光刻是在掩模中轉(zhuǎn)移幾何形狀圖案的過(guò)程,是覆蓋在表面的一層薄薄的輻射敏感材料(稱為抗輻射劑) ,也是一種半導(dǎo)體晶片。 圖5.1簡(jiǎn)要說(shuō)明了光刻用于集成電路制造的工藝。 如圖5.1(b)所示,輻射為通過(guò)口罩的透明部分傳播,使其暴露光刻膠不溶于顯影劑溶液,從而使之直接將掩模圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上。 在定義模式之后,需要采用蝕刻工藝選擇性地去除屏蔽部分基本層。光刻曝光的性能由三個(gè)參數(shù)決定: 分辨率、注冊(cè)和吞吐量。 分辨率定義:半導(dǎo)體晶圓上的薄膜。 注冊(cè)是衡量其準(zhǔn)確性的一個(gè)指標(biāo)連續(xù)掩模上的模式可以對(duì)齊或疊加在同一晶圓片上先前定義的圖案。 吞吐量是數(shù)量每小時(shí)可以暴露在給定掩模水平下的晶圓。
潔凈室
集成電路制造設(shè)備需要一個(gè)潔凈室,特別是在光刻領(lǐng)域,沉積在半導(dǎo)體晶圓和光刻掩模上的灰塵顆??赡茉斐稍O(shè)備缺陷。 如圖5.2所示,空氣中的顆粒附著在掩模表面的圖案可以是不透明的隨后轉(zhuǎn)移到電路模式,從而導(dǎo)致不好的后果。 例如,圖5.2中的粒子1可能導(dǎo)致底層有一個(gè)針孔 粒子2可能引起的收縮電流在金屬流道中流動(dòng),而粒子3可能導(dǎo)致短路從而使電路失效。
審核編輯:湯梓紅
評(píng)論
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