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光刻技術(shù)是什么,有哪些作用

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納米壓印光刻技術(shù)應(yīng)用在即,能否掀起芯片制造革命?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))提及芯片制造,首先想到的自然是光刻機(jī)和光刻技術(shù)。而眾所周知,EUV光刻機(jī)產(chǎn)能有限而且成本高昂,業(yè)界一直都在探索不完全依賴于EUV光刻機(jī)來(lái)生產(chǎn)高端芯片的技術(shù)和工藝。納米
2024-03-09 00:15:002912

光刻廠落地雄安?中國(guó)電子院否認(rèn)!真相是啥?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近期,各大視頻平臺(tái)瘋傳一條消息,稱清華大學(xué)EUV項(xiàng)目,把ASML的光刻機(jī)巨大化,實(shí)現(xiàn)了光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化,并表示這個(gè)項(xiàng)目已經(jīng)在雄安新區(qū)落地,還在視頻中配了下面這張圖,表示圖片
2023-09-20 08:56:502579

繞開(kāi)EUV光刻,下一代納米壓印光刻技術(shù)從存儲(chǔ)領(lǐng)域開(kāi)始突圍

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))提及芯片制造技術(shù),首先想到的自然是光刻機(jī)和光刻技術(shù)。眾所周知在芯片行業(yè),光刻是芯片制造過(guò)程中最重要、最繁瑣、最具挑戰(zhàn)也最昂貴的一項(xiàng)工藝步驟。在光刻機(jī)的支持下,摩爾定律
2023-07-16 01:50:153008

光刻機(jī)的發(fā)展歷程及工藝流程

光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展,每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV;按照工作原理依次從接觸接近式光刻機(jī)發(fā)展到浸沒(méi)步進(jìn)式投影光刻機(jī)和極紫外式光刻機(jī)。
2024-03-21 11:31:4142

芯片制造工藝:光學(xué)光刻-掩膜、光刻

制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(jí)(空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過(guò)約3500)潔凈室,在光刻區(qū)域,潔凈室要求10級(jí)或更高。
2024-03-20 12:36:0060

關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

與正光刻膠相比,電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?;诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過(guò)程中溶解,而曝光的光刻膠則保留下來(lái),從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50195

電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化及常見(jiàn)問(wèn)題介紹

本文從光刻圖案設(shè)計(jì)、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化,最后介紹了一些常見(jiàn)問(wèn)題。
2024-03-17 14:33:52174

光刻機(jī)巨頭ASML要搬離荷蘭?

據(jù)荷蘭《電訊報(bào)》3月6日?qǐng)?bào)道,因荷蘭政府的反移民政策傾向,光刻機(jī)巨頭阿斯麥(ASML)正計(jì)劃搬離荷蘭。
2024-03-08 14:02:15179

淺談不同階段光刻機(jī)工作方式

在曝光過(guò)程中,掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1,分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離,隨著曝光次數(shù)的增加,會(huì)引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788

一文解析半導(dǎo)體設(shè)計(jì)電路的“光刻工藝”

利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2024-03-06 14:28:5062

ASML光刻機(jī)技術(shù)的領(lǐng)航者,挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

ASML在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中扮演著舉足輕重的角色,其光刻機(jī)技術(shù)和市場(chǎng)地位對(duì)于全球半導(dǎo)體制造廠商來(lái)說(shuō)都具有重要意義。
2024-03-05 11:26:00123

光刻膠和光刻機(jī)的區(qū)別

光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18399

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄,需要按制程需求來(lái)定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景,較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:16131

基于SEM的電子束光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)及研究

電子束光刻(e-beam lithography,EBL)是無(wú)掩膜光刻的一種,它利用波長(zhǎng)極短的聚焦電子直接作用于對(duì)電子敏感的光刻膠(抗蝕劑)表面繪制形成與設(shè)計(jì)圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。
2024-03-04 10:19:28206

不同材料在晶圓級(jí)封裝中的作用

共讀好書(shū) 本篇文章將探討用于晶圓級(jí)封裝(WLP)的各項(xiàng)材料,從光刻膠中的樹(shù)脂,到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑,這些材料均在晶圓級(jí)封裝中發(fā)揮著重要作用。 光刻膠(Photoresists, PR
2024-02-18 18:16:31277

佳能預(yù)計(jì)到2024年出貨納米壓印光刻機(jī)

Takeishi向英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》表示,公司計(jì)劃于2024年開(kāi)始出貨其納米壓印光刻機(jī)FPA-1200NZ2C,并補(bǔ)充說(shuō)芯片可以輕松以低成本制造。2023年11月,該公司表示該設(shè)備的價(jià)格將比ASML的EUV機(jī)器便宜一位數(shù)。 佳能表示,與利用光曝光電路圖案的傳統(tǒng)光刻技術(shù)不同,納米壓印光刻不需要光源,利用
2024-02-01 15:42:05270

解析光刻芯片掩模的核心作用與設(shè)計(jì)

掩模在芯片制造中起到“底片”的作用,是一類不可或缺的晶圓制造材料,在芯片封裝(構(gòu)筑芯片的外殼和與外部的連接)、平板顯示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏〉、印刷電路板、微機(jī)電器件等用到光刻技術(shù)的領(lǐng)域也都能見(jiàn)到各種掩模的身影。
2024-01-18 10:25:22145

光刻膠分類與市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

光刻膠主要下游應(yīng)用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用,占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%,是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:21346

改進(jìn)芯片技術(shù)的關(guān)鍵因素——光刻技術(shù)

使用13.5nm波長(zhǎng)的光進(jìn)行成像的EUV光刻技術(shù)已被簡(jiǎn)歷。先進(jìn)的邏輯產(chǎn)品依賴于它,DRAM制造商已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)。
2023-12-29 15:22:31172

英特爾搶下6種ASML HIGH NA光刻機(jī)

如果我們假設(shè)光刻機(jī)成本為 3.5 億至 4 億美元,并且 2024 年 10 個(gè)光刻機(jī)的HIGH NA 銷售額將在 35億至40億美元之間。
2023-12-28 11:31:39406

激光微納加工技術(shù)詳解

激光微納加工技術(shù)利用激光脈沖與材料的非線性作用,可以<100nm精度實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方法難以實(shí)現(xiàn)的復(fù)雜功能結(jié)構(gòu)和器件的增材制造。而激光直寫(xiě)(DLW)光刻是一項(xiàng)具有空間三維加工能力的微納加工技術(shù),在微納集成器件制造中發(fā)揮著重要作用
2023-12-22 10:34:20401

光刻工藝的基本步驟 ***的整體結(jié)構(gòu)圖

光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中,k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度,ASML認(rèn)為其物理極限在0.25,k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326

晶圓級(jí)封裝(WLP)的各項(xiàng)材料及其作用

本篇文章將探討用于晶圓級(jí)封裝(WLP)的各項(xiàng)材料,從光刻膠中的樹(shù)脂,到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑,這些材料均在晶圓級(jí)封裝中發(fā)揮著重要作用。
2023-12-15 17:20:36807

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)?

勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù),那么我們?cè)趧蚰z時(shí),是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質(zhì)?
2023-12-15 09:35:56442

光刻各環(huán)節(jié)對(duì)應(yīng)的不同模型種類

光學(xué)模型是基于霍普金斯(Hopkins)光學(xué)成像理論,預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)(TCCs),從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中,經(jīng)過(guò)優(yōu)化的光源,通過(guò)光刻機(jī)的照明系統(tǒng),照射在掩模上。如果在實(shí)際光刻
2023-12-11 11:35:32288

半導(dǎo)體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334

光刻膠國(guó)內(nèi)市場(chǎng)及國(guó)產(chǎn)化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50283

不僅需要***,更需要光刻

為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠,需要高純度的配方原料,例如光刻樹(shù)脂,溶劑PGMEA…此外,生產(chǎn)過(guò)程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如,2019年,某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染,導(dǎo)致上萬(wàn)片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:48550

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579

西隴科學(xué)9天8板,回應(yīng)稱“未生產(chǎn)、銷售光刻膠”

 20日,西隴科學(xué)(株)發(fā)布公告稱,該公司沒(méi)有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠,占公司營(yíng)業(yè)收入的比例,是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315

基于JSM-35CF SEM的納米電子束光刻系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用

在電子和電氣制造業(yè)中,光刻技術(shù)是制造無(wú)源/有源器件的重要步驟。
2023-11-20 09:30:05406

儲(chǔ)能技術(shù)對(duì)智能電網(wǎng)的建設(shè)作用

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2023-11-14 10:44:330

光刻膠黏度如何測(cè)量?光刻膠需要稀釋嗎?

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11571

ASML攜全景光刻解決方案亮相進(jìn)博會(huì)

第六屆進(jìn)博會(huì)于近日在上海國(guó)家會(huì)展中心正式收官,ASML2023進(jìn)博之旅也圓滿落幕! 今年,ASML繼續(xù)以“光刻未來(lái),攜手同行”為主題,攜全景光刻解決方案驚艷亮相,還創(chuàng)新性地帶來(lái)了“芯”意滿滿的沉浸
2023-11-11 15:23:53595

片內(nèi)和片間非均勻性是什么?如何計(jì)算?有什么作用呢?

導(dǎo)語(yǔ):均勻性在芯片制程的每一個(gè)工序中都需要考慮到,包括薄膜沉積,刻蝕,光刻,cmp,離子注入等。較高的均勻性才能保證芯片的產(chǎn)品與性能。那么片內(nèi)和片間非均勻性是什么?如何計(jì)算?有什么作用呢?
2023-11-01 18:21:12503

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料光刻膠市場(chǎng)格局發(fā)展現(xiàn)狀

生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑(光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用)、樹(shù)脂、溶劑和其他添加劑等,我國(guó)由于資金和技術(shù)的差距,如感光劑、樹(shù)脂等被外企壟斷,所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:48138

什么是EUV光刻?EUV與DUV光刻的區(qū)別

EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光,涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會(huì)將圖案打印到晶圓上,用于微芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 12:22:55615

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一,決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%,占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材,其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359

光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類 光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫(huà)在涂有光刻膠的硅片上,通過(guò)光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān),而減小照射光源的波長(zhǎng)是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271

PCB激光投影光刻照明系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

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2023-10-23 09:38:181

arduino平臺(tái)millis()函數(shù)什么作用?

有關(guān)arduino平臺(tái)millis()函數(shù),什么作用?
2023-10-20 06:30:17

各種光刻技術(shù)你都了解嗎?

當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)到5nm時(shí),DUV和多重曝光技術(shù)的組合也難以滿足量產(chǎn)需求了,EUV光刻機(jī)就成為前道工序的必需品了,沒(méi)有它,很難制造出符合應(yīng)用需求的5nm芯片,即使不用EUV能制造出一些5nm芯片,其整個(gè)生產(chǎn)線的良率也非常低,無(wú)法形成大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)。
2023-10-13 14:45:03834

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝,將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上,是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674

MDK的里面代碼補(bǔ)全的功能是什么作用的?

MDK的里面代碼補(bǔ)全的功能是什么作用
2023-10-09 08:51:32

關(guān)于光刻技術(shù)的五大分類

光刻是通過(guò)一系列操作,除去外延片表面特定部分的工藝,在半導(dǎo)體器件和集成電路制作中起到極為關(guān)鍵的作用。
2023-10-08 10:11:23696

sprintf和printf什么區(qū)別?返回值什么作用

sprintf和printf什么區(qū)別,返回值什么作用?
2023-10-08 08:19:04

極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析

歐洲極紫外光刻(EUVL)技術(shù)利用波長(zhǎng)為13.5納米的光子來(lái)制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來(lái)源是使用強(qiáng)大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大多數(shù)在13.5納米附近發(fā)射的錫離子(例如Sn10+-Sn15+)。
2023-09-25 11:10:50264

芯片和線路板的光刻技術(shù)不同?差別在哪里?

線路板的光刻技術(shù)
2023-09-21 10:20:34607

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP) 技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問(wèn)題

性能和速度上同時(shí)滿足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術(shù)是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù) , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術(shù)對(duì)于
2023-09-19 07:23:03

EUV光刻膠開(kāi)發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)?

EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì),當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度(LER)、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:42349

濕法去膠液的種類有哪些?去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?

光刻技術(shù)通過(guò)光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上,但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠,那么這個(gè)時(shí)候去膠液就發(fā)揮了作用,那么去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?
2023-09-06 10:25:011152

光伏刻蝕工藝流程 光刻蝕刻加工原理是什么

光刻蝕(Photolithography)是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù),用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用,通過(guò)光罩的設(shè)計(jì)和控制,將光影投射到光敏材料上,形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422270

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221

什么是光刻工藝?光刻的基本原理

光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn), 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531586

浸沒(méi)式光刻,拯救摩爾定律

2000年代初,芯片行業(yè)一直致力于從193納米氟化氬(ArF)光源光刻技術(shù)過(guò)渡到157納米氟(F 2 )光源光刻技術(shù)。
2023-08-23 10:33:46798

光刻技術(shù)概述及其分類

光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù),是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。簡(jiǎn)單地說(shuō),光刻類似照相復(fù)制方法,即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面,然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護(hù)下對(duì)硅片進(jìn)行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531480

EUV光刻市場(chǎng)高速增長(zhǎng),復(fù)合年增長(zhǎng)率21.8%

EUV掩膜,也稱為EUV掩?;駿UV光刻掩膜,對(duì)于極紫外光刻(EUVL)這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù),用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02396

次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上!

半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)通常是通過(guò)光刻設(shè)備的鏡頭來(lái)看待的,盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問(wèn)題幾乎永無(wú)休止,但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。
2023-07-28 17:41:161130

深紫外光刻復(fù)雜照明光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要 :隨著微電子產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,我國(guó)迫切需要研制極大規(guī)模集成電路的加工設(shè)備-光刻機(jī)。曝光波長(zhǎng)為193nm的投影式光刻機(jī)因其技術(shù)成熟、曝光線寬可延伸至32nm節(jié)點(diǎn)的優(yōu)勢(shì)已成為目前光刻領(lǐng)域的主流設(shè)備
2023-07-17 11:02:38592

光刻掩膜版測(cè)溫儀,光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀

GK-1000光刻掩膜版測(cè)溫儀,光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備,主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù),通過(guò)將光線通過(guò)
2023-07-07 11:46:07

虹科案例 | 用于低成本改造光刻設(shè)備的UV紫外光源

? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過(guò)程中,光源發(fā)射的紫外線通過(guò)掩模上的微小透鏡或光柵,然后投射到光刻膠層上,形成所需的微細(xì)圖案。 長(zhǎng)期以來(lái)
2023-07-05 10:11:241026

3D IC對(duì)光刻技術(shù)的新技術(shù)要求

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過(guò)程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-30 10:06:02261

基于機(jī)器學(xué)習(xí)的逆向光刻技術(shù)

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過(guò)程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-29 10:02:17327

晶圓代工廠如何突破物理極限提升光刻技術(shù)?

EUV微影技術(shù)的落實(shí)延續(xù)了摩爾定律的壽命,這里的EUV指的其實(shí)是一種紫外光源,跟過(guò)去光刻技術(shù)所采用的光源比起來(lái),EUV的波長(zhǎng)更短,因此有助于大幅提高分辨率。
2023-06-27 10:11:42248

光刻對(duì)準(zhǔn)原理與精度控制

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過(guò)程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-26 17:00:19766

一文了解光刻的歷史

如今,光刻技術(shù)已成為一項(xiàng)容錯(cuò)率極低的大產(chǎn)業(yè)。全球領(lǐng)先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴于世界上最平坦的鏡子、最強(qiáng)大的商用激光器之一以及比太陽(yáng)表面爆炸還高的熱度,在硅上刻出微小的形狀,尺寸僅為幾納米。
2023-06-26 16:59:16569

與EUV相比,這一光刻技術(shù)更具發(fā)展?jié)摿?/a>

光刻中承上啟下的半導(dǎo)體掩膜版

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在上游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中,除了光刻機(jī)等設(shè)備外,光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關(guān)鍵因素。就拿掩膜版來(lái)說(shuō),這個(gè)承載設(shè)計(jì)圖形的材料,經(jīng)過(guò)曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到
2023-06-22 01:27:001984

硅基光刻技術(shù)在柔性電子器件制造中的應(yīng)用

近日,湖南大學(xué)段輝高教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)開(kāi)發(fā)基于“光刻膠全干法轉(zhuǎn)印”技術(shù)的新型光刻工藝,用于柔性及不規(guī)則(曲面、懸空)襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造,為高精度、高可靠性和高穩(wěn)定性柔性電子器件的制造提供
2023-06-17 10:19:38507

面向光刻的設(shè)計(jì)規(guī)則建立及優(yōu)化

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過(guò)程中,除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-14 10:16:38226

芯片制造之光刻工藝詳細(xì)流程圖

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻機(jī)用于芯片的制造,曝光工藝極其復(fù)雜,后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試,實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝,技術(shù)難度相對(duì)較小。
2023-06-09 10:49:205857

芯片制造光刻步驟詳解

芯片前道制造可以劃分為七個(gè)環(huán)節(jié),即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。
2023-06-08 10:57:093765

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)
2023-06-06 11:23:54688

知識(shí)分享---光刻模塊標(biāo)準(zhǔn)步驟

通常,光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的,其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對(duì)準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征,以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像,并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418

逆向光刻的原理及其優(yōu)勢(shì)

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。
2023-05-26 14:59:17528

化學(xué)放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量,感光速度越快,單位時(shí)間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高,經(jīng)濟(jì)效益越好,另-方面,過(guò)快的感光速度會(huì)對(duì)引起工藝寬容度的減小,影響工藝制程的穩(wěn)定性。
2023-05-25 09:46:09561

光刻技術(shù):光學(xué)關(guān)鍵尺寸測(cè)量(OCD)原理

  集成電路芯片持續(xù)朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發(fā)展,其中最為關(guān)鍵的一個(gè)參數(shù)就是柵極線條寬度。任何經(jīng)過(guò)光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條寬度與設(shè)計(jì)尺寸的偏離都會(huì)直接影響最終器件的性能
2023-05-24 09:25:193491

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟,預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來(lái)繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。
2023-05-18 15:49:041790

一文講透光刻膠及芯片制造關(guān)鍵技術(shù)

在集成電路制造領(lǐng)域,如果說(shuō)光刻機(jī)是推動(dòng)制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”,光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122

二極管的鉗位作用和穩(wěn)壓作用什么不同啊?

二極管的鉗位作用和穩(wěn)壓作用什么不同啊?
2023-05-05 10:00:38

EUV光刻的無(wú)名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來(lái)圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來(lái)保護(hù)晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小,底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689

NVIDIA H100 GPU為2nm芯片加速計(jì)算光刻!

現(xiàn)代工藝技術(shù)將晶圓廠設(shè)備要求推向極限,需要實(shí)現(xiàn)突破其物理極限的高分辨率,這正是計(jì)算光刻技術(shù)發(fā)揮作用的地方。計(jì)算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術(shù),它結(jié)合來(lái)自ASML設(shè)備和測(cè)試晶圓的關(guān)鍵數(shù)據(jù),是一個(gè)模擬生產(chǎn)過(guò)程的算法。
2023-04-26 10:05:29918

淺談光刻技術(shù)

在整個(gè)芯片制造過(guò)程中,幾乎每一道工序的實(shí)施都離不開(kāi)光刻技術(shù)光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù),占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:031033

光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:331243

光刻技術(shù)的詳細(xì)工序

清洗硅片(Wafer Clean) 清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷,提高光刻膠黏附性 基本步驟:化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859

光刻技術(shù)的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-04-25 11:05:322260

什么是光刻技術(shù)

光刻技術(shù)簡(jiǎn)單來(lái)講,就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過(guò)程,是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場(chǎng)上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù),CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261

光刻技術(shù)簡(jiǎn)述

光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料(稱為抗蝕劑)上的過(guò)程
2023-04-25 09:55:131057

計(jì)算光刻技術(shù)有多重要?計(jì)算光刻如何改變2nm芯片制造?

光刻是在晶圓上創(chuàng)建圖案的過(guò)程,是芯片制造過(guò)程的起始階段,包括兩個(gè)階段——光掩膜制造和圖案投影。
2023-04-25 09:22:16696

負(fù)光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52

田字型電容橋什么作用

電路的作用問(wèn)題:這種“田”字電容電路什么作用?檢測(cè)嗎?
2023-04-19 17:35:04

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā),必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn),imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164

音圈電機(jī)模組在主流光刻掩模臺(tái)系統(tǒng)中的應(yīng)用

光刻機(jī)是芯片智造的核心設(shè)備之一,也是當(dāng)下尤為復(fù)雜的精密儀器之一。正因?yàn)榇?,荷蘭光刻機(jī)智造商阿斯麥通研制的EUV光刻機(jī)才會(huì)“千金難求”。 很多人都對(duì)光刻機(jī)有所耳聞,但其實(shí)不同光刻機(jī)的用途并不
2023-04-06 08:56:49679

Dev Error Detect什么作用?

我想知道 OSIF 的含義以及有關(guān)其配置的一些信息。 1. “Dev Error Detect”什么作用?它是否啟用斷言來(lái)檢查/檢測(cè)有關(guān) Osif 驅(qū)動(dòng)程序的錯(cuò)誤?2.“使用系統(tǒng)定時(shí)器”選項(xiàng)
2023-03-27 08:56:50

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍 NVIDIA cuLitho的計(jì)算光刻庫(kù)可以將計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍。這對(duì)于半導(dǎo)體制造而言極大的提升了效率。甚至可以說(shuō)
2023-03-23 18:55:377489

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