人員接手試產(chǎn)及量產(chǎn)作業(yè)的種子團(tuán)隊(duì)，推動(dòng)新竹寶山和高雄廠于 2024年同步南北試產(chǎn)、2025年量產(chǎn)。 ? 從1971的10000nm制程到5nm，從5nm向3nm、2nm發(fā)展和演進(jìn)，芯片制造領(lǐng)域制程工藝的角逐從來(lái)未曾停歇，到現(xiàn)在2nm芯片大戰(zhàn)已經(jīng)全面打響。 ? 先進(jìn)制程工藝演
2023-08-20 08:32:07
2089 
李時(shí)榮聲稱(chēng)，“客戶對(duì)代工企業(yè)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與穩(wěn)定供應(yīng)有嚴(yán)格要求，而4
nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3
nm工藝及明年2
nm工藝的量產(chǎn)，并積極與潛在客戶協(xié)商?！?/div>
2024-03-21 15:51:4381 座艙芯片主要企業(yè)在中國(guó)市場(chǎng)排名（按收入）
表 19：近三年中國(guó)市場(chǎng)主要企業(yè)7nm智能座艙芯片銷(xiāo)售收入（2021-2024）
表 20：全球主要廠商7nm智能座艙芯片總部及產(chǎn)地分布
表 21：全球主要
2024-03-16 14:52:46
技術(shù)、EDA、IP 和設(shè)計(jì)方法之間深?yuàn)W而微妙的相互作用對(duì)于與分解的供應(yīng)鏈進(jìn)行協(xié)調(diào)變得非常具有挑戰(zhàn)性。臺(tái)積電也是這個(gè)時(shí)代的先驅(qū)。
仔細(xì)觀察一下，我們又要回到原點(diǎn)了。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷成熟，工藝復(fù)雜性
2024-03-13 16:52:37
FreePDK 45nm 的一個(gè) Flip-Flop 的面積是多少μm^2有償（50米）
2024-03-05 19:48:46
梯隊(duì)的廠商們還在成熟工藝上穩(wěn)扎穩(wěn)打。 ? 早在兩年前，我們還會(huì)將28nm視作成熟工藝以及先進(jìn)工藝的分水嶺。但隨著3nm的推出，以及即將到來(lái)的2nm，成熟工藝的定義已經(jīng)發(fā)生了變化，分水嶺已然換成了T2和T3晶圓廠不愿投入的7nm/8nm工藝
2024-02-21 00:17:002598 
臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步規(guī)劃A14和A10生產(chǎn)線，將視市場(chǎng)需求決定是否新增2nm制程工藝。
2024-01-31 14:09:34241 在熊本縣菊陽(yáng)町，臺(tái)積電、索尼和日本電裝聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一個(gè)12英寸晶圓加工基地，該基地應(yīng)用12nm、16nm和22nm至28nm技術(shù)，預(yù)計(jì)月底建成。此外，其量產(chǎn)時(shí)間已定為2024年第四期。
2024-01-30 09:38:35332 目前，臺(tái)積電已完成與日本的一項(xiàng)聯(lián)合建設(shè)晶圓廠協(xié)議，預(yù)計(jì)在今年2月24日舉行投產(chǎn)慶典。日本的這處晶圓廠使用12nm、16nm、22nm及28nm等先進(jìn)制程工藝，自啟動(dòng)以來(lái)進(jìn)展順利，引來(lái)業(yè)界廣泛關(guān)注。
2024-01-29 14:00:42178 例如，盡管iPhone 15 Pro已發(fā)布四個(gè)月，A17 Pro仍在使用臺(tái)積電專(zhuān)有的3nm工藝。根據(jù)MacRumors的報(bào)告，這一趨勢(shì)似乎仍將延續(xù)至2nm工藝。
2024-01-26 09:48:34202 臺(tái)積電的2nm技術(shù)是3nm技術(shù)的延續(xù)。一直以來(lái)，臺(tái)積電堅(jiān)定地遵循著每一步一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)策略，穩(wěn)扎穩(wěn)打，不斷突破。
2024-01-25 14:14:16100 該公司的首席開(kāi)發(fā)官Sandeep Bharathi透露，其實(shí)施2nm相關(guān)的投資計(jì)劃已啟動(dòng)。雖無(wú)法公布準(zhǔn)確的工藝和技術(shù)細(xì)節(jié)，但已明確表示，2至5nm制程的項(xiàng)目投入正在進(jìn)行。公司專(zhuān)家，尤其是來(lái)自印度的專(zhuān)業(yè)人才，涵蓋了從數(shù)字設(shè)計(jì)到電路驗(yàn)證等各個(gè)層面。
2024-01-24 10:24:26173 據(jù)悉，臺(tái)積電自2022年12月份起開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝，然而由于成本考量，第一代3納米工藝僅由蘋(píng)果使用。其他如聯(lián)發(fā)科、高通等公司則選擇了4nm工藝。
2024-01-05 10:13:06193 這座晶圓廠于2022年4月開(kāi)始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片，這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個(gè)變種，專(zhuān)用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433 據(jù)悉，2024年臺(tái)積電的第二代3nm工藝（稱(chēng)為N3E）有望得到更廣泛運(yùn)用。此前只有蘋(píng)果有能力訂購(gòu)第一代N3B高端晶圓。經(jīng)過(guò)解決工藝難題及提升產(chǎn)量后，臺(tái)積電推出經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的3nm版型，吸引更多企業(yè)采用。
2024-01-03 14:15:17279 英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開(kāi)始流片，意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠(yuǎn)。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進(jìn)程度無(wú)疑已經(jīng)超過(guò)了三星和臺(tái)積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52799 12 月 14 日消息，臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025
2023-12-18 15:13:18191 請(qǐng)問(wèn)如何通過(guò)AD2S1210的A,B和NM信號(hào)來(lái)計(jì)算轉(zhuǎn)速
2023-12-15 07:54:43
1. 臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)
2023-12-14 11:16:00733 芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽(tīng)到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來(lái)看看吧！
2023-12-07 11:45:311591 
引入不同的氣態(tài)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行的，這些化學(xué)物質(zhì)通過(guò)與基材反應(yīng)來(lái)改變表面。IC最小特征的形成被稱(chēng)為前端制造工藝（FEOL），本文將集中簡(jiǎn)要介紹這部分，將按照如下圖所示的 22 nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造 FinFET 的工藝流程，解釋了 FEOL 制造過(guò)程中最重要的工藝步驟。
2023-12-06 18:17:331122 
3nm工藝剛量產(chǎn)，業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了，并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大挑戰(zhàn)，同樣也考驗(yàn)著EDA公司，以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)芯片的客戶。
2023-12-06 09:09:55693 今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對(duì)比學(xué)習(xí)。 言歸正傳，接下來(lái)介紹平面工藝最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514232 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
全套的西門(mén)子控制系統(tǒng)，電機(jī)也是西門(mén)子的變頻電機(jī)（非貝得，2920rpm,48nm）。
因?yàn)樵O(shè)備本身裝有扭矩，轉(zhuǎn)速傳感器。電機(jī)工作轉(zhuǎn)速2000轉(zhuǎn)，輸出扭矩到20nm左右時(shí)，大概有50轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速下降。當(dāng)
2023-11-09 07:33:19
前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝，而M3系列芯片的發(fā)布，標(biāo)志著蘋(píng)果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代。 3nm利用先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）技術(shù)，可制造極小的晶體管，一根頭發(fā)的橫截面就能容納兩百萬(wàn)個(gè)晶體管。蘋(píng)果用這些晶體管來(lái)優(yōu)化新款芯片的每個(gè)組件。
2023-11-07 12:39:13310 
FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導(dǎo)體制造工藝的根基，接下來(lái)在Intel 20A、臺(tái)積電2nm、三星3nm上，都將轉(zhuǎn)向全環(huán)繞立體柵極晶體管。
2023-10-23 11:15:08279 
了臺(tái)積電3nm 工藝（N3B），晶體管數(shù)量達(dá)到了190 億，比前代 A16 增加了近 20%，CPU 性能提升了約
2023-10-20 12:06:23930 2nm芯片什么時(shí)候出 2nm芯片什么時(shí)候出這個(gè)問(wèn)題目前沒(méi)有相關(guān)官方的報(bào)道，因此無(wú)法給出準(zhǔn)確的回答。根據(jù)網(wǎng)上的一些消息臺(tái)積電于6月16日在2022年度北美技術(shù)論壇上首次宣布，將推出下一代先進(jìn)工藝制程
2023-10-19 17:06:18799 2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 更小的節(jié)點(diǎn)尺寸
2023-10-19 16:59:161958 臺(tái)積電推出了世界上第一個(gè)3nm智能手機(jī)芯片apple a17 pro，該芯片也用于新款iphone 15 pro。據(jù)悉，tsmc到2023年為止，將只批量生產(chǎn)蘋(píng)果的3nm工藝。
2023-09-25 14:25:28616 的大部分時(shí)間里，用于制造芯片的工藝節(jié)點(diǎn)的名稱(chēng)是由晶體管柵極長(zhǎng)度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線寬來(lái)指定的。350nm工藝節(jié)點(diǎn)就是一個(gè)例子。
2023-09-19 15:48:434475 
Z20K11xN采用國(guó)產(chǎn)領(lǐng)先半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車(chē)規(guī) 40nm工藝，提供LQFP48，LQFP64以及LQFP100封裝，CPU主頻最大支持64MHz，支持2路帶64個(gè)郵箱的CAN-FD通訊接口，工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:081073 
據(jù)21ic了解，聯(lián)發(fā)科技2022年11月發(fā)布的“天璣9200”旗艦芯片，首次采用了臺(tái)積電第二代4nm制程工藝；而即將在今年下半年發(fā)布的“天璣9300”，據(jù)說(shuō)仍會(huì)采用臺(tái)積電4nm工藝。由此推測(cè)，明年的這款3nm旗艦芯片，可能就是下一代的“天璣9400”。
2023-09-11 17:25:506325 
請(qǐng)問(wèn)哪位有NM1820的電調(diào)驅(qū)動(dòng)方案的代碼工程文件，能分享一下嗎？謝謝，最好是有代碼的解釋哈。
2023-09-06 08:04:17
如何設(shè)定NM1200為48M CPU Clock
2023-09-06 07:59:15
NM1520 在 Keil 中 On-Line Debug下
1. 無(wú)法使用 PInView 觀看個(gè)個(gè)Pin
2. 周邊的暫存器也無(wú)法觀看
3. 重設(shè)config0/1 (default) 外部
2023-09-06 06:40:30
有無(wú)NM1200 Sensorless 弦波FOC參考軟件包?
2023-09-06 06:35:16
你好，NM18101電機(jī)應(yīng)用文件包有嗎？
2023-09-05 08:03:29
NM1817NT有沒(méi)有datasheet?
2023-09-05 07:11:10
Angus，你好！我們用NM1234D設(shè)計(jì)的BLDC電流很大，持續(xù)工作電流超過(guò)70A，所以我們?cè)谀妇€上使用的采樣電阻很小只有0.5毫歐。我們?cè)瓉?lái)的方案是在采樣旁邊加運(yùn)放放大后，進(jìn)
ADC，現(xiàn)在
2023-09-05 06:49:37
根據(jù)外媒報(bào)道，據(jù)稱(chēng)臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過(guò)根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋(píng)果收取良品芯片的費(fèi)用！
2023-08-08 15:59:27780 8月8日消息，據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%，但根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋(píng)果收取良品芯片的費(fèi)用！
2023-08-08 14:13:40491 作為行業(yè)老大，臺(tái)積電稱(chēng)將如期在2025年上線2nm工藝，2025年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。2nm可謂是臺(tái)積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，該工藝將采用納米片晶體管（Nanosheet），取代FinFET，意味著臺(tái)積電工藝正式進(jìn)入GAA時(shí)代。
2023-08-07 16:22:53456 Intel將在下半年發(fā)布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝，也就是之前的7nm，但是Intel認(rèn)為它能達(dá)到4nm級(jí)別的水平，所以改了名字。
2023-08-01 09:41:50561 營(yíng)收大幅下降，同比下降22%至469.15億美元，三星半導(dǎo)體部門(mén)（包括內(nèi)存、SoC和代工業(yè)務(wù)）的營(yíng)收下降至298.6億美元，同比下降48%，業(yè)務(wù)虧損34億美元。作為三星收益報(bào)告的一部分，該公司還透露其第三款3nm(GAAFET)芯片已開(kāi)始生產(chǎn)：“得益于3nm工藝的穩(wěn)定，我們的第三款
2023-07-31 10:56:44480 近幾年，芯片產(chǎn)業(yè)越來(lái)越火熱，一些行業(yè)內(nèi)的術(shù)語(yǔ)大家也聽(tīng)得比較多了。那么工藝節(jié)點(diǎn)、制程是什么，"7nm" 、"5nm"又是指什么？
2023-07-28 17:34:335639 
一篇拆解報(bào)告，稱(chēng)比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:571012 目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺(tái)積電的80%。然而，通過(guò)加強(qiáng)對(duì)3nm技術(shù)的發(fā)展，三星有望在未來(lái)趕超臺(tái)積電。
2023-07-19 16:37:423176 據(jù)了解，臺(tái)積電已將高雄廠敲定2nm計(jì)劃向經(jīng)濟(jì)部及高雄市政府提報(bào)，希望政府協(xié)助后續(xù)供水及供電作業(yè)。因2nm制程將采用更耗電的極紫外光（ＥＵＶ）微影設(shè)備，耗電量比位于南科的3nm更大，臺(tái)積電高雄廠改為直接切入2nm計(jì)劃，是否得重做環(huán)境影響差異分析，將成各界關(guān)注焦點(diǎn)。
2023-07-18 15:19:48682 
英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門(mén)IFS后，將向三方開(kāi)放芯片制造加工服務(wù)，可能是為了吸引客戶，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:58757 泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個(gè)主要問(wèn)題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，leakage power仍然在總功耗中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2023-07-12 16:24:232882 
RK3568是瑞芯微出品的一款定位中高端的通用型SoC，采用22nm先進(jìn)制程工藝，集成4核 arm 架構(gòu) A55 處理器和 Mali G52 2EE 圖形處理器，支持4K解碼和1080P編碼。
2023-07-07 17:35:32704 
IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:39
2 外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開(kāi)始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開(kāi)始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開(kāi)始量產(chǎn)汽車(chē)所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458 隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷發(fā)展（現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越來(lái)越高，規(guī)模也越來(lái)越大
2023-06-29 15:24:111741 
在芯片制造領(lǐng)域，3nm方興未艾，圍繞著2nm的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)全面打響。
2023-06-28 15:58:42461 
NM1330為何沒(méi)有資料也沒(méi)介紹?
2023-06-28 06:01:43
盡管英特爾的第14代酷睿尚未發(fā)布，但第15代酷睿（代號(hào)Arrow Lake）已經(jīng)曝光。新的酷睿系列產(chǎn)品將改為酷睿Ultra系列，并使用臺(tái)積電的3nm工藝，預(yù)計(jì)會(huì)有顯著的性能提升。
2023-06-20 17:48:571100 NM1200 UART1可以使用嗎？官方BSP庫(kù)文件里面沒(méi)有P14-RXD和P15-TXD的功能配置
只有對(duì)Uart1的一些寄存器配置，數(shù)據(jù)手冊(cè)明確指出P14和P15 可以配置為Uart1，
2023-06-19 08:05:56
網(wǎng)站上沒(méi)有NM1320的資料和頭文件
2023-06-15 10:02:55
跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-06-15 08:57:31
【視頻】盤(pán)古Logos系列PGL22G關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤(pán)古22K開(kāi)發(fā)板#紫光同創(chuàng)FPGA開(kāi)發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的FPGA主控芯片（Logos系列: PGL22G-MBG324），掛載
2023-06-12 17:38:43
的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專(zhuān)家的帶領(lǐng)下，向著更加先進(jìn)的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國(guó)際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進(jìn)的
2023-06-06 15:34:2117913 在探討半導(dǎo)體行業(yè)時(shí)，我們經(jīng)常會(huì)聽(tīng)到兩個(gè)概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點(diǎn)。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個(gè)重要的概念。
2023-06-06 10:44:001420 
mm9z1J638的wafer有多少nm？
2023-05-31 07:34:37
瑞芯微RK3568芯片是一款定位中高端的通用型SOC，采用22nm制程工藝，搭載一顆四核Cortex-A55處理器和Mali G52 2EE 圖形處理器。RK3568 支持4K 解碼和 1080P
2023-05-29 11:09:01
PCA2129的wafer有多少nm？
2023-05-29 08:50:39
SPC5644的wafer有多少nm？
2023-05-25 08:46:07
S9S12G128的wafer有多少nm？
2023-05-24 07:38:27
處理器采用22nm工藝，主頻高達(dá)2.0GHz；支持藍(lán)牙、Wi-Fi、音頻、視頻和攝像頭等功能，擁有豐富的擴(kuò)展接口，支持多種視頻輸入輸出接口，配置雙千兆自適應(yīng)RJ45以太網(wǎng)口，可滿足NVR、工業(yè)網(wǎng)關(guān)等多網(wǎng)口
2023-05-16 14:56:42
需求變化，臺(tái)積電28nm設(shè)備訂單全部取消！
對(duì)于這一消息，臺(tái)積電方面表示，相關(guān)制程技術(shù)與時(shí)間表依客戶需求及市場(chǎng)動(dòng)向而定，目前正處法說(shuō)會(huì)前緘默期，不便多做評(píng)論，將于法說(shuō)會(huì)說(shuō)明。
目前28nm工藝代工市場(chǎng)
2023-05-10 10:54:09
、345nm、355nm、365nm、370nm、375nm、385nm、395nm）
金屬外殼常采用鋼、銅、鋁、柯伐合金等材料，表面電鎮(zhèn)一定厚度的鎳層或鎳-金層，其良好的封裝氣密性可以保護(hù)芯片不妥外界環(huán)境因素的影響。
2023-05-09 17:10:53
1300NM
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進(jìn)行鍵合連接，外引線通過(guò)金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過(guò)金屬外殼，將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號(hào)等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07
光刻技術(shù)簡(jiǎn)單來(lái)講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過(guò)程，是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場(chǎng)上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù)，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261 
此次采用全新22nm工藝生產(chǎn)的首顆MCU，擴(kuò)展了瑞薩廣受歡迎的基于32位Arm Cortex-M內(nèi)核的RA產(chǎn)品家族。該新型無(wú)線MCU支持低功耗藍(lán)牙5.3 (BLE)，并集成了軟件定義無(wú)線電（SDR）。
2023-04-14 11:08:23628 臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個(gè)是技術(shù)，一個(gè)是資金，一個(gè)是市場(chǎng)，在技術(shù)上日本是指望跟美國(guó)的IBM公司合作，后者前兩年就演示過(guò)2nm工藝，但I(xiàn)BM的2nm工藝還停留在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別，距離量產(chǎn)要很遠(yuǎn)。
2023-04-14 10:24:55507 瑞薩電子今日宣布推出基于 22nm 制程的首顆微控制器（MCU）。通過(guò)采用先進(jìn)工藝技術(shù)，提供卓越性能，并通過(guò)降低內(nèi)核電壓來(lái)有效降低功耗。先進(jìn)的工藝技術(shù)還提供更豐富的集成度（比如 RF 等），能夠在更小的裸片面積上實(shí)現(xiàn)相同的功能，從而實(shí)現(xiàn)了外設(shè)和存儲(chǔ)的更高集成度。
2023-04-12 10:07:19454 下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時(shí)間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖?？梢钥闯觯琒RAM的布局從65nm節(jié)點(diǎn)已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451 
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