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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>國內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀

國內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀

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、耐高壓的特性被越來越多的車企認(rèn)可,市場發(fā)展前景逐漸明朗。 ? 在此歲末年初之際,讓我們共同回顧2021國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)生的重大事件。 ? 天岳先進(jìn)躋身碳化硅襯底第一梯隊(duì),首發(fā)過會(huì)并成功上市 ? 天岳先進(jìn)是國內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域
2022-01-24 09:31:573816

中科院成功制備8英寸碳化硅襯底;華強(qiáng)北二手iPhone價(jià)格大跳水

約2?mm的8英寸碳化硅晶片。 ? Hobby點(diǎn)評(píng):今年一月,國內(nèi)爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn),而僅僅幾個(gè)月后,國產(chǎn)碳化硅襯底就再傳來了好消息。碳化硅器件的成本中,襯底占比超過40%,所以碳化硅襯底尺寸提高,單位襯底上制造出
2022-05-07 00:55:003759

國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能分析,與海外龍頭差距擴(kuò)大?

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2023-02-20 09:13:0116076

國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)大盤點(diǎn)

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:03:5612188

美浦森:我們的碳化硅器件裕量高,產(chǎn)能

在采訪中朱勇華介紹了美浦森的發(fā)展現(xiàn)狀,以及本次展會(huì)展示的特色產(chǎn)品,他還特別介紹了該公司碳化硅器件的特性。
2019-12-25 18:20:3313008

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381637

海外大廠搶灘2023,國內(nèi)企業(yè)加速追趕碳化硅襯底8英寸節(jié)點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)襯底產(chǎn)能在近年成為了碳化硅行業(yè)痛點(diǎn),隨著電力電子行業(yè),包括電動(dòng)汽車、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電等新能源應(yīng)用市場的發(fā)展,碳化硅功率器件因?yàn)楦咝?、高耐壓等?yōu)勢受到了追捧,導(dǎo)致產(chǎn)能
2022-09-07 07:56:002422

8英寸襯底井噴,11月國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來新進(jìn)展

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,成本占比最高的部分是襯底,碳化硅襯底產(chǎn)能決定了下游器件的產(chǎn)量上限。因此,襯底廠商可以稱之為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的風(fēng)向標(biāo)。 ? 本土碳化硅供應(yīng)商份額增長
2023-12-12 01:35:001178

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

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碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境??膳渲脼閱蝹€(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料。可重復(fù)的非線性特性。耐高壓?;旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

碳化硅(SiC)即使在高達(dá)1400℃的溫度下,仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動(dòng)力

大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板;在引擎室中,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無線雷達(dá)偵測
2020-12-16 11:31:13

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

:Anode Metal  外延層:N- drift(輕摻雜),主要作用是承擔(dān)反向耐壓  襯底層:N+(重?fù)诫s),呈電阻特性,不具備電壓耐受能力  陰極金屬:Cathode Metal  圖(2)碳化硅
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

、15A三等級(jí)電流測試中,碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)電流比硅快恢復(fù)二極管小,有利提升產(chǎn)品效率?! ?、基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管主要特性參數(shù)及應(yīng)用  最高反向工作電壓(VRSM):二極管能承受的最大反向
2023-02-28 16:34:16

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

系統(tǒng)能做得越小巧,則電動(dòng)車的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車廠商之所以對(duì)碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地,氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散,與碳化硅
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù),2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

  本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?! 》至⑵骷ㄈ?TO-247)是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步,但對(duì)于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)?;景雽?dǎo)體的碳化硅肖特基二極管采用的主要碳化硅 JBS工藝技術(shù),與硅 FRD對(duì)比的主要優(yōu)點(diǎn)有:  圖9 二極管反向恢復(fù)
2023-02-28 16:48:24

如何用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

  硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36

目前國內(nèi)主要應(yīng)用ARM的廠商產(chǎn)品有哪些

今天老師給了個(gè)題目:“目前國內(nèi)主要應(yīng)用ARM的廠商產(chǎn)品有哪些,各廠家產(chǎn)品有何特點(diǎn);”。我在網(wǎng)上找了很久都找不到答案,請(qǐng)知道方法,或者做過調(diào)查的朋友幫忙啊。
2012-07-23 16:15:25

簡述LED襯底技術(shù)

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2012-03-15 10:20:43

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng),穩(wěn)定的超快速本體二極管,因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!

元器件碳化硅
車同軌,書同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-04 15:48:57

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AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

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盤點(diǎn)國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅市場,X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開始備戰(zhàn)。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00138137

科銳宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能

隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,市場對(duì)碳化硅(SiC)的需求持續(xù)增長,國內(nèi)碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn),日前碳化硅大廠Cree(科銳)也宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能
2019-05-08 16:40:053967

總結(jié)國內(nèi)國內(nèi)碳化硅行業(yè)的真實(shí)現(xiàn)狀

碳化硅粉:5N湊合,6N有問題;檢測體系不完善,大規(guī)模供應(yīng)這些近兩千臺(tái)爐子,年產(chǎn)幾百萬片的幾十個(gè)襯底項(xiàng)目,真把爐子都開起來,粉料奇缺!低于$100/kg的高質(zhì)量6N碳化硅粉料源,低成本技術(shù)方案,奇缺! 3. 碳化硅長晶/晶圓 - 4H導(dǎo)電,奇缺能上車的晶圓質(zhì)
2021-07-02 16:22:005437

簡述碳化硅襯底的國產(chǎn)化進(jìn)程

隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā),引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求,國內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè),今天我們首先
2021-07-29 11:01:184375

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267

國內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839

國內(nèi)首條!基本半導(dǎo)體汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

12月30日,基本半導(dǎo)體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線,采用先進(jìn)碳化硅專用封裝工藝技術(shù),打造
2021-12-31 10:55:432797

國內(nèi)碳化硅情況介紹

比亞迪作為國內(nèi)車企,在車上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史,最早是在車載的OBC上用,后面是在車載彈簧、車載電控上面用,目前國內(nèi)碳化硅車型上,我們用的碳化硅的量是國內(nèi)最多的,去年算上車載電控
2022-08-26 09:15:131695

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

來源:中國電子報(bào) 日前,國際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成,未來兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872

意法半導(dǎo)體新廠2023年開始投產(chǎn) 加強(qiáng)碳化硅組件及解決方案襯底供應(yīng)

意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導(dǎo)體客戶對(duì)汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-08 17:04:031349

意法半導(dǎo)體將在意大利興建整合式碳化硅襯底制造廠

意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導(dǎo)體客戶對(duì)汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023年開始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-09 09:10:55741

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料,碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能,因此外延應(yīng)用對(duì)碳化硅晶片表面質(zhì)量的要求
2022-10-11 16:01:043658

ST與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證, 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造
2022-12-08 12:22:48616

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù),本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀,分析對(duì)比了切片、薄化、拋光加工工藝機(jī)理,指出了加工過程中的關(guān)鍵影響因素和未來發(fā)展趨勢。
2023-01-11 11:05:551309

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè)

碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié),目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷,根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90%的SiC
2023-02-02 15:02:543931

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀及前景怎么樣

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法)等生成外延片,最后制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中,由于襯底制造工藝難度大,產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。
2023-02-03 16:30:133953

碳化硅主要的四大應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅主要有四大應(yīng)用:功能陶瓷、高級(jí)耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應(yīng),不能算高新技術(shù)產(chǎn)品,而技術(shù)含量極高的納米級(jí)碳化硅粉體的應(yīng)用短時(shí)間不可能形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)。
2023-02-09 18:09:113371

什么是碳化硅?碳化硅功率器件行業(yè)未來可期

碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件,但不論是集成電路還是分立器件,其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:481086

碳化硅模塊上車高濕測試

投建,我國初步形成了從襯底、外延片到器件、模塊較為完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈。 但記者在采訪中了解到,國內(nèi)碳化硅功率器件行業(yè)還呈現(xiàn)“小”“散”特征,未來五年將是整合期,車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件與國外公司還有較大差距。此外,碳
2023-02-21 09:26:452

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

晶錠進(jìn)過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底;再經(jīng)過外延生長就變成碳化硅外延片,也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

碳化硅規(guī)?;瘧?yīng)用的技術(shù)難點(diǎn)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造,下游是終端應(yīng)用。
2023-03-22 15:38:521335

碳化硅襯底市場群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284

碳化硅:第三代半導(dǎo)體之星

按照電學(xué)性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437

簡述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483430

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

國產(chǎn)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié),襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),碳化硅器件的成本構(gòu)成中,襯底、外延、前段、 研發(fā)費(fèi)用和其他分別占比為 47%,23%,19%,6%,5%,襯底+外延合計(jì)約 70%
2023-06-26 11:30:56733

碳化硅8英寸時(shí)代倒計(jì)時(shí) 中國廠商能否搭上“早班車”

碳化硅襯底碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期,受到新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場的推動(dòng),碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線,。國內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競爭。
2023-07-14 16:22:58690

三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底,國內(nèi)8英寸加速布局!

產(chǎn)能來看,湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月,較2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化鎵)產(chǎn)能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過數(shù)家國際大客戶驗(yàn)證,并實(shí)現(xiàn)批量出貨,且2023年、2024年供應(yīng)已基本鎖定。
2023-09-14 11:14:541009

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529

科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線

2023年9月,科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46404

科友半導(dǎo)體官宣,首批8吋碳化硅襯底下線

科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅(SiC)中試線在2023年4月正式貫通后,同步推進(jìn)晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè),加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969

國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點(diǎn)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931

環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)

環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯(cuò)估了客戶對(duì)8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè),預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進(jìn)行認(rèn)證,并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:43394

碳化硅襯底,新能源與5G的基石.zip

碳化硅襯底,新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:403

2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能,目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放,預(yù)計(jì)2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬片,年產(chǎn)能150萬。
2023-11-24 15:59:231078

碳化硅賽道“涌動(dòng)” ,國內(nèi)外巨頭抓緊布局

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看,主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封裝測試等。從行業(yè)市場結(jié)構(gòu)來看,碳化硅襯底市場目前以美國、日本為主和歐洲,其中美國是世界上最大的。
2023-12-04 16:29:32518

超40個(gè),碳化硅項(xiàng)目企業(yè)匯總

單晶生長,以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體;2)襯底環(huán)節(jié),碳化硅晶體經(jīng)過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片,也即半導(dǎo)體襯底材料;
2023-12-05 15:26:53561

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

,因此在電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)碳化硅功率器件的原理、特點(diǎn)、應(yīng)用現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2023-12-14 09:14:46241

超芯星完成數(shù)億元C輪融資,助力碳化硅襯底產(chǎn)能提升

自2019年4月在江蘇南京建立以來,超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士,他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷以及廣闊的國際視野,為1至6英寸碳化硅襯底的研究和商業(yè)化注入獨(dú)特見解。
2023-12-14 10:05:56389

8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

當(dāng)前,大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616

江蘇丹陽延陵鎮(zhèn)與博藍(lán)特半導(dǎo)體達(dá)成碳化硅襯底布局戰(zhàn)略合作

在這次考察中,考察團(tuán)主要針對(duì)博藍(lán)特公司計(jì)劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目引入到延陵鎮(zhèn),這筆交易總預(yù)算高達(dá)十億元人民幣,其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬片六至八英寸碳化硅襯底的能力。如果按照企業(yè)預(yù)期估算,該項(xiàng)目完成后每年潛在銷售額將達(dá)到 15 億元。
2024-01-19 13:57:20787

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景:國內(nèi)主要廠商分布圖

中國在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對(duì)半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝?、高耐用性電子器件需求的增加?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)異性能而變得越來越重要。
2024-02-27 10:28:51188

成功打入博世、英飛凌供應(yīng)鏈,國產(chǎn)碳化硅襯底收獲期來臨

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近期國內(nèi)碳化硅襯底供應(yīng)商陸續(xù)獲得海外大廠的訂單,4月底,天岳先進(jìn)在2022年年報(bào)中披露去年公司與博世集團(tuán)簽署了長期協(xié)議,公司將為博世供應(yīng)碳化硅襯底產(chǎn)品
2023-05-06 01:20:002328

2023年國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

碳化硅襯底長期供貨協(xié)議。ST還與三安合資建設(shè)碳化硅器件工廠,并由三安配套供應(yīng)碳化硅襯底。 ? 另一方面產(chǎn)能擴(kuò)張速度也較快,今年以來國內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)能逐步落地,多家廠商的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目都在2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)或是在產(chǎn)能爬坡過程中。與之
2024-01-08 08:25:342171

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