FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導(dǎo)體制造工藝的根基，接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上，都將轉(zhuǎn)向全環(huán)繞立體柵極晶體管。
2023-10-23 11:15:08
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; 晶體管，本名是半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個PN結(jié)，外部通常為三個引出電極的半導(dǎo)體器件。它對電信號有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。輸入級和輸出
2010-08-12 13:57:39
最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC。
2023-07-26 18:21:58998 
在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點(diǎn)只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實(shí)現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因?yàn)殡娦盘栐诿總€晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:43253 然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個晶體管只有 3 個原子的厚度，堆疊起來制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-31 15:45:29975 
然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個晶體管只有 3 個原子的厚度，堆疊起來制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-30 14:24:481116 
PMOS晶體管，也稱為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個主要端子：源極、柵極和漏極。晶體管的源極端子由
2023-02-11 16:48:038728 
場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應(yīng)于晶體管放大電路，場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:001635 BSPDN可以理解為Chiplet技術(shù)的演變(圖自：IMEC) 目前主流的 FinFET(過去被稱為 3D 晶體管)是 10nm 工藝發(fā)展過程中的關(guān)鍵芯片設(shè)計技術(shù)，采用三面包覆式的柵極設(shè)計，可以在三個側(cè)面圍起電流通道，以此減少漏電流(電子泄露)。
2022-11-11 14:42:53570 在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個極的基礎(chǔ)知識。場效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用
2022-09-27 15:29:505811 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，F(xiàn)inFET的效用已經(jīng)趨于極限。
2022-08-01 15:33:11799 FinFET確切的說，是一個技術(shù)的代稱。世界上第一個3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功，當(dāng)時英特爾稱其為 “Tri-Gate”（三柵極晶體管）。
2022-07-08 15:04:261549 北斗星通的22nm工藝的全系統(tǒng)全頻厘米級高精度GNSS芯片，在單顆芯片上實(shí)現(xiàn)了基帶+射頻+高精度算法一體化。
2022-07-04 15:53:481290 現(xiàn)在的芯片技術(shù)越來越先進(jìn)，人們常常能夠聽到某某公司又研發(fā)出5nm、4nm芯片的消息，而目前全球所研發(fā)出的最先進(jìn)的芯片是IBM公司的2nm芯片，我們都知道芯片內(nèi)部有很多晶體管，那么2nm芯片的晶體管
2022-07-04 09:15:363450 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國華城工廠開始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:271768 的技術(shù)呢？ 據(jù)了解，全球芯片巨頭Intel在2011年發(fā)布了22nm工藝，而在2012年第三季度，臺積電也開始了22nmHP制程的芯片研發(fā)工作，因此可得出22nm芯片最早在2011年被發(fā)布出來，是2011年的技術(shù)。 不過這并不代表著我國這些22nm芯片就很落后，相反，在導(dǎo)航定位領(lǐng)
2022-06-29 11:06:174290 我國在半導(dǎo)體行業(yè)一直都處于落后狀態(tài)，不過近幾年已經(jīng)慢慢地開始追趕上來了，在半導(dǎo)體設(shè)備這方面，我國的上海微電子已經(jīng)成功研發(fā)出了深紫外光光刻機(jī)，這種光刻機(jī)能夠進(jìn)行22nm制程工藝的加工，也就是說在
2022-06-29 10:37:361595 之前北斗星通所宣布的22nm定位芯片在業(yè)界引起了巨大的轟動，北斗星通的創(chuàng)始人周儒欣表示：這顆芯片應(yīng)該是全球衛(wèi)星導(dǎo)航領(lǐng)域最先進(jìn)的一顆芯片了。 有人就對這句話感到懷疑了，北斗星通22nm芯片先進(jìn)嗎？臺積
2022-06-29 10:11:402297 據(jù)芯片行業(yè)來看，目前22nm和28nm的芯片工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟了，很多廠商也使用22nm、28nm的芯片居多，主要原因就是價格便宜，那么這兩個芯片之間有什么性能差異呢？
2022-06-29 09:47:467231 在全球范圍內(nèi)，目前共有美國、俄羅斯、中國三個國家擁有完整的衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)，我們中國的衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)就是大名鼎鼎的北斗導(dǎo)航系統(tǒng)，這款導(dǎo)航系統(tǒng)采用了一款北斗22nm芯片，那么這款北斗22nm芯片用途是什么呢
2022-06-27 11:56:362559 目前從全球范圍來說，也就只有臺積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 （Gate-all-around，GAA） 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:542136 晶體管是器件中提供開關(guān)功能的關(guān)鍵組件。幾十年來，基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時，平面晶體管開始出現(xiàn)疲態(tài)。為此，英特爾在2011年推出了22nm的FinFET，之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進(jìn)。
2021-03-22 11:35:241945 作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成
2021-01-25 15:25:402669 
領(lǐng)先的移動和汽車SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社
2021-01-21 10:18:232193 ? ? FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮項(xiàng)目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了
2020-12-30 17:45:162468 互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管（hCFET）。 由于微加工技術(shù)的進(jìn)步，電場效應(yīng)晶體管（FET）已實(shí)現(xiàn)了高性能和低功耗。 在22nm世代中，它推進(jìn)到被稱為“ FinFET”的三維柵極結(jié)構(gòu)的FET。此外，GAA（全方位門）結(jié)構(gòu)已作為替代版本出現(xiàn)。 除此之外，還有一種稱為CFET結(jié)構(gòu)的技術(shù)，該結(jié)構(gòu)是將
2020-12-21 10:36:582844 全環(huán)繞柵極晶體管的出現(xiàn)滿足了以上所有需求，從而允許摩爾定律在5納米之后進(jìn)一步前進(jìn)。首先其生產(chǎn)工藝與鰭式晶體管相似，關(guān)鍵工藝步驟幾乎一樣（這點(diǎn)我們會在之后的文章中進(jìn)一步講解）。其次，全環(huán)繞柵極晶體管
2020-09-29 13:54:393601 圖片來源：聯(lián)電 12月2日，中國臺灣半導(dǎo)體代工廠聯(lián)電（UMC）宣布，在首次成功使用硅技術(shù)之后，其22nm制程技術(shù)已準(zhǔn)備就緒。 該公司稱，全球面積最小、使用22nm制程技術(shù)的USB 2.0通過硅驗(yàn)證
2019-12-03 09:59:414346 在9月的臺灣SEMICON國際半導(dǎo)體展上，臺積電（TSMC）首席執(zhí)行官M(fèi)ark Lui認(rèn)為摩爾定律仍然有效。他表示，由于先進(jìn)工藝技術(shù)（如納米片）或3D FinFETS中的全柵晶體管技術(shù)的發(fā)展
2019-10-15 15:11:025321 今天有多家媒體報道了中國科研人員實(shí)現(xiàn)了3nm半導(dǎo)體工藝的突破性進(jìn)展，香港《南華早報》稱中科院微電子所團(tuán)隊的殷華湘等人研究出了3nm晶體管，相當(dāng)于人類DNA鏈條寬度，這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學(xué)的限制。
2019-05-29 16:48:094236 XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示?，F(xiàn)在的CPU內(nèi)集成了以億為單位的晶體管，這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
2019-02-20 11:08:0231585 新的微加工技術(shù)可用于生產(chǎn)有史以來最小的3D晶體管，尺寸是目前主流商用產(chǎn)品的三分之一。
2018-12-12 09:40:482861 半導(dǎo)體行業(yè)觀察：目前，制造先進(jìn)芯片離不開晶體管，其核心在于垂直型柵極硅，原理是當(dāng)設(shè)備開關(guān)開啟時，電流就會通過該部位，然后讓晶體管運(yùn)轉(zhuǎn)起來。
2017-12-26 11:50:544280 intel的22nm 3D工藝牛，到底牛到什么程度，到底對業(yè)界有神馬影響，俺也搞不太清楚。這不，一封email全搞定了。
2017-02-11 10:47:111166 為什么說7nm是物理極限?縮短晶體管柵極的長度可以使CPU集成更多的晶體管或者有效減少晶體管的面積和功耗，并削減CPU的硅片成本。不過這種做法也會使電子移動的距離縮短，容易導(dǎo)致晶體管內(nèi)部電子自發(fā)通過
2016-10-10 16:49:395765 目前3D晶體管成為代工產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)，但很多人關(guān)于這個技術(shù)的細(xì)節(jié)不是很了解，我們在這里介紹一下。
2015-12-28 14:34:1211367 
對于英特爾來說，要想在移動芯片市場多分得一杯羹，就需要借助其更加先進(jìn)的制造能力的優(yōu)勢。而今日宣布的新款A(yù)tom SoCs——舉例來說——即基于22nm的3D或“三柵極晶體管”工藝。與傳統(tǒng)
2014-02-25 09:08:51930 i HD1000是Speedster22i FPGA產(chǎn)品家族的首個成員。該器件采用英特爾領(lǐng)先的22nm 3D Tri-Gate晶體管技術(shù)，其功耗是競爭對手同類器件的一半。
2013-03-04 13:47:581477 IBM在Common Platform技術(shù)論壇上展示了藍(lán)色巨人對未來晶圓的發(fā)展預(yù)測，Common Platform是IBM、Globalfoundries和Samsung的聯(lián)盟，旨在研究3D晶體管
2013-02-20 23:04:307669 英特爾在4月23日正式發(fā)布Ivy Bridge處理器。Ivy Bridge是英特爾首款22nm工藝處理器，采用革命性的三柵極3D晶體管工藝制造。緊隨其后，美國FPGA廠商Achronix在次日便宣布發(fā)布全球首款22nm工藝
2013-01-16 16:55:131363 近日消息，英特爾計劃將“3D晶體管”工藝應(yīng)用到SoC移動芯片上，以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升，但對于“3D晶體管”技術(shù)是否適用于SoC芯片的制造，參與舊金山國際電子產(chǎn)品大會的專家們
2012-12-11 09:05:451014 裸眼3D顯示技術(shù)詳解介紹了3D顯示原理、3D顯示分類、柱狀透鏡技術(shù)、視差屏障技術(shù)、指向光源技術(shù)以及3D顯示技術(shù)發(fā)展趨勢。
2012-08-17 13:39:55
143 英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:24921 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241179 英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:244748 本文核心議題： 本文是對Intel 22nm三柵技術(shù)的后續(xù)追蹤報道，為此，這里搜集了多位業(yè)界觀察家、分析家對此的理解和意見，以便大家I更深入的了解ntel 22nm三柵技術(shù)。 鰭數(shù)可按需要進(jìn)行
2012-08-15 09:46:031199 
Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經(jīng)逐步進(jìn)入大家的視線了，本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點(diǎn)。
2012-08-08 11:49:461736 什么是3D晶體管？3D晶體管，從技術(shù)上講，應(yīng)該是三個門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:012992 本文通過高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:1870 2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計，最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功，并于4月29日開始全球銷售。
2012-05-13 09:35:434558 Achronix 半導(dǎo)體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產(chǎn)品系列的細(xì)節(jié)，它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術(shù)工藝制造的首批現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）產(chǎn)品。Speedster22i FPGA產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)唯一
2012-04-25 09:12:051138 Intel Ivy Bridge處理器只是一次制程升級，對CPU性能來說沒什么特別的，但是就制造工藝而言，Ivy Bridge不啻于一場革命，因?yàn)樗粌H是首款22nm工藝產(chǎn)品，更重要的是Intel將從22nm工藝節(jié)點(diǎn)開
2012-04-18 14:02:29890 
在22nm，或許是16nm節(jié)點(diǎn)，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發(fā)中，業(yè)界都爭先
2012-03-25 10:52:161363 
在22nm，或許是16nm節(jié)點(diǎn)，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發(fā)中，業(yè)界都爭先
2012-03-06 10:08:161756 可編程邏輯廠商Tabula 2月21日確認(rèn)，英特爾將使用最新技術(shù)3-D三柵極晶體管技術(shù)為其代工22-nm3PLD產(chǎn)品。
2012-02-21 15:07:15875 
晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)的基石，而Intel 此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發(fā)明，甚至可以說是重新發(fā)明了晶體管。半個多世紀(jì)以來，晶體管一直都在使用2-D 平面結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在終于邁入
2012-01-18 15:28:52146 Intel在微處理器晶體管設(shè)計上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401274 近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變
2011-10-23 01:01:04867 在本周于舊金山召開的英特爾開發(fā)者大會(IDF)中，英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術(shù)的22nm元件細(xì)節(jié)，并進(jìn)一步說明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設(shè)計概念。
2011-09-16 09:23:43811 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42496 臺積電又跳過22nm工藝 改而直上20nm
為了在競爭激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺積電已經(jīng)決定跳過22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:16816 Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581019 什么是絕緣柵極雙極性晶體管
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個場效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個P型層.根據(jù)國際電工委員會IEC/TC(CO)1
2010-03-05 15:49:223985 臺積電計劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片
據(jù)臺積電公司負(fù)責(zé)開發(fā)的高級副總裁蔣尚義透露，他們計劃于2012年第三季度開始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并
2010-02-26 12:07:17783
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