383609

快速 60V 保護的高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器提供 100% 占空比能力

,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7003,該器件可采用高達 60V 的電源電壓工作。
2017-07-14 16:08:512045

快速60V高壓側N溝道MOSFET驅動器提供100%占空比能力

,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7004,該器件用高達 60V 的電源電壓運行
2017-09-11 09:36:582795

高壓mosfet驅動器電路圖分享

高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅動器電路:
2017-10-19 16:02:3723

快速150V 保護、高壓驅動器

LTC7000 是一款快速、受保護的高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器,該器件包含一個內部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地保持導通。LTC7000 接收一個低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:003638

快速150V、高壓側NMOS靜態(tài)開關驅動器LTC?7001

LTC?7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器,采用高達 135V 的輸入電壓工作。該器件包含一個負責全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵,因而使其能夠無限期地保持導通。
2018-07-11 15:38:002998

高壓側N溝道MOSFET柵極驅動器的應用

快速150V保護高側Driver_zh
2019-08-16 06:08:004422

LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內工作

LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內工作
2021-03-18 22:10:113

150V 快速高壓側受保護的 N 溝道 MOSFET 驅動器提供 100% 占空比能力

150V 快速高壓側受保護的 N 溝道 MOSFET 驅動器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內工作

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內工作
2021-03-19 06:51:081

快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力

快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482

100mA 同步降壓型轉換器具備 150V 輸入能力且靜態(tài)電流僅為 12μA

100mA 同步降壓型轉換器具備 150V 輸入能力且靜態(tài)電流僅為 12μA
2021-03-21 09:22:090

LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表

LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:316

LTC3894:150V低I<sub>Q</sub>降壓式DC/DC控制器,100%占空比性能產(chǎn)品手冊

LTC3894:150V低IQ降壓式DC/DC控制器,100%占空比性能產(chǎn)品手冊
2021-05-11 08:13:188

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146

LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表

LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075

LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表

LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅動器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:193

LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅動器數(shù)據(jù)表

LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅動器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545

DC102A LT1336 | 具有升壓穩(wěn)壓器的 1/2 橋 N 溝道功率 MOSFET 驅動器

本演示電路是一款面向一般應用的 N 溝道半橋。該半橋可用 TTL/CMOS 電平信號驅動至負責驅動 N 溝道 MOSFET 的 LT?1336 中。獨立式高端驅動器穩(wěn)壓器可實現(xiàn) 100% 占空比
2021-06-17 21:21:157

東芝推新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET 可大幅提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業(yè)設備開關電源,其中
2022-04-01 09:12:422802

應用在電源MOSFET驅動器中的光耦

MOSFET驅動器是一款高頻高電壓柵極驅動器,可利用一個同步 DC/DC 轉換器和高達100V的電源電壓來驅動兩個N溝道MOSFET。強大的驅動能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關損耗。針對
2022-10-25 09:19:341347

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅動器參數(shù)介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器,選用高達 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵,因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45515

p型mos管-30V/-100V/-150V選型,士蘭微mos管代理

遠小,但在某些應用領域,P溝道MOSFET因其本身的電性特點,有其不可替代性,目前驪微電子可提供-30~-150V,-3~-46A的P溝道MOSFET解決方案,封裝
2022-11-11 16:00:461194

美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET

美格納半導體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。MXT MV MOSFET,代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09737

貼片p溝道mos管-150v SVGP15161PL3A參數(shù)

供應貼片p溝道mos管-150v、-9ASVGP15161PL3A,提供SVGP15161PL3A供應貼片p溝道mos管參數(shù),更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-10-10 16:08:093

采用150V OptiMOS功率MOSFET電機驅動評估板

EVAL-6ED2742S01QM1評估套件包括一塊三相逆變功率板,內含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅動器,驅動六個額定電壓為150V
2023-11-17 17:08:41534

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