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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>開關(guān)電源>快速60V高壓側(cè)N溝道MOSFET驅(qū)動器提供100%占空比能力

快速60V高壓側(cè)N溝道MOSFET驅(qū)動器提供100%占空比能力

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什么是MOSFET驅(qū)動器?如何計算MOSFET的功耗?

什么是MOSFET驅(qū)動器?MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分?如何計算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00

低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場效應管

10)TO-252封裝, 內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等型號:HC012N06LN溝道場效應管60V50A(50N06 )TO-252封裝, 內(nèi)阻12mR,汽車燈電源、電機驅(qū)動、控制
2020-09-23 11:38:52

低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場效應管

10)TO-252封裝, 內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等型號:HC012N06LN溝道場效應管60V50A(50N06 )TO-252封裝, 內(nèi)阻12mR,汽車燈電源、電機驅(qū)動、控制
2020-10-14 15:18:58

低開啟40V 10A N溝道 MOS管原廠

溝道 MOS管60V 50A TO-252 N溝道 MOS管【100V MOS N溝道100V 5A SOT-23 N溝道 MOS管100V 8A SOT-89 N溝道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10

具有保護功能的ISL6594A/ISL6594B高頻MOSFET驅(qū)動器

ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動上下功率而設(shè)計的驅(qū)動器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換拓撲。這些驅(qū)動程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制N溝道
2020-09-29 17:38:58

具有升壓穩(wěn)壓的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器

LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V(絕對最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05

開關(guān)電源設(shè)計之:P溝道N溝道MOSFET比較

溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓側(cè)開關(guān)。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1:具有電平移位的高側(cè)驅(qū)動IC。圖2:用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10

惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos管【低開啟低結(jié)電容】

100V補水儀MOS管,直流無刷電機MOS管馬達驅(qū)動器MOS管60V70A 100V40A ,LED太陽能控制MOS管60V70A 低壓電源MOS管,小家電控制MOS管,凈水機MOS管更多
2020-11-02 15:36:23

用于外部N通道功率mosfet的全橋控制A4940

的無調(diào)節(jié)電源和3到5.5伏的邏輯電源。四個柵極驅(qū)動器能夠驅(qū)動廣泛的N通道功率mosfet,并配置為兩個高端驅(qū)動器和兩個低端驅(qū)動器。A4940提供了所有必要的電路,以確保高壓側(cè)和低壓側(cè)外部mosfet的柵極
2020-09-29 16:51:51

電機驅(qū)動器為什么能廣泛運用

,而其他跨越12v60v 的范圍(甚至高達80v 與一些草坪工具)。隨著這些更高的操作電池電壓來嚴酷的環(huán)境,引入更大的負瞬變的驅(qū)動器輸出階段,需要多個 PCB 設(shè)計,從抓斗袋的低功率和高功率電機
2022-04-14 14:43:07

英飛凌40V60V MOSFET

40V,60V MOSFET可大幅簡化熱管理,從而節(jié)省成本。 一個典型的服務(wù)電源的輸出電壓為12V,在100%輸出負載下,功率為600W至2400W,業(yè)界的標準做法是二次側(cè)采用同步整流(即
2018-12-06 09:46:29

調(diào)光比高達3000:1的60V大電流LED控制實現(xiàn)方案

的一些功能也使其適用于給電池和超級電容器充電。LT3761 的4.5V60V的輸入電壓范圍使該器件適用于多種應用,包括汽車、工業(yè)和建筑照明。LT3761 采用一個外部 N 溝道 MOSFET,可用一個
2012-12-12 17:01:33

降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法

,新型高壓MOSFET使長期困擾高壓MOSFET的導通壓降高的問題得到解決;可簡化整機設(shè)計,如散熱器件體積可減少到原40%左右;驅(qū)動電路、緩沖電路簡化;具備抗雪崩擊穿能力和抗短路能力;簡化保護電路并使整機
2023-02-27 11:52:38

降壓恒壓芯片 48V 60V 80V轉(zhuǎn)3.3V 5V 惠海H6601直接替代5864、2459和1466

? 逐周期過流保護 ? 4.5V60V 寬輸入工作電壓范圍 ? 輸出調(diào)節(jié)范圍為 0.81V 至 0.9xVIN 典型應用 ? 功率表 ? 配電系統(tǒng) ? 電池充電器 ? 用于線性穩(wěn)壓的前置穩(wěn)壓 ? WLED 驅(qū)動器 典型原理圖
2024-02-20 15:46:27

小信號應用60V功率MOSFET

小信號應用60V功率MOSFET  日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441421

高壓MOSFET驅(qū)動器電路

高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力

,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7001,該器件以高達 150V 電源電壓運行。
2017-07-07 15:00:372012

快速 60V 保護的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力

,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7003,該器件可采用高達 60V 的電源電壓工作。
2017-07-14 16:08:512044

高壓mosfet驅(qū)動器電路圖分享

高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路:
2017-10-19 16:02:3723

快速、150V 保護、高壓側(cè)驅(qū)動器

LTC7000 是一款快速、受保護的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,該器件包含一個內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地保持導通。LTC7000 接收一個低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:003638

60V 降壓型 LED 驅(qū)動器驅(qū)動100mA LED 組成的3 個獨立 LED串,并提供 10,000:1 的 True Color PWMTM 調(diào)光

60V 降壓型 LED 驅(qū)動器驅(qū)動100mA LED 組成的3 個獨立 LED串,并提供 10,000:1 的 True Color PWMTM 調(diào)光
2021-03-19 01:30:020

150V 快速高壓側(cè)受保護的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力

150V 快速高壓側(cè)受保護的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482

60V、同步降壓型 LED 驅(qū)動器提供超過 300W 的 LED 功率

60V、同步降壓型 LED 驅(qū)動器提供超過 300W 的 LED 功率
2021-03-21 09:34:0015

現(xiàn)貨推薦 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211274

LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表

LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:316

60V同步降壓-升壓LED驅(qū)動器

60V同步降壓-升壓LED驅(qū)動器
2021-05-10 16:17:0213

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146

LTC3864:60V低智商降壓DC/DC控制器,具有100%占空比能力數(shù)據(jù)表

LTC3864:60V低智商降壓DC/DC控制器,具有100%占空比能力數(shù)據(jù)表
2021-05-15 14:42:002

NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)

NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP061-60YE

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP061-60YE
2023-02-17 18:45:550

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:150

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA
2023-02-20 19:03:300

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA
2023-02-20 19:03:400

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:442

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器參數(shù)介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,選用高達 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45515

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