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NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

batai ? 來源:batai ? 作者:batai ? 2022-07-13 10:49 ? 次閱讀

1.概述

NP50P06D6采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)并設(shè)計(jì)為低門極提供優(yōu)秀的RDS(ON)沖鋒。它可以用于廣泛的應(yīng)用。

2.一般特征
? VDS=-60 V,ID=-50A
? RDS(ON)(典型值)=22 MΩ@VGS=-10V
? RDS(ON)(典型值)=27 MΩ@VGS=-4.5V
? 超低RDS的高密度電池設(shè)計(jì)
? 完全特征的雪崩電壓和電流
? 穩(wěn)定性好,均勻性高,EAS高
? 散熱性好的優(yōu)秀封裝

3.應(yīng)用程序

? 負(fù)荷開關(guān)

4.包裝
pdfn5*6-8L-A

5.示意圖

poYBAGLOMpqAMA11AAHlipWQ_5s691.png



審核編輯 黃昊宇

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