光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機(jī)發(fā)展到浸沒(méi)步進(jìn)式投影光刻機(jī)和極紫外式光刻機(jī)。
2024-03-21 11:31:41
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制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(jí)（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過(guò)約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級(jí)或更高。
2024-03-20 12:36:0054 
是德科技與Intel Foundry的這次合作，無(wú)疑在半導(dǎo)體和集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域引起了廣泛的關(guān)注。雙方成功驗(yàn)證了支持Intel 18A工藝技術(shù)的電磁仿真軟件，為設(shè)計(jì)工程師們提供了更加先進(jìn)和高效的設(shè)計(jì)工具。
2024-03-08 10:30:37274 UMS的CHA3688aQDG是款三級(jí)自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
CHA3688aQDG選用 pHEMT 工藝技術(shù)、0.25μm 柵極尺寸、橫穿基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻工藝生產(chǎn)
2024-03-06 15:46:20
利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062 
設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在可以使用 RFPro 對(duì) Intel 18A 半導(dǎo)體工藝技術(shù)中的電路進(jìn)行電磁仿真
2024-02-27 14:29:15133 梯隊(duì)的廠商們還在成熟工藝上穩(wěn)扎穩(wěn)打。 ? 早在兩年前，我們還會(huì)將28nm視作成熟工藝以及先進(jìn)工藝的分水嶺。但隨著3nm的推出，以及即將到來(lái)的2nm，成熟工藝的定義已經(jīng)發(fā)生了變化，分水嶺已然換成了T2和T3晶圓廠不愿投入的7nm/8nm工藝
2024-02-21 00:17:002598 
在熊本縣菊陽(yáng)町，臺(tái)積電、索尼和日本電裝聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一個(gè)12英寸晶圓加工基地，該基地應(yīng)用12nm、16nm和22nm至28nm技術(shù)，預(yù)計(jì)月底建成。此外，其量產(chǎn)時(shí)間已定為2024年第四期。
2024-01-30 09:38:35332 目前，臺(tái)積電已完成與日本的一項(xiàng)聯(lián)合建設(shè)晶圓廠協(xié)議，預(yù)計(jì)在今年2月24日舉行投產(chǎn)慶典。日本的這處晶圓廠使用12nm、16nm、22nm及28nm等先進(jìn)制程工藝，自啟動(dòng)以來(lái)進(jìn)展順利，引來(lái)業(yè)界廣泛關(guān)注。
2024-01-29 14:00:42178 例如，盡管iPhone 15 Pro已發(fā)布四個(gè)月，A17 Pro仍在使用臺(tái)積電專有的3nm工藝。根據(jù)MacRumors的報(bào)告，這一趨勢(shì)似乎仍將延續(xù)至2nm工藝。
2024-01-26 09:48:34202 這座晶圓廠于2022年4月開(kāi)始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片，這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個(gè)變種，專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433 據(jù)悉，2024年臺(tái)積電的第二代3nm工藝（稱為N3E）有望得到更廣泛運(yùn)用。此前只有蘋果有能力訂購(gòu)第一代N3B高端晶圓。經(jīng)過(guò)解決工藝難題及提升產(chǎn)量后，臺(tái)積電推出經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的3nm版型，吸引更多企業(yè)采用。
2024-01-03 14:15:17279 用光作為畫(huà)筆在微納米世界中作畫(huà)。
2023-12-28 16:00:08169 所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會(huì)產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多，此次漲價(jià)涉及的KrF 光刻膠則屬高級(jí)別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。
2023-12-28 11:14:34379 掩模版（Photomask）又稱光罩、光掩模、光刻掩模版、掩膜版、掩膜板等，是光刻工藝中關(guān)鍵部件之一，是下游行業(yè)產(chǎn)品制造過(guò)程中的圖形“底片”轉(zhuǎn)移用的高精密工具
2023-12-25 11:41:135385 
英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開(kāi)始流片，意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠(yuǎn)。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進(jìn)程度無(wú)疑已經(jīng)超過(guò)了三星和臺(tái)積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52799 光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽(tīng)到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來(lái)看看吧！
2023-12-07 11:45:311591 
引入不同的氣態(tài)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行的，這些化學(xué)物質(zhì)通過(guò)與基材反應(yīng)來(lái)改變表面。IC最小特征的形成被稱為前端制造工藝（FEOL），本文將集中簡(jiǎn)要介紹這部分，將按照如下圖所示的 22 nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造 FinFET 的工藝流程，解釋了 FEOL 制造過(guò)程中最重要的工藝步驟。
2023-12-06 18:17:331122 
另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45260 W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531527 光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334 
[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制
2023-11-29 11:25:52242 
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50283 
今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對(duì)比學(xué)習(xí)。 言歸正傳，接下來(lái)介紹平面工藝最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514232 
在超大規(guī)模集成電路中，為了實(shí)現(xiàn)NA=1.35，波長(zhǎng)193nm處分辨率達(dá)到 45nm的目標(biāo)，需要對(duì)影響光刻照明均勻性的誤差源進(jìn)行詳細(xì)分析最終確定公差范圍。
2023-11-27 10:35:51385 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝，而M3系列芯片的發(fā)布，標(biāo)志著蘋果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代。 3nm利用先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）技術(shù)，可制造極小的晶體管，一根頭發(fā)的橫截面就能容納兩百萬(wàn)個(gè)晶體管。蘋果用這些晶體管來(lái)優(yōu)化新款芯片的每個(gè)組件。
2023-11-07 12:39:13310 
Bumping工藝是一種先進(jìn)的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響B(tài)umping的質(zhì)量，所以必須控制好Sputter的膜厚及均勻性是非常關(guān)鍵。
2023-10-23 11:18:18475 
FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導(dǎo)體制造工藝的根基，接下來(lái)在Intel 20A、臺(tái)積電2nm、三星3nm上，都將轉(zhuǎn)向全環(huán)繞立體柵極晶體管。
2023-10-23 11:15:08279 
當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)到5nm時(shí)，DUV和多重曝光技術(shù)的組合也難以滿足量產(chǎn)需求了，EUV光刻機(jī)就成為前道工序的必需品了，沒(méi)有它，很難制造出符合應(yīng)用需求的5nm芯片，即使不用EUV能制造出一些5nm芯片，其整個(gè)生產(chǎn)線的良率也非常低，無(wú)法形成大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn)。
2023-10-13 14:45:03834 
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491671 
，一板多用，滿足多方位的開(kāi)發(fā)需求。
盤古22K開(kāi)發(fā)板詳情
盤古22K開(kāi)發(fā)板（MES22GP）是基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的Logos系列PGL22G芯片的一套全新的國(guó)產(chǎn)FPGA開(kāi)發(fā)套件。開(kāi)發(fā)板電源采用
2023-09-21 18:16:52
的大部分時(shí)間里，用于制造芯片的工藝節(jié)點(diǎn)的名稱是由晶體管柵極長(zhǎng)度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線寬來(lái)指定的。350nm工藝節(jié)點(diǎn)就是一個(gè)例子。
2023-09-19 15:48:434475 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 的架構(gòu)，常見(jiàn)的有x86和x64。
指令集：如SSE、AVX等，用于拓展CPU的功能。
微架構(gòu)：如NetBurst、K10等，表示CPU內(nèi)部的具體實(shí)現(xiàn)。
制造工藝：如22nm、14nm等，表示CPU制造過(guò)程中的最小尺寸。
查看CPU處理器參數(shù)可以通過(guò)Intel官網(wǎng)或CPU-Z等工具實(shí)現(xiàn)。
2023-09-05 16:42:49
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531573 
個(gè) GPU 核心 @ 750mhz 14nm工藝節(jié)點(diǎn) GPU 產(chǎn)生 187.2 GFLOPs 配備 2x4GB 內(nèi)存，處理器已有 7 年歷史，但核心功能運(yùn)行情況相對(duì)良好。 MGU22H 使用 Snapdragon SA8155P 和 2x8GB Micron LPDDR4 RAM
2023-08-21 11:42:03769 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431012 根據(jù)外媒報(bào)道，據(jù)稱臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過(guò)根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋果收取良品芯片的費(fèi)用！
2023-08-08 15:59:27780 光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù)，是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。簡(jiǎn)單地說(shuō)，光刻類似照相復(fù)制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護(hù)下對(duì)硅片進(jìn)行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531478 
無(wú)論是14nm還是10nm，Intel這些年的新工藝都有一個(gè)通性：剛誕生的時(shí)候性能平平，高頻率都上不去，只能用于筆記本移動(dòng)端(分別對(duì)應(yīng)5代酷睿、10代酷睿)，后期才不斷成熟，比如到了13代酷睿就達(dá)到史無(wú)前例的6GHz。
2023-08-07 09:55:57734 
Intel將在下半年發(fā)布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝，也就是之前的7nm，但是Intel認(rèn)為它能達(dá)到4nm級(jí)別的水平，所以改了名字。
2023-08-01 09:41:50561 當(dāng)談到該創(chuàng)新工藝時(shí)，不可避免地要與傳統(tǒng)的光刻工藝體系進(jìn)行對(duì)比。光刻工藝體系是一種減法工藝：首先要在襯底表面沉積一層材料，例如銅；然后在材料層表面涂布一層光刻膠；接著將光刻膠圖形化曝光并顯影，形成有圖案的光刻覆蓋區(qū)域
2023-07-29 11:01:50835 
半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)通常是通過(guò)光刻設(shè)備的鏡頭來(lái)看待的，盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問(wèn)題幾乎永無(wú)休止，但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。
2023-07-28 17:41:161130 
近幾年，芯片產(chǎn)業(yè)越來(lái)越火熱，一些行業(yè)內(nèi)的術(shù)語(yǔ)大家也聽(tīng)得比較多了。那么工藝節(jié)點(diǎn)、制程是什么，"7nm" 、"5nm"又是指什么？
2023-07-28 17:34:335639 
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
RK3568四核64位Cortex-A55處理器，采用全新ARM v8.2-A架構(gòu)主頻最高可達(dá)2.0GHz，效能有大幅提升;采用22nm先進(jìn)工藝，具有低功耗高性能的特點(diǎn)
2023-07-18 09:47:29511 
泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個(gè)主要問(wèn)題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，leakage power仍然在總功耗中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2023-07-12 16:24:232882 
RK3568是瑞芯微出品的一款定位中高端的通用型SoC，采用22nm先進(jìn)制程工藝，集成4核 arm 架構(gòu) A55 處理器和 Mali G52 2EE 圖形處理器，支持4K解碼和1080P編碼。
2023-07-07 17:35:32704 
GK-1000光刻掩膜版測(cè)溫儀，光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù)，通過(guò)將光線通過(guò)
2023-07-07 11:46:07
外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-30 10:06:02261 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷發(fā)展（現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越來(lái)越高，規(guī)模也越來(lái)越大
2023-06-29 15:24:111741 
外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-29 10:02:17327 
分別為18.46%、14.49%、18.66%。在制程方面，安凱微主流產(chǎn)品采用40nm 和 22nm 工藝制程，且已經(jīng)開(kāi)始12nm FinFET 工藝設(shè)計(jì)的研發(fā)工作。
2023-06-28 15:55:19828 
開(kāi)箱大吉#紫光同創(chuàng)PGL22G關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤古22K開(kāi)發(fā)板 開(kāi)箱教程來(lái)啦！詳細(xì)教程手把手來(lái)教啦！#紫光盤古系列開(kāi)發(fā)板@盤古22K開(kāi)發(fā)板 基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的FPGA主控芯片（Logos系列
2023-06-28 10:46:17
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過(guò)程和集成電路的部分發(fā)展史?，F(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過(guò)該過(guò)程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過(guò)程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-26 17:00:19765 
如今，光刻技術(shù)已成為一項(xiàng)容錯(cuò)率極低的大產(chǎn)業(yè)。全球領(lǐng)先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴于世界上最平坦的鏡子、最強(qiáng)大的商用激光器之一以及比太陽(yáng)表面爆炸還高的熱度，在硅上刻出微小的形狀，尺寸僅為幾納米。
2023-06-26 16:59:16569 Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
盡管英特爾的第14代酷睿尚未發(fā)布，但第15代酷睿（代號(hào)Arrow Lake）已經(jīng)曝光。新的酷睿系列產(chǎn)品將改為酷睿Ultra系列，并使用臺(tái)積電的3nm工藝，預(yù)計(jì)會(huì)有顯著的性能提升。
2023-06-20 17:48:571100 外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-20 10:51:43335 
近日，湖南大學(xué)段輝高教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)開(kāi)發(fā)基于“光刻膠全干法轉(zhuǎn)印”技術(shù)的新型光刻工藝，用于柔性及不規(guī)則（曲面、懸空）襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造，為高精度、高可靠性和高穩(wěn)定性柔性電子器件的制造提供
2023-06-17 10:19:38507 
跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-06-15 08:57:31
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2023-06-14 10:16:38226 
外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。 考慮到這些內(nèi)容也是目前業(yè)界關(guān)注的實(shí)用技術(shù)，征得教師和學(xué)生的同意，本公眾號(hào)將陸
2023-06-13 16:24:08226 
【視頻】盤古Logos系列PGL22G關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤古22K開(kāi)發(fā)板#紫光同創(chuàng)FPGA開(kāi)發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的FPGA主控芯片（Logos系列: PGL22G-MBG324），掛載
2023-06-12 17:38:43
外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-12 11:19:55562 
光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對(duì)較小。
2023-06-09 10:49:205857 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353304 
? ? 中芯國(guó)際，作為當(dāng)前我國(guó)技術(shù)最為先進(jìn)，工藝最為成熟的芯片半導(dǎo)體代工廠商，堪稱是當(dāng)下國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)“全村的希望”。盡管面臨著技術(shù)的限制和先進(jìn)光刻機(jī)設(shè)備的禁運(yùn)，中芯國(guó)際卻依然在自主研發(fā)與創(chuàng)新
2023-06-06 15:34:2117913 在探討半導(dǎo)體行業(yè)時(shí)，我們經(jīng)常會(huì)聽(tīng)到兩個(gè)概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點(diǎn)。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個(gè)重要的概念。
2023-06-06 10:44:001420 
BK7256是一顆采用22nm工藝制程，高度集成wifi+ble的低功耗音視頻芯片，可用于實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程音視頻傳輸和iot智能中控驅(qū)屏應(yīng)用
2023-06-06 09:47:581572 
通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對(duì)準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418 
直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。
2023-05-31 10:32:021587 
瑞芯微RK3568芯片是一款定位中高端的通用型SOC，采用22nm制程工藝，搭載一顆四核Cortex-A55處理器和Mali G52 2EE 圖形處理器。RK3568 支持4K 解碼和 1080P
2023-05-29 11:09:01
14nm、10nm、4……Intel近幾年的制造工藝，每次首秀都不太順利，頻率和性能不達(dá)標(biāo)，只能用于移動(dòng)版，優(yōu)化個(gè)一兩年才能上桌面，然后性能又非常好。
2023-05-24 11:33:42985 
處理器采用22nm工藝，主頻高達(dá)2.0GHz；支持藍(lán)牙、Wi-Fi、音頻、視頻和攝像頭等功能，擁有豐富的擴(kuò)展接口，支持多種視頻輸入輸出接口，配置雙千兆自適應(yīng)RJ45以太網(wǎng)口，可滿足NVR、工業(yè)網(wǎng)關(guān)等多網(wǎng)口
2023-05-16 14:56:42
光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492772 
Intel將于6月11日至16日舉辦的VLSI Symposium 2023研討會(huì)上，首次展示PowerVia技術(shù)。有關(guān)信息顯示,Intel的20A工藝將引入PowerVia背部供電和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管等全新技術(shù)。
2023-05-10 15:07:51345 
1300NM
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進(jìn)行鍵合連接，外引線通過(guò)金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過(guò)金屬外殼，將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號(hào)等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07
使用尖端工藝技術(shù)生產(chǎn)芯片需要比以往更強(qiáng)大的計(jì)算能力。為了滿足2nm及更先進(jìn)制程的需求，NVIDIA正在推出其cuLitho軟件庫(kù)
2023-04-26 10:06:52595 現(xiàn)代工藝技術(shù)將晶圓廠設(shè)備要求推向極限，需要實(shí)現(xiàn)突破其物理極限的高分辨率，這正是計(jì)算光刻技術(shù)發(fā)揮作用的地方。計(jì)算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術(shù)，它結(jié)合來(lái)自ASML設(shè)備和測(cè)試晶圓的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，是一個(gè)模擬生產(chǎn)過(guò)程的算法。
2023-04-26 10:05:29918 根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:331242 
光刻技術(shù)簡(jiǎn)單來(lái)講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過(guò)程，是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場(chǎng)上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù)，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261 
半導(dǎo)體行業(yè)借助紫外光譜范圍（i 線：365 nm、h線：405 nm和g線：436 nm）中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)
2023-04-24 11:23:281480 
那時(shí)集成電路也剛剛發(fā)明不久，光刻工藝還在微米級(jí)別，工藝步驟也比現(xiàn)在簡(jiǎn)單很多美國(guó)是走在世界前列的。在那個(gè)對(duì)工藝要求并不高的年代，很多半導(dǎo)體公司通常自己用鏡頭設(shè)計(jì)光刻工具，光刻機(jī)在當(dāng)時(shí)甚至不如照相機(jī)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜。
2023-04-20 09:22:331314 此次采用全新22nm工藝生產(chǎn)的首顆MCU，擴(kuò)展了瑞薩廣受歡迎的基于32位Arm Cortex-M內(nèi)核的RA產(chǎn)品家族。該新型無(wú)線MCU支持低功耗藍(lán)牙5.3 (BLE)，并集成了軟件定義無(wú)線電（SDR）。
2023-04-14 11:08:23628 搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個(gè)是技術(shù)，一個(gè)是資金，一個(gè)是市場(chǎng)，在技術(shù)上日本是指望跟美國(guó)的IBM公司合作，后者前兩年就演示過(guò)2nm工藝，但I(xiàn)BM的2nm工藝還停留在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別，距離量產(chǎn)要很遠(yuǎn)。
2023-04-14 10:24:55507 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164 瑞薩電子今日宣布推出基于 22nm 制程的首顆微控制器（MCU）。通過(guò)采用先進(jìn)工藝技術(shù)，提供卓越性能，并通過(guò)降低內(nèi)核電壓來(lái)有效降低功耗。先進(jìn)的工藝技術(shù)還提供更豐富的集成度（比如 RF 等），能夠在更小的裸片面積上實(shí)現(xiàn)相同的功能，從而實(shí)現(xiàn)了外設(shè)和存儲(chǔ)的更高集成度。
2023-04-12 10:07:19454 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒(méi)式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純?cè)噭┥a(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗(yàn)證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:32920 下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時(shí)間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖?？梢钥闯?，SRAM的布局從65nm節(jié)點(diǎn)已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451 光刻是將設(shè)計(jì)好的電路圖從掩膜版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上，通過(guò)曝光、顯影將目標(biāo)圖形印刻到特定材料上的技術(shù)。光刻工藝包括三個(gè)核心流程：涂膠、對(duì)準(zhǔn)和曝光以及光刻膠顯影，整個(gè)過(guò)程涉及光刻機(jī)，涂膠顯影機(jī)、量測(cè)設(shè)備以及清洗設(shè)備等多種核心設(shè)備，其中價(jià)值量最大且技術(shù)壁壘最高的部分就是光刻機(jī)。
2023-03-25 09:32:394948 為2nm及更先進(jìn)芯片的生產(chǎn)提供更強(qiáng)大的助力。 計(jì)算光刻是芯片設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域中最大的計(jì)算工作負(fù)載，每年消耗數(shù)百億CPU小時(shí)。而NVIDIA cuLitho計(jì)算光刻庫(kù)利用GPU技術(shù)實(shí)現(xiàn)計(jì)算光刻，可以極大的降低功耗、節(jié)省時(shí)間。 目前臺(tái)積電、光刻機(jī)制造商阿斯麥，以及EDA巨頭新思科技都已經(jīng)導(dǎo)入
2023-03-23 18:55:377488 
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