電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進(jìn)展神速，同時三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可，簽下
2024-01-08 08:25:34
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）碳化硅襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)的上游核心材料，在下游器件需求高速增長下，近年來襯底廠商加速推進(jìn)8英寸襯底的量產(chǎn)進(jìn)度，去年業(yè)界龍頭Wolfspeed已經(jīng)啟動了全球首家8英寸
2023-06-22 00:16:002280 
功率芯片載體裝配工藝中應(yīng)用廣泛。傳統(tǒng)的手工燒結(jié)方式具有熔融時間長、生產(chǎn)效率低、可靠性差等缺點，通過對基于銦鉛銀低溫焊料的真空燒結(jié)工藝的助焊劑選取、焊料厚度和尺寸、工裝夾具設(shè)計、真空燒結(jié)曲線調(diào)試等幾個方面進(jìn)行研究，最終摸索出一種適
2024-03-19 08:44:0518 
近年來，隨著碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，降低SiC成本的呼聲日益強烈，最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結(jié)構(gòu)中占比最高，達(dá)到50%左右。
2024-03-08 14:24:32195 
襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47104 
共讀好書 王強翔 李文濤 苗國策 吳思宇 （南京國博電子股份有限公司） 摘要： 本文重點研究了金屬陶瓷功率管膠黏劑封裝工藝中膠黏劑的固化溫度、時間、壓力等主要工藝參數(shù)對黏結(jié)效果的影響。通過溫度循環(huán)
2024-03-05 08:40:3566 
，一些國際上制冷劑研究前沿領(lǐng)域的一些研究成果，主要是一些代表性的高性能環(huán)保制冷劑和制冷系統(tǒng)，具有很大的潛力和研究價值：
1.HFO-1234yf制冷劑
HFO-1234yf制冷劑是由美國霍尼維爾和杜邦
2024-03-02 17:52:13
共讀好書 張鎏 苑明星 楊小渝 （重慶市聲光電有限公司） 摘 要： 對半導(dǎo)體封裝工藝的研究，先探析半導(dǎo)體工藝概述，能對其工作原理有一定的了解與掌握；再考慮半導(dǎo)體封裝工藝流程，目的是在作業(yè)階段嚴(yán)謹(jǐn)
2024-02-25 11:58:10275 
電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個電路的運行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54474 智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23636 國內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線，覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)品。
2024-01-12 11:37:03863 
醫(yī)用膠帶剝離試驗機 2024/濟南三泉智能科技有限公司醫(yī)用膠帶剝離測試儀是一種用于測試醫(yī)用膠帶剝離性能的實驗設(shè)備。它可以模擬實際使用過程中醫(yī)用膠帶所承受的各種力學(xué)條件，對醫(yī)用膠帶的粘性、持久性、耐候
2024-01-10 14:48:15
ADBMS6815芯片在使用的過程中出現(xiàn)插拔燒蝕板子問題，主要變現(xiàn)為芯片內(nèi)部的均衡MOS和外部均衡電阻損壞，當(dāng)前是批次行出問題，其中2142周號芯片熱插拔損壞率超過5%，損壞區(qū)域為S6-S12;1
2024-01-03 06:39:42
碲鋅鎘（CZT）單晶材料作為碲鎘汞（MCT）紅外焦平面探測器的首選襯底材料，其表面質(zhì)量的優(yōu)劣將直接影響碲鎘汞薄膜材料的晶體質(zhì)量以及成品率，故生產(chǎn)出外延級別的碲鋅鎘襯底表面是極其重要的。
2024-01-02 13:51:18157 
AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運（PVT）是最適合AIN襯底制備的方法。
2023-12-28 09:20:22316 
當(dāng)前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點。一般來說，高溫擴散工藝簡單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫擴散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復(fù)雜且設(shè)備昂貴，但它可獨立控制摻雜元素的濃度和結(jié)深，雖然也會給襯底引入大量的點缺陷和擴展缺陷。
2023-12-22 09:41:21698 
歡迎了解 張浩亮?方杰?徐凝華 （株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司?新型功率半導(dǎo)體器件國家重點實驗室） 摘要： 主要研究了應(yīng)用于?IGBT?模塊封裝中的銀燒結(jié)工藝和銅引線鍵合工藝，依據(jù)系列質(zhì)量表征和評價
2023-12-20 08:41:09419 
自2019年4月在江蘇南京建立以來，超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士，他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷以及廣闊的國際視野，為1至6英寸碳化硅襯底的研究和商業(yè)化注入獨特見解。
2023-12-14 10:05:56387 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，成本占比最高的部分是襯底，碳化硅襯底的產(chǎn)能決定了下游器件的產(chǎn)量上限。因此，襯底廠商可以稱之為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的風(fēng)向標(biāo)。 ? 本土碳化硅供應(yīng)商份額增長
2023-12-12 01:35:001177 GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮?；進(jìn)一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。
2023-12-09 10:24:57716 高良率、高密度布線的優(yōu)勢吸引了大量研究者的目光。總結(jié)了 RDL-first 工藝的技術(shù)路線及優(yōu)勢，詳細(xì)介紹其工藝進(jìn)展，模擬其在程序中的應(yīng)用，并對 RDL-first 工藝的發(fā)展方向進(jìn)行展望，為 RDL-first 技術(shù)的進(jìn)一步優(yōu)化提供參考。
2023-12-07 11:33:44723 
襯底:NPN雙極晶體管的基礎(chǔ)是p摻雜(硼)硅襯底，上面沉積了厚氧化層（600 nm）。
2023-12-06 18:15:251251 
通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:40232 
相關(guān)材料的動、靜摩擦系數(shù)測定和膠粘復(fù)合制品、醫(yī)用貼劑、離型紙、保護(hù)膜等產(chǎn)品的剝離強度測定。產(chǎn)品特征擁有剝離、摩擦系數(shù)兩種試驗?zāi)Ｊ皆囼炁_面無磁化設(shè)計，完全符合標(biāo)準(zhǔn)要求
2023-11-23 15:09:20
半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？ 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成，這兩個部分在制造過程中起著重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先，襯底是半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:281509 在材料科學(xué)領(lǐng)域，鐳射轉(zhuǎn)移復(fù)合紙剝離試驗機作為一種先進(jìn)的測試設(shè)備，發(fā)揮著越來越重要的作用。這種試驗機主要用于研究各種材料的剝離性能，特別是在紙張、塑料、金屬等材料的復(fù)合剝離方面，具有廣泛的應(yīng)用價值。一
2023-10-30 16:29:48
AuSn焊料是一種常用于封裝微電子器件的材料，其低溫焊接特性使其在對敏感器件和高溫敏感材料的封裝中備受歡迎。本文旨在探討AuSn焊料在低溫真空封裝工藝中的應(yīng)用，以及該工藝的研究進(jìn)展和應(yīng)用前景。
2023-10-30 14:32:39720 
一、不干膠帶剝離力試驗機概述不干膠帶剝離力試驗機是一種用于測試不干膠帶剝離力的實驗設(shè)備。該設(shè)備主要用于評估不干膠帶的粘性和附著性能，對于不干膠帶的使用性能和可靠性評估具有重要意義。二、不干膠帶剝離力
2023-10-27 16:35:06
，需比阻焊菲林整體大2mil。“
金厚要求1.5＜金厚≤4.0um
工藝流程
制作要求
① 干膜需使用GPM-220抗電金干膜；
② 全板不印阻焊的產(chǎn)品無需二次干膜；
③ 有印阻焊的，二次干膜只做阻焊
2023-10-27 11:25:48
在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57930 金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點是節(jié)省成本和工藝簡化。在剝離過程中，經(jīng)過涂層、曝光和開發(fā)過程后，光刻膠會在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05185 
SEMulator3D?虛擬制造平臺可以展示下一代半大馬士革工藝流程，并使用新掩膜版研究后段器件集成的工藝假設(shè)和挑戰(zhàn)
2023-10-24 17:24:00360 
應(yīng)運而生，為塑料薄膜的生產(chǎn)、應(yīng)用和研究提供了強大的支持。塑料薄膜剝離測試儀是一種專門用于測試塑料薄膜的設(shè)備，它可以模擬塑料薄膜在實際應(yīng)用中可能遇到的各種環(huán)境條件，從
2023-10-20 14:32:27
編織袋剝離力強度試驗機是一種專門用于測試編織袋的物理性能的設(shè)備，它可以有效地測量編織袋的剝離力強度。這種試驗機在塑料、橡膠和包裝材料等行業(yè)中得到了廣泛應(yīng)用。一、編織袋剝離力強度試驗機的工作原理編織袋
2023-10-19 16:41:00
醫(yī)用貼劑作為一種醫(yī)療用品，其持粘性能對于治療效果和患者的舒適度至關(guān)重要。溫控型持粘力測試儀是一種專門用于在嚴(yán)格控制溫度條件下測試醫(yī)用貼劑持粘性能的儀器，能夠更準(zhǔn)確地評估醫(yī)用貼劑的性能，從而為產(chǎn)品
2023-10-19 16:37:54
科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 復(fù)合膜剝離強度試驗儀是一種專門用于測試復(fù)合膜材料剝離強度的設(shè)備。該設(shè)備通過模擬實際使用過程中復(fù)合膜材料的剝離情況，對材料的性能進(jìn)行科學(xué)評估，從而為材料改進(jìn)和生產(chǎn)工藝優(yōu)化提供重要依據(jù)。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-18 16:50:14
2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46404 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模商用?；诠?b class="flag-6" style="color: red">襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 
可能面臨的壓力、溫度和時間等條件，對注射劑的密封性能進(jìn)行全面評估。該儀器能夠提供準(zhǔn)確的檢測數(shù)據(jù)，幫助企業(yè)和研究人員了解注射劑在受到壓力作用下的行為和表
2023-10-13 13:41:44
紙張層間剝離強度試驗儀層間結(jié)合強度是指紙或紙板抵抗層間分離的能力，是紙張內(nèi)部粘結(jié)能力的反映。強度較低會導(dǎo)致紙張和紙板，在使用粘性油墨印刷時出現(xiàn)拉毛問題，強度過高會給紙張的生產(chǎn)加工帶來難度，同時加大了
2023-10-12 16:40:13
無刷電機在啟動的時候怎么抗負(fù)載啟動
2023-10-12 06:30:21
SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄的硅層，這種結(jié)構(gòu)將有源硅層與襯底的硅層分開。而在傳統(tǒng)的硅制程中，芯片直接在硅襯底上形成，沒有使用絕緣體層。
2023-10-10 18:14:031123 
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06525 
醫(yī)用貼劑初粘性測試儀醫(yī)用貼劑初粘性測試儀是一種專門用于測試醫(yī)用貼劑初粘性的儀器。初粘性是指物體表面在粘合前的粘附能力，對于醫(yī)用貼劑來說，初粘性是評價其質(zhì)量和效果的重要指標(biāo)之一。本文將介紹醫(yī)用貼劑初
2023-09-28 14:15:10
本文簡單介紹了自抗擾控制技術(shù)和它是如何從經(jīng)典PID控制技術(shù)演變出新型實用控制技術(shù)的基本想法和關(guān)鍵技術(shù)。自抗擾控制器(Auto/Active DisturbancesRejection
2023-09-28 06:04:51
列陣探測器引起了人們的廣泛關(guān)注。為了滿足高性能、雙多色紅外焦平面器件制備的要求，需要對碲鎘汞p型摻雜與激活進(jìn)行專項研究。使用分子束外延方法直接在碲鎘汞工藝中進(jìn)行摻雜，As很難占據(jù)Te位，一般作為間隙原子或者占據(jù)金屬位，
2023-09-26 09:18:14284 
不干膠背膠剝離強度試驗儀 背膠剝離強度指的是產(chǎn)品背膠粘貼牢固的情況，背膠剝離強度太大或太小均不利于使用，應(yīng)控制在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)，既不輕易掉下來，又能在揭離時很容易撕下來而不撕裂背面
2023-09-22 17:20:35
載帶剝離強度試驗機 載帶剝離力測試儀是一種專業(yè)應(yīng)用于載帶、離型紙、醫(yī)用無菌敷貼等相關(guān)材料剝離力測試的儀器。它采用先進(jìn)的電子測量技術(shù)和計算機控制，能夠快速、準(zhǔn)確地測量不同材料的剝離力。該儀器
2023-09-21 16:46:44
復(fù)合膜層間剝離試驗機 復(fù)合膜剝離力測試儀是一款專業(yè)用于測試復(fù)合膜、薄膜等相關(guān)材料剝離強度的儀器。該儀器采用先進(jìn)的電子測量技術(shù)，能夠快速、準(zhǔn)確地測定復(fù)合膜或薄膜材料的剝離力。該設(shè)備主要由主機
2023-09-20 15:29:25
鋁箔剝離強度試驗機 90度剝離強度試驗機是一款用于測試材料90度剝離性能的實驗設(shè)備，適用于膏藥貼劑、軟包裝等產(chǎn)品的性能測試。該設(shè)備采用高精度的力值傳感器和可靠的傳動系統(tǒng)，可以在一定速度下
2023-09-20 15:25:12
膠粘帶剝離強度試驗機 電子剝離試驗機是一款用于測試不干膠、膠粘帶、標(biāo)簽、雙面膠等材料剝離性能的專業(yè)設(shè)備。它可以準(zhǔn)確測量標(biāo)簽和粘合劑之間的粘合力，以確保標(biāo)簽在需要的時間內(nèi)保持穩(wěn)定，并為用戶
2023-09-20 15:15:46
膠粘帶剝離力測試儀 不干膠剝離力試驗機可準(zhǔn)確測量初始粘度力值大小，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確可靠。其產(chǎn)品符合FINAT和ASTM等國際標(biāo)準(zhǔn)，被廣泛應(yīng)用于研究中心、膠粘制品企業(yè)、質(zhì)檢中心等單位。是將測試
2023-09-20 15:08:54
180度剝離試驗機 180度剝離試驗機是一種專門用于測試膠粘劑、膠粘帶、不干膠等相關(guān)產(chǎn)品剝離強度的設(shè)備。它對于產(chǎn)品研發(fā)、質(zhì)量控制以及生產(chǎn)過程中的問題解決具有重要意義。180度剝離試驗機
2023-09-20 14:55:45
醫(yī)用貼劑持粘性測試儀 醫(yī)用膠帶，又稱布基膠帶，以醫(yī)用無紡布或PE打孔膜為基材，涂敷醫(yī)用壓敏膠制成。它貼合肌膚，不傷皮膚，粘合穩(wěn)固，不易脫落，揭下時無殘膠，成為傳統(tǒng)氧化鋅膠布的理想替代品
2023-09-20 14:54:35
產(chǎn)品簡介材料試驗機專門測試各種材料、成品、半成品及單體的強度,選取各種類夾具、冶具、可做抗拉力，抗壓強度、抗彎、拉伸、延伸率、撕裂、剝離、應(yīng)力、應(yīng)變、剪力等，針對食品行業(yè)可測包裝容器的頂壓強度，頂壓
2023-09-19 17:23:27
研究、材料開發(fā)之基本設(shè)備，軟件功能測控系統(tǒng)是專為微機電子萬能試驗機、微機液壓萬能試驗機、微機壓力機設(shè)計的測控系統(tǒng)?？蛇M(jìn)行拉伸、壓縮、彎曲、剪切、撕裂、剝離試驗。采
2023-09-19 16:03:21
拉伸、壓縮、三點抗彎、四點抗彎、剪切、撕裂、剝離、成品鞋穿刺、紙箱持壓、泡棉循環(huán)壓縮、彈簧拉壓及各種動靜態(tài)循環(huán)測試等。機臺結(jié)構(gòu)交流伺服馬達(dá)驅(qū)動,精密滾珠絲桿傳動;
2023-09-19 15:24:34
2023年9月，第三屆紫外LED國際會議暨長治LED發(fā)展推進(jìn)大會在長治隆重召開，國內(nèi)外專家云集，深入交流紫外LED最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢。晶能光電外延工藝高級經(jīng)理周名兵受邀作《硅襯底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:285752 圓盤剝離試驗機 圓盤剝離試驗機可以用于檢測吊牌、包裝袋墨層的牢固度以及墨層的結(jié)合度、油墨脫色等指標(biāo)。下面介紹具體的測試步驟和評價方法。 需要準(zhǔn)備圓盤剝離試驗機、吊牌或包裝袋樣品
2023-09-18 10:00:29
導(dǎo)電型襯底Wolfspeed一家獨大，絕緣型襯底天岳先進(jìn)入圍前三。2020年全球?qū)щ娦蚐iC襯底依舊被Wolfspeed、II-VI、羅姆壟斷，CR3高達(dá)90%，其中Wolfspeed市占率高達(dá)62
2023-09-07 16:26:321583 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
透明膠帶剝離試驗機-概要醫(yī)用膠帶也叫輸液貼，是輸液過程中固定注射藥液后對輸液導(dǎo)管、針柄的重要作用，其相關(guān)的粘性指標(biāo)是藥包材等相關(guān)單位需要進(jìn)行檢測控制的指標(biāo)，剝離強度就是檢測醫(yī)用膠帶粘性的重要元素
2023-09-01 16:23:03
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:44737 CVD因具有可控、高質(zhì)量生長石墨烯的優(yōu)點而引起國內(nèi)外關(guān)注，據(jù)報道石墨烯薄膜可在多個襯底上生長，如Fe、Cu和Ni、 Pt等。研究表明，采用CVD工藝生長單層石墨烯，可實現(xiàn)晶?？烧{(diào)、降低石墨烯固有強度、降低碳原料分解的能量屏障，一定條件下，CVD工藝能帶來可擴展、經(jīng)濟、可重復(fù)且易于使用的優(yōu)點。
2023-09-01 11:12:53338 
近日，日本化工企業(yè)旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁（AlN）襯底，展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴展性，以滿足各類應(yīng)用的生產(chǎn)需求。
2023-08-29 14:37:29847 氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312376 目前絕大多數(shù)研究采用機械剝離和逐層轉(zhuǎn)移的物理方法對轉(zhuǎn)角石墨烯樣品進(jìn)行制備，然而，該方法存在條件苛刻、產(chǎn)出率低、界面污染等一系列問題。為發(fā)展更加高效的制備技術(shù)，研究者們通過對化學(xué)氣相沉積法中襯底的設(shè)計，陸續(xù)突破了幾種類型的轉(zhuǎn)角石墨烯的規(guī)?；苽潆y題。
2023-08-14 11:37:59386 
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場強高和可實現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 10:24:02879 
切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
2023-07-04 14:56:16617 
SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內(nèi)圓和外圓兩種。由于SiC價格高，外圓、內(nèi)圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產(chǎn)效率低，加大了襯底的成本。
2023-06-25 17:34:241704 
）的工藝，使其形成一層既抗銅氧化又可提供良好的可焊性的涂覆層，熱風(fēng)整平時焊料和銅在結(jié)合處形成銅錫金屬化合物，其厚度大約有1～2mil。
噴錫工藝分為有鉛噴錫和無鉛噴錫，其區(qū)別是無鉛噴錫屬于環(huán)保類工藝，不含
2023-06-25 11:35:01
）的工藝，使其形成一層既抗銅氧化又可提供良好的可焊性的涂覆層，熱風(fēng)整平時焊料和銅在結(jié)合處形成銅錫金屬化合物，其厚度大約有1～2mil。
噴錫工藝分為有鉛噴錫和無鉛噴錫，其區(qū)別是無鉛噴錫屬于環(huán)保類工藝，不含
2023-06-25 11:17:44
）的工藝，使其形成一層既抗銅氧化又可提供良好的可焊性的涂覆層，熱風(fēng)整平時焊料和銅在結(jié)合處形成銅錫金屬化合物，其厚度大約有1～2mil。
噴錫工藝分為有鉛噴錫和無鉛噴錫，其區(qū)別是無鉛噴錫屬于環(huán)保類工藝，不含
2023-06-25 10:37:54
,負(fù)載量,微蝕劑含量等都是要注意的項目；
6.沉銅返工不良：
一些沉銅或圖形轉(zhuǎn)后的返工板在返工過程中因為褪鍍不良,返工方法不對或返工過程中微蝕時間控制不當(dāng)?shù)然蚱渌蚨紩斐砂迕嫫鹋?；沉銅板的返工如果在
2023-06-09 14:44:53
研究機構(gòu)TECHCET日前預(yù)測，盡管全球經(jīng)濟普遍放緩，但2023年SiC襯底市場將持續(xù)強勁增長。
2023-06-08 10:12:34436 
膠粘劑剝離強度試驗機醫(yī)用膠帶也叫輸液貼，是輸液過程中固定注射藥液后對輸液導(dǎo)管、針柄的重要作用，其相關(guān)的粘性指標(biāo)是藥包材等相關(guān)單位需要進(jìn)行檢測控制的指標(biāo)，剝離強度就是檢測醫(yī)用膠帶粘性的重要元素。若膠
2023-06-06 09:38:23
。我想避免它，在設(shè)備啟動時我希望中繼是休息的。
我想我需要使用下拉電阻來避免啟動時引腳處于低電平狀態(tài)。我不明白在哪里插入抗蝕劑。
你能告訴我這個方案嗎？
現(xiàn)有的引腳上有一個上拉或下拉電阻。一旦
2023-06-02 06:22:48
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092826 
焊點剝離現(xiàn)象多出現(xiàn)在通孔波峰焊接工藝中，但也在SMT回流焊工藝中出現(xiàn)過?，F(xiàn)象是焊點和焊盤之間出現(xiàn)斷層而剝離。這類現(xiàn)象的主要原因是無鉛合金的熱膨脹系數(shù)和基板之間的差別很大，導(dǎo)致焊點固話時在剝離部分有太大的應(yīng)力而使它們分開，一些焊料合金的非共晶性也是造成這種現(xiàn)象的原因之一。
2023-05-26 10:10:25586 處應(yīng)承受20N靜拉力15s不斷裂和泄漏，可通過連接力牢固度測試儀/剝離強度測試儀/拉力測試儀等專業(yè)檢驗。連接力牢固度測試儀剝離強度試驗應(yīng)符合gb 14232-19
2023-05-19 17:17:28388 
碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483426 
硅通孔（TSV） 是當(dāng)前技術(shù)先進(jìn)性最高的封裝互連技術(shù)之一。基于 TSV 封裝的核心工藝包括 TSV 制造、RDL/微凸點加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持等。
2023-05-08 10:35:242024 
一、PCB工藝設(shè)計要考慮的基本問題
PCB的工藝設(shè)計非常重要，它關(guān)系到所設(shè)計的PCB能否高效率、低成本地制造出來。新一代的SMT裝聯(lián)工藝，由于其復(fù)雜性，要求設(shè)計者從一開始就必須考慮制造
2023-04-25 16:52:12
基板表面銅箔剝離測試的主要目的是評估基板載體箔與銅箔之間的剝離強度。通過這項測試，可以了解基板表面銅箔在不同制造工藝和處理方法下的剝離性能，為印制電路板的制造提供科學(xué)的依據(jù)和指導(dǎo)。
2023-04-24 09:36:23587 
PCB制程中的COB工藝是什么呢？
2023-04-23 10:46:59
施工中，清潔度至關(guān)重要。清潔銅面層壓板，然后將其送入凈化環(huán)境。在此階段，至關(guān)重要的是，不得有灰塵顆粒沉積在層壓板上。錯誤的污點可能會導(dǎo)致電路短路或保持?jǐn)嚅_狀態(tài)。 接下來，清潔面板接收稱為光致抗蝕劑
2023-04-21 15:55:18
及鋼的蝕刻劑。它適用于絲網(wǎng)漏印油墨、液體光致抗蝕劑和鍍金印制電路版電路圖形的蝕刻。用三氯化鐵為蝕刻劑的蝕刻工藝流程如下： 預(yù)蝕刻檢查→蝕刻→水洗→浸酸處理→水洗→干燥→去抗蝕層→熱水洗→水沖洗
2023-04-20 15:25:28
電子剝離試驗機適用于膠黏劑、膠粘帶、不干膠、復(fù)合膜、人造革、編織袋、薄膜、紙張、電子載帶等相關(guān)產(chǎn)品的剝離、剪切、拉斷等性能測試。電子剝離試驗機有立式和臥式兩種結(jié)構(gòu)，顯示方面又可分為LCD數(shù)顯和電腦顯示兩種。
2023-04-19 10:25:42420 
的腹腔鏡下血管吻合器械來分離大動脈和大靜脈。想要研發(fā)生產(chǎn)一個合格達(dá)標(biāo)的吻合器，其中剝離強度是檢測項目中的重要指標(biāo)之一。吻合器剝離強度如何試驗？為了測試吻合器的剝離強
2023-04-06 16:41:50438 
半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非常活潑的氣體的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學(xué)工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)
2023-04-06 09:26:48408 
管等醫(yī)藥包裝或醫(yī)療器械配套使用。對于醫(yī)用膠塞來說，由于膠塞的分子結(jié)構(gòu)、成分、生產(chǎn)工藝等方面的不同，除了其使用的安全性、耐藥性等性能外，其密封性能、抗穿刺性能等物理
2023-04-04 10:56:38
共基放大電路的放大倍數(shù)與負(fù)載內(nèi)阻RL、信號源內(nèi)阻RS有關(guān)嗎？
2023-03-31 15:35:03
FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182459 來源：盛美上海 支持快速增長的功率半導(dǎo)體市場，包括電動汽車、功率轉(zhuǎn)換和可再生能源 盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司(以下簡稱“盛美上?！?，作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級封裝應(yīng)用提供晶圓工藝
2023-03-28 17:17:11336 全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284
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