什么是掩模版？掩模版（光罩MASK）—半導體芯片的母板設計

什么是掩模版

掩模版（Photomask）又稱光罩、光掩模、光刻掩模版、掩膜版、掩膜板等，是光刻工藝中關鍵部件之一，是下游行業(yè)產品制造過程中的圖形“底片”轉移用的高精密工具，是承載圖形設計和工藝技術等知識產權信息的載體。掩模版用于下游電子元器件制造業(yè)批量生產，是下游行業(yè)生產流程銜接的關鍵部分，是下游產品精度和質量的決定因素之一。

掩模版（石英）的制造過程掩模版的工作原理

作為光刻復制圖形的基準和藍本，掩模版是連接工業(yè)設計和工藝制造的關鍵，掩模版的精度和質量水平會直接影響最終下游制品的優(yōu)品率。

資料來源：清溢光電招股說明書

以TFT-LCD制造為例，利用掩模版的曝光掩蔽作用，將設計好的TFT陣列和彩色濾光片圖形按照薄膜晶體管的膜層結構順序，依次曝光轉移至玻璃基板，最終形成多個膜層所疊加的顯示器件。

以集成電路為例，其制造過程需要經過多次曝光工藝，利用掩模版的曝光掩蔽作用，在半導體晶圓表面形成柵極、源漏極、摻雜窗口、電極接觸孔等。

掩模版的分類

按光掩模版基板材料可分為透明樹脂基板和透明玻璃基板。透明樹脂基板易于大型化，但是易變形，相較而言玻璃基板更為常用，按照玻璃材質又可細分為合成石英光掩模版、硼硅玻璃光掩模版和蘇打（鈉鈣玻璃）光掩模版三類。

按光掩模版遮光膜材料可分為乳膠遮光膜與硬質遮光膜兩大類。硬質遮光膜又可細分為鉻、硅、硅化鉬、氧化鐵四類，其中鉻質材料具有涂覆均一性好、刻蝕精度高、且無毒無污染的優(yōu)點，應用最為廣泛。

按光掩模版的用途可分為鉻版、凸版、干版和液體凸版四類。其中，鉻版主要由鉻質遮光膜與石英基板組成，由于其精度高、耐用性好，廣泛應用于微電子制造領域。

石英掩模版使用石英玻璃作為基板材料，透光率高，熱膨脹系數(shù)低，比蘇打玻璃更平整耐磨，使用壽命更長，主要用于高精度掩模版；蘇打掩模版用蘇打玻璃作為基板材料，由于材料的原因，各方面性能都劣于石英掩模版，主要用于中低精度掩模版；樹脂基板由于透光率一般，不耐用，精度低，主要用于PCB掩膜。

掩模版是集成電路制造過程中的圖形轉移工具或者母板，也就是半導體芯片的母板，承載著圖形信息和工藝技術信息。掩模版的作用是將承載的電路圖形通過曝光的方式轉移到硅晶圓等基體材料上，從而實現(xiàn)集成電路的批量化生產。掩模版廣泛應用于半導體、平板顯示、電路板、觸控屏等領域。

半導體掩模版市場需求分析

根據(jù)SEMI最新的《世界晶圓廠預測報告》（WorldFabForecast），預計全球2021年至2023年將新建84座大型芯片制造工廠，總投資額超5,000億美元；以新能源汽車為代表的細分市場持續(xù)推動半導體需求增長，在高需求背景下預計2022年新增33家工廠、2023年新增28家工廠。《世界晶圓廠預測報告》顯示，2021年至2023年，中國大陸預計將建設20座支持成熟工藝的大型芯片制造工廠。

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)、CEMIA數(shù)據(jù)，全球半導體材料市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)步增長態(tài)勢，從2017年469億美元增長至2022年的727億美元，年復合增長率為9.16%，預計2023年規(guī)模為794億美元；中國大陸半導體材料市場規(guī)?？焖僭鲩L，從2019年為87億美元增長至2022年的129.7億美元，年復合增長率為14.24%，預計2023年規(guī)模為148.2億美元，增速遠超全球半導體材料市場。

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，作為半導體材料的重要組成部分，掩模版占半導體材料市場規(guī)模的比例約為12%，僅次于硅片和電子特氣，具體情況如下：

由此推算，2023年全球半導體掩模版市場規(guī)模為95.28億美元，2023年中國半導體掩模版的市場規(guī)模約為17.78億美元。未來隨著半導體行業(yè)容量的持續(xù)上升，半導體掩模版市場規(guī)模將不斷提升。

國內第三方掩模版市場

相比較而言，半導體掩模版在最小線寬、CD精度、位置精度等重要參數(shù)方面，均顯著高于平板顯示、PCB等領域掩模版產品。

（半導體為130nm工藝節(jié)點半導體掩模版關鍵參數(shù)，平板顯示為高精度TFT-Array掩模版關鍵參數(shù)）

國產特色半導體掩模版產業(yè)鏈

掩模版是半導體制造工藝中的關鍵材料，用于半導體制造的光刻環(huán)節(jié)。半導體制造的光刻是指通過曝光工序，在晶圓表面的光刻膠上刻畫出電路圖形，然后通過顯影、刻蝕等工藝流程，最終將電路圖形轉移到晶圓上的過程。

掩模版在半導體生產中的應用如下圖所示：

半導體器件和結構是通過生產工藝一層一層累計疊加形成的，芯片設計版圖通常由十幾層到數(shù)十層圖案組成，芯片制造最關鍵的工序是將每層掩模版上的圖案通過多次光刻工藝精準地轉移到晶圓上（如下圖所示）。半導體光刻工藝需要一整套相互之間能準確套準的、具有特定圖形的“光復印”掩模版，其功能類似于傳統(tǒng)相機的“底片”。掩模版是半導體制造工藝中最關鍵的材料之一，其品質直接關系到最終產品的質量與良率。

普通掩模版產品根據(jù)基板材質的不同主要可分為石英掩模版、蘇打掩模版兩類：

半導體掩模版的生產涉及CAM、光刻、檢測三個主要環(huán)節(jié)，具體包括版圖處理、圖形補償、曝光、顯影、刻蝕、清洗、缺陷檢驗、缺陷修補、參數(shù)測量、貼光學膜等多項復雜工藝，對補償算法、制程能力、精度水平、缺陷管控具有嚴格要求，技術壁壘較高。

? ?

獨立的第三方半導體掩模版生產商，需要根據(jù)上游芯片設計公司（Fabless）提供的設計版圖，及下游晶圓制造廠商（Foundry和IDM）提供的制作工藝要求，設計并制作出同時滿足芯片設計公司和晶圓制造廠要求的、用于晶圓加工的半導體掩模版。掩模版是上游芯片設計公司與下游晶圓制造廠商的中間橋梁，是芯片制作過程中至關重要的一環(huán)，因此獨立第三方半導體掩模版廠商既需要快速理解并轉換上游芯片設計要求，又要充分了解下游晶圓制造工藝需求，制作出適配下游光刻機的掩模版。

當前國內芯片設計公司使用的EDA軟件多樣，各家公司設計圖檔缺乏統(tǒng)一標準，存在大量非標準化設計；下游光刻機臺二手設備流通普遍，型號眾多，不同光刻機的對位要求、工藝要求不同，相應信息不全。在這種情況下，第三方半導體掩模版廠商需要有較強的上下游匹配能力。

半導體掩模版行業(yè)高度依賴專有技術，具有鮮明的“Know-How”特點，進入門檻較高。第三方半導體掩模版行業(yè)的進入門檻不僅體現(xiàn)在設備投入與人才投入，更是體現(xiàn)在專有技術積累上，這些專有技術是公司多年來針對不斷升級的客戶需求的技術創(chuàng)新成果，是上萬次各類試驗的數(shù)據(jù)結晶，這也正是第三方半導體掩模版廠商的核心競爭力，但往往該類技術不易于以專利形式保護。專有技術形成了第三方半導體掩模版廠商享有的技術紅利，同時也構成了半導體掩模版較高的行業(yè)壁壘。

半導體掩模版作為半導體制造關鍵材料之一，由于其技術壁壘較高，國內市場長期由國際大廠所占據(jù)，如美國Photronics、日本Toppan、日本DNP等，國內廠商市場影響力尚低。

另外當前國內半導體產業(yè)的軟件、設備及關鍵材料等產業(yè)鏈環(huán)節(jié)均不完善。就半導體掩模版而言，上游芯片設計公司使用的EDA軟件多樣，存在大量非標準化設計；下游晶圓制造廠商的核心設備，如光刻機同樣存在型號多、二手設備普遍等特點。從掩模版制造的核心原材料和設備來看，高精度半導體掩模版核心原材料石英基板仍被日韓企業(yè)壟斷，設備仍主要依賴進口。

晶圓制造客戶認證流程

掩模版作為下游晶圓制造廠商（Foundry和IDM）光刻環(huán)節(jié)極其重要的設計圖案轉移工具，是晶圓制造光刻環(huán)節(jié)不可或缺的光學模具，對晶圓制造和芯片產品品質影響巨大。因此，下游晶圓制造廠商對掩模版廠的要求較為嚴格，一般情況下，晶圓制造廠商對掩模版工廠的驗證和供應商評估期在6至12個月甚至更長，準入流程及持續(xù)考察評估主要如下：

①簽訂NDA協(xié)議（保密協(xié)議）。

由于掩模版的生產涉及芯片設計方案機密，晶圓制造廠商需評估第三方掩模版供應商的信息安全管理體系和能力，并與其簽訂NDA協(xié)議。

②需求與能力評估。

主要考察掩模版廠的制版能力是否滿足晶圓制造廠商的制版等級需求，主要考核掩模版廠工藝的關鍵指標，如關鍵尺寸（CriticalDimension,CD）、關鍵尺寸精度均值偏差（CDMean-to-Target）、關鍵尺寸公差（CDTolerance）、位置精度（Registration）、套刻精度（Overlay）、缺陷尺寸（DefectSize）等。

③雙方工藝的匹配。

主要根據(jù)晶圓制造廠商的實際光刻工藝需求，驗證掩模版廠制造工藝和關鍵指標的測量方式是否與晶圓制造廠商相匹配。不同的晶圓制造廠商在光刻環(huán)節(jié)中的光刻設備、光刻膠、OPC工藝選擇不同，光刻工藝和設備調校習慣不同，同時晶圓制造廠商與掩模版廠的測量系統(tǒng)也存在差異，因此晶圓制造廠商需要實地考察掩模版廠的制造工藝、實際測量并驗證掩模版的精度水平，以保證兩者光刻工藝的匹配，并消除因測量方式不同導致的系統(tǒng)性的精度誤差。

④數(shù)據(jù)處理驗證。

這一環(huán)節(jié)是對掩模版的數(shù)據(jù)處理和JDV（制版圖形的在線檢查）確認環(huán)節(jié)進行驗證。不同的芯片設計公司和晶圓制造廠商的數(shù)據(jù)設計的格式與規(guī)范存在差異，與掩模工廠之間的數(shù)據(jù)傳輸方式、JDV數(shù)據(jù)確認方式都需要進行驗證和確認。掩模工廠和設計公司需要分別對數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié)進行可行性及準確性驗證，并且在這個過程中評估信息安全管理是否符合要求。

⑤掩模版測試樣品評估。

掩模版工廠設計一些標準化的、含有特定評估測試圖案的掩模版樣品，提供給晶圓制造廠商進行樣品評估。晶圓制造廠商根據(jù)實際樣品測試結果來實測掩模版的關鍵指標是否達到要求。

⑥產品測試與驗證。

對掩模版廠提供的掩模版成品進行流片測試。產品測試與驗證是一個長期跟蹤、全流程考察的過程，通常掩模工廠的驗證和供應商評估期在6至12個月甚至更長，對于產品的驗證會持續(xù)追蹤到最終芯片的可靠性和功能測試。

⑦品質體系審核。

晶圓制造廠商同樣需要對掩模工廠的品質控制體系進行審核，ISO9001（質量管理體系認證）、ISO14001（環(huán)境管理體系認證）、ISO27001（信息安全管理體系）等品控體系審核通過后才可納入合格供應商。

上述認證周期一般在6至12個月甚至更長，工藝節(jié)點越高的掩模版產品認證周期越久。晶圓制造廠商審核通過后才可納入合格供應商名單，建立起正式的合作關系。由于下游客戶對半導體掩模版廠商要求高、認證周期長，雙方建立合作關系后，不會輕易更換供應商，合作穩(wěn)定性較好。

同時掩模版承載著芯片設計方案和圖形信息，涉及芯片設計方案機密，第三方掩模版工廠必須建立一套嚴密的安全控制機制，避免信息泄露，從而保障客戶的知識產權。

掩模版的工藝流程圖

1、建立客戶合作關系，客戶下達訂單，并將客戶文件（設計版圖）、規(guī)格書發(fā)送給公司。

2、CAM：收到客戶芯片設計版圖及規(guī)格書后，通過專業(yè)設計軟件將客戶的版圖進行數(shù)據(jù)分層、實體處理、邏輯運算、OPC等處理，并對處理過的版圖數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)檢查和JDV（制版圖形的在線檢查）確認，最后按照相應的工藝參數(shù)將文件格式轉換為掩模版光刻設備專用的數(shù)據(jù)形式。

3、光刻：通過光刻機對掩模基材進行直寫光刻，完成客戶圖形曝光。掩模版制造通常采用正性光刻膠，通過曝光作用使目標區(qū)域的光刻膠內部發(fā)生交聯(lián)反應，從而進行圖像轉移。

4、顯影：將曝光完成后的掩模版顯影，以便進行蝕刻。在顯影介質的作用下，經過曝光區(qū)域的光刻膠會溶解，而未曝光區(qū)域則會保留并繼續(xù)保護遮光膜層。

5、蝕刻：對遮光膜層進行蝕刻，保留圖形。在蝕刻介質的作用下，沒有光刻膠保護的區(qū)域會發(fā)生化學反應，而有光刻膠保護的區(qū)域的遮光膜則會保留。

6、脫膜：光刻膠的保護功能已經完成，脫膜工序通過脫膜液去除多余光刻膠。

7、清洗：將掩模版正、反面的污染物清洗干凈，為缺陷檢驗做準備。

8、關鍵參數(shù)測量：對掩模版關鍵尺寸（CDSize）、CD精度（CDTolerance）、位置精度（Registration）、套刻精度（Overlay）等關鍵參數(shù)進行測量，判定尺寸的準確程度。

9、AOI掃描：對照客戶技術/品質指標，使用自動光學檢測設備（AOI）檢測掩模版制版過程產生的缺陷并記錄坐標及相關信息。

10、缺陷修補：利用激光物理作用或化學反應相結合的方式，修復掩模版在生產過程產生的瑕疵（Defect）、微粒（Particle）等缺陷。

11、STARlight掃描：對掩模版制版過程附著的微粒（Particle）進行檢查。

12、貼Pellicle膜：在掩模版上貼合Pellicle膜，避免微粒污染掩模版表面，降低下游客戶制造過程中微粒造成的不良率。

13、最終檢查：對掩模版做最后的檢測工作，以確保掩模版符合品質指標。

14、對掩模版進行包裝，然后發(fā)貨。

核心技術主要涉及上述流程中CAM版圖處理、光刻（包括曝光、顯影、刻蝕及清洗環(huán)節(jié)）及檢測（包括關鍵參數(shù)測量、缺陷修補等出貨前的檢測環(huán)節(jié)）三大環(huán)節(jié)，從而保證產品的精度和品質水平。

半導體掩模版行業(yè)概況

半導體掩模版生產廠商可以分為晶圓廠自建配套工廠和獨立第三方掩模廠商兩大類。由于28nm及以下的先進制程晶圓制造工藝復雜且難度大，各家用于芯片制造的掩模版涉及晶圓制造廠的重要工藝機密且制造難度較大，因此先進制程晶圓制造廠商所用的掩模版大部分由自己的專業(yè)工廠內部生產，如英特爾、三星、臺積電、中芯國際等公司的掩模版均主要由自制掩模版部門提供。

對于28nm以上等較為成熟的制程所用的掩模版，芯片制造廠商為了降低成本，在滿足技術要求下，更傾向于向獨立第三方掩模版廠商進行采購。根據(jù)貝恩咨詢發(fā)布的《中國半導體白皮書》，全球晶圓制造代工收入中28nm以上制程的收入占比約為55.38%，占據(jù)晶圓代工大部分收入。

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，在全球半導體掩模版市場，晶圓廠自行配套的掩模版工廠規(guī)模占比65%，獨立第三方掩模廠商規(guī)模占比35%，其中獨立第三方掩模版場主要被美國Photronics、日本Toppan和日本DNP三家公司所控制，三者共占八成以上的市場規(guī)模，市場集中度較高。

由于半導體掩模版具有較高的進入門檻，國內半導體掩模版主要生產商僅包括中芯國際光罩廠、迪思微、中微掩模、龍圖光罩、清溢光電、路維光電、中國臺灣光罩等。中芯國際光罩廠為晶圓廠自建工廠，產品供內部使用；清溢光電、路維光電產品以中大尺寸平板顯示掩模版為主，半導體掩模版占比較低。龍圖光罩是國內屈指可數(shù)的第三方半導體掩模版廠商，工藝水平、出貨量及市場占有率居國內企業(yè)前列。

技術難度

掩模版是將虛擬的電子設計圖形批量轉化為芯片實體電路圖形的核心工具，是決定半導體制程水平和良率的關鍵因素之一。隨著半導體的制程工藝的不斷提升、芯片設計的不斷復雜，掩模版的研發(fā)、生產、制造難度也顯著提升。

1、CAM環(huán)節(jié)：高制程節(jié)點下晶圓曝光存在圖形失真，需要對掩模版圖形進行光學補償，存在較高的技術難度

隨著掩模版線縫水平的不斷提升，下游晶圓在使用光刻機曝光時光學效應影響越發(fā)顯著，會出現(xiàn)實際光刻圖案與芯片設計圖案失真變形的現(xiàn)象，嚴重影響芯片的性能與良率。為解決上述問題，提高晶圓曝光的分辨率與精度，需要在CAM環(huán)節(jié)對掩模版圖形進行二次加工（OPC），通過圖形補償來抵消圖形偏差，使得曝光后的圖形滿足設計要求。圖形補償（OPC）技術具有較高的技術難度，對圖形特征點識別、運算速度、補償準確度都有較高的要求。

（1）CAM版圖處理重要性

CAM版圖處理是掩模版生產制造的重要環(huán)節(jié)，是芯片設計版圖到掩模版圖案的圖像轉移起點，本質是圖形數(shù)據(jù)的轉換與處理。半導體掩模版廠商需要獲取芯片設計公司提供的芯片設計版圖和晶圓制造廠商提供的制版要求，根據(jù)兩者信息轉換成可以被掩模版光刻機識別的掩模版圖形，這一制造轉換過程需要計算機輔助進行，即計算機輔助制造（CAM）。CAM版圖處理的主要工序包含兩個層面：

①上游客戶芯片設計版圖數(shù)據(jù)的校對、實體處理、邏輯運算、工藝補償、布圖、驗證；

②根據(jù)下游晶圓制造廠商工藝需求的解讀及實現(xiàn)，生成提供給客戶端的JDV（JobDeckView）數(shù)據(jù)；結合內部制造能力，出具提供給掩模版制造環(huán)節(jié)的掩模制作數(shù)據(jù)、AOI檢測數(shù)據(jù)及量測信息等。因此，CAM版圖處理是掩模版制造的起點，這一工序對掩模版的制造至關重要，如果CAM版圖處理無法滿足客戶需求或出現(xiàn)設計偏差則直接導致掩模版制造失敗。CAM版圖處理的主要流程如下圖所示：

（2）CAM版圖處理技術難點

CAM版圖處理階段主要有以下難點：

①原始芯片設計版圖存在大量非標準化數(shù)據(jù)，無法直接進行圖形轉換。不同上游領域的芯片設計公司使用的EDA軟件不同且設計習慣不同，導致提供的數(shù)據(jù)格式多種多樣，差異較大，存在大量非標設計。非標準化的版圖數(shù)據(jù)無法直接轉換成掩模版圖形，需要掩模版制造商擁有快速識別并轉換成光刻機可識別圖形數(shù)據(jù)能力。

②半導體掩模版圖形補償難度大。隨著下游半導體芯片制程節(jié)點的提升，掩模版的線縫越來越窄，在半導體掩模版線縫水平提升過程中，由于光學衍射效應的影響，掩模版用于下游晶圓生產時會出現(xiàn)圖形失真的情況，因此需要在版圖設計中加入OPC圖形補償，提升晶圓制造精度水平。

圖形補償（OPC）技術光學臨近效應（OpticalProximityEffect,OPE）是指在曝光過程中，由于透過掩模版上相鄰圖形之間的光波發(fā)生衍射，導致投影到晶圓上的圖形和掩模版上的圖形不一致的現(xiàn)象。這種圖形的不一致主要表現(xiàn)在三個方面：圖形拐角的變化、線條寬度的變化和線條頂端的變化，而且隨著集成電路特征尺寸不斷地減小,這種光刻圖形的變形與偏差變得越來越嚴重,成為影響芯片性能和成品率的重要因素。為了解決光學臨近效應，一種有效的解決方案是在掩模圖案上增加光學鄰近效應修正（OPC）算法，通過改變原芯片掩模版圖形的形狀來減小光刻圖形的偏差。一般來說，當晶圓上的線寬小于曝光波長時，必須對掩模上的圖形做光學鄰近效應修正。

③下游光刻設備性能參數(shù)與對位信息缺失，導致半導體掩模版對位標記困難。國內晶圓制造廠商光刻設備高度依賴二手市場供給，種類多樣，性能參數(shù)與對位信息不全。每個光刻機設備商的對位標記系統(tǒng)都自成一套，導致掩模版對位標記困難。如果沒有精確的對位標記，芯片的多層處理工藝便無法套合疊加，以至于無法進行曝光制作，因此，需要掩模版廠商充分了解下游晶圓制造廠商光刻機性能參數(shù)與對位信息，形成自有處理規(guī)則確保掩模版對位標記的準確性。

精準對位標記技術下游晶圓制造廠商在光刻曝光環(huán)節(jié)用到的掩模版對位標記主要包括：A.初對位標記，作為曝光機的對準系統(tǒng)快速定位掩模版的大概位置；B.精對位標記，曝光機在找到初對位標記大概確定掩模版的位置后，根據(jù)設計圖紙上初對位與精對位標記的相對坐標偏移找到精對位標記，將掩模版的坐標和曝光機的坐標進行高精度對準的標記；C.工作臺對位標記，用于掩模版和晶圓的工作臺進行對準的標記。每個曝光機設備商的對位標記系統(tǒng)都自成一套，如果沒有精確的對位標記，芯片的多層處理工藝便無法套合疊加，以至于無法進行曝光制作。

2、光刻環(huán)節(jié)：光刻環(huán)節(jié)的技術壁壘在于光刻多環(huán)節(jié)、多因素的精準控制光刻環(huán)節(jié)的技術壁壘主要體現(xiàn)在以下兩點：

①光刻機作為極其精密的設備，對環(huán)境要求極為苛刻，光刻環(huán)節(jié)中由于環(huán)境參數(shù)波動引起的誤差因素對掩模版的精度水平會產生嚴重影響，因此能夠精細控制各類環(huán)境因素波動是掩模版制造的一大難題。

②在使用光刻機對掩模版進行曝光時，曝光能量的控制對掩模版精度水平至關重要，曝光不足或者過量都會嚴重影響成像質量。

（1）光刻環(huán)節(jié)重要性

光刻作為掩模版制造的核心工藝，對于掩模版產品的品質影響極其重要。光刻環(huán)節(jié)主要包括曝光、顯影、刻蝕和清洗，光刻是將CAM版圖數(shù)據(jù)轉換成激光直寫系統(tǒng)控制數(shù)據(jù)，由計算機控制高精度激光束掃描，利用激光對涂有光刻膠的掩?；灏凑赵O計的圖檔進行激光直寫，從而完成了集成電路信息從CAM設計版圖到掩模版圖形的轉移過程。

光刻環(huán)節(jié)直接決定了最小線/縫寬、邊緣粗糙度、關鍵尺寸均勻性（CDuniformity）、關鍵尺寸精度均值偏差（CDmeantoTarget）等圖案指標；同時光刻機平臺定位的精度也直接決定了掩模版位置精度（Registration）、套刻精度（Overlay）等指標。

（2）光刻環(huán)節(jié)技術難點

光刻環(huán)節(jié)并非是對設備的簡單運用，而是結合公司長期的自主研發(fā)成果積累，對光刻、顯影等環(huán)節(jié)的各個參數(shù)及影響因素進行長期系統(tǒng)性研究的綜合結果。光刻環(huán)節(jié)難點在于精度與缺陷控制，涉及多個環(huán)節(jié)，不同環(huán)節(jié)之間又會相互影響。公司持續(xù)優(yōu)化光刻工藝，最大化發(fā)揮設備性能水平，實現(xiàn)了精度水平與缺陷控制的不斷突破。

（3）光刻環(huán)節(jié)核心技術及具體表征

針對半導體掩模版光刻環(huán)節(jié)中關于制程管控、套刻精度控制、曝光控制、工藝匹配、顯影刻蝕控制等難點，主要有以下核心技術：

①光刻制程管控技術

光刻環(huán)節(jié)對環(huán)境要求極其苛刻，曝光過程中，諸如溫度變化、濕度變化、氣流擾動、微振動等因素均將引起曝光圖形位置漂移，嚴重影響位置精度和套刻精度。具體來講，光刻機關鍵部件會由于空間溫度的漂移而產生形變進而導致運動誤差，而以能量探測器為代表的測量儀器會受溫度、濕度、壓力影響，參數(shù)異常勢必會造成測量結果的誤差進而最終影響光刻精度。光刻機在步進過程中，會在其運動區(qū)域形成氣流沖擊，使得光刻機腔體內形成不均勻壓力場，同時也會造成平臺的微小振動，進而影響位置精度。對于極其精密的光刻設備來說，由環(huán)境參數(shù)波動引起的誤差因素就成為限制其精度的一大障礙。

②位置精度光刻匹配技術

半導體設計版圖通常由幾十層圖案組成，芯片制造的關鍵工序是將每層掩模版上的圖案通過多次光刻工藝精準地轉移到晶圓上，因此，半導體掩模版不僅需要能匹配多個不同的光刻機臺，半導體掩模版之間也需要能夠相互套準。

③曝光精細化控制技術

在對掩模版進行曝光時，需要使用光刻機將掩?；灞砻娴墓饪棠z進行感光處理，從而獲得預期掩模圖形。進行曝光時，需要使用能量控制器精準控制曝光能量，曝光不足或者過量都會嚴重影響成像質量，光源的輸出功率、曝光時間、聚焦深度、束斑形狀都會直接影響到掩模產品的精度。

④精準工藝匹配技術

光刻機的匹配使用是指同一掩模版可以分別在不同型號光刻機上進行光刻，而不影響光刻工藝的質量。在集成電路工藝生產線上，往往投入多臺光刻設備同時使用，不同光刻機往往規(guī)格不同、參數(shù)不同。同一掩模版需要分別在不同型號光刻機上進行光刻，存在較高的匹配難度。

⑤顯影刻蝕控制技術

顯影是指通過化學作用，掩模版上經過激光或電子束曝光區(qū)域的光刻膠會溶解，而未曝光區(qū)域則會保留并繼續(xù)保護遮光膜層。蝕刻是顯影的下一步工序，是通過蝕刻介質對遮光膜層進行蝕刻，保留圖形。在蝕刻介質的作用下，沒有光刻膠保護的區(qū)域會發(fā)生化學反應，而有光刻膠保護的區(qū)域的遮光膜層則會保留，這樣就形成了掩模版的圖案。因此，在顯影與刻蝕的環(huán)節(jié)中，蝕刻速率、刻蝕選擇比、均勻性等參數(shù)控制至關重要，均會對掩模版的精度水平產生重要影響。同時，顯影刻蝕環(huán)節(jié)對溫度、液流擾動、AMC控制等制程參數(shù)控制要求極為苛刻。

3、檢測環(huán)節(jié)：掩模版上的各類缺陷通常極為微觀，能夠精準識別并修補具有較高的技術難度掩模版在制造過程中產生的各種缺陷及各類精度偏差，與生產、傳輸、儲存等環(huán)節(jié)中出現(xiàn)的污染物，會通過半導體曝光工藝傳遞到下游芯片上，嚴重影響芯片的性能與良率，且隨著制程的不斷提高，對缺陷尺寸的容忍度越來越低。能夠精準檢測出掩模版上納米級缺陷，并在不產生二次污染的情況下進行精準修補，技術難度較高。

檢測環(huán)節(jié)核心技術

（1）檢測環(huán)節(jié)的重要性及難點

掩模版在制造過程中因生產環(huán)境、材料異常等原因產生的各種缺陷及各類精度偏差，與生產、傳輸、儲存等環(huán)節(jié)中出現(xiàn)的污染物，會通過半導體曝光工藝傳遞到下游芯片上，并以影響芯片性能與可靠性的缺陷形式存在。掩模版的缺陷主要包括瑕疵（Defect）、微粒（Particle）、圖形CD精度偏差過大、位置精度偏差過大等。掩模版生產中主要缺陷及其危害如下表所示：

掩模版的缺陷通常來說是非常微觀的（亞微米級別），但由于半導體掩模版線縫和精度要求較高，即使是亞微米級別的缺陷對掩模版的品質也影響巨大，會直接影響到下游芯片成品的性能與良率，因此能夠及時、準確地對掩模版上的各類缺陷進行測量，并在不產生二次污染的情況下對缺陷進行精準修補，具備較高的技術難度。

（2）檢測環(huán)節(jié)核心技術及具體表征

①高精度測量技術

掩模版生產后，必須對關鍵參數(shù)進行精準測量，驗證實際制作精度與設計精度的一致性，同時還要對掩模版上的各種缺陷進行檢測。公司自研了一系列掩模版精度測量及缺陷檢測技術，包括AOI初檢、高精度CD測量、Overlay測量、居中測量、貼膜后檢查、終檢等工序，能夠有效地測量出掩模產品的關鍵參數(shù)及瑕疵（Defect）、微粒（Particle）、圖形CD精度偏差過大、位置精度偏差過大等缺陷情況。具體檢測技術、檢測水平如下表所示：

②缺陷修補與異物去除技術

針對在檢測環(huán)節(jié)中檢測出的一系列缺陷及異物，利用激光物理作用與蝕刻液化學反應相結合的方式，高效、準確的修復掩模版在生產過程產生的缺陷，有效地消除了激光修復后所產生修復印痕，避免了因缺陷修復所帶來的二次損傷。

獨立第三方掩模版廠商市場份額將不斷增大

半導體掩模版行業(yè)具有顯著的資本投入大、技術壁壘高、高度依賴專有技術的特點。晶圓制造廠商自行配套掩模工廠，主要是出于制作能力的考量，但隨著制程工藝逐漸成熟及第三方掩模版廠商的制作水平的不斷提升，自建掩模工廠的諸多弊端逐漸體現(xiàn)，如設備、人工投入巨大，生產環(huán)節(jié)過于復雜，成本過于昂貴等。第三方半導體掩模版廠商能充分發(fā)揮技術專業(yè)化、規(guī)模化優(yōu)勢，具有顯著的規(guī)模經濟效應。在技術水平、產品性能指標符合要求前提下，獨立第三方掩模版廠商對晶圓制造廠商的吸引力不斷增加。

由于掩模版承載著芯片設計方案和圖形信息，涉及到芯片設計公司的重要知識產權，第三方半導體掩模版廠商作為芯片設計與芯片制造的中間橋梁，能夠更好地發(fā)揮信息隔離功能，芯片設計公司更傾向于將芯片設計版圖交給第三方掩模廠進行掩模生產以保證自身的信息安全?？傮w來看，隨著技術水平不斷提高，第三方獨立掩模版廠商競爭優(yōu)勢將不斷體現(xiàn)，市場份額將持續(xù)增加。

半導體掩模版行業(yè)具有較高的需求穩(wěn)定性

由于掩模版產品在半導體生產中起到光刻模具的功能，可多次曝光、重復使用，因此掩模版產品需求不僅依賴于半導體行業(yè)的整體規(guī)模情況，更依賴于下游半導體行業(yè)的產品創(chuàng)新。半導體創(chuàng)新產品越多，掩模版需求量越大。國內半導體掩模版需求推動因素如下：

①半導體產品不斷迭代創(chuàng)新：隨著我國半導體芯片行業(yè)的國產替代推進，技術水平、工藝能力不斷進步，芯片設計公司將會不斷推出新的產品，對于掩模版的產品需求不斷增加。

②半導體掩模版具有部分逆產業(yè)周期特性：當半導體行業(yè)處于下行周期，晶圓制造廠商的產能利用率不足時，為了提升產能利用率，晶圓制造廠商會向眾多的中小芯片設計公司提供晶圓代工服務，從而生產的半導體產品類型亦會增多，相應增加掩模版的需求量；同時當下游需求低迷時，芯片設計公司將通過設計新產品刺激市場，提升銷量，新產品也會帶來對掩模版的增量需求。

③半導體產品種類繁多，應用廣泛：與產品種類較為集中的平板顯示行業(yè)相比，半導體行業(yè)的產品種類繁多、工藝多樣、應用廣泛，不同類型的產品應用于不同的終端場景，如消費電子、人工智能、汽車電子、新能源、工業(yè)制造、無線通信、物聯(lián)網等，掩模版的需求此消彼長，不容易因某單一行業(yè)波動而產生較大的需求影響。綜上所述，半導體掩模版行業(yè)具有較強抗周期行業(yè)特性，需求穩(wěn)定性較高。

未來發(fā)展趨勢

1、邏輯工藝路線和特色工藝路線是半導體發(fā)展的兩大方向

邏輯工藝路線和特色工藝路線是當今半導體工藝兩大方向，代表了兩種產品性能提升的方式（線寬縮小與功能集成）。

兩者發(fā)展趨勢如下圖所示：

先進邏輯工藝按照摩爾定律的規(guī)律，不斷追求工藝節(jié)點的縮小，從而滿足對于算力和速度提高的需求，以及功耗降低的需求；特色工藝路線是指以“超越摩爾定律（MorethanMoore）”為指導，不完全依賴縮小晶體管特征尺寸，而是通過聚焦新材料、新結構、新器件的研發(fā)創(chuàng)新與運用，強調定制化和技術品類多元性的半導體晶圓制造工藝。特色工藝通過持續(xù)優(yōu)化器件結構與制造工藝，最大化發(fā)揮不同器件的物理特性來提升產品性能及可靠性。特色工藝路線和邏輯工藝路線的相關對比如下表所示：

先進邏輯工藝與特色工藝并非是相互割裂、非此即彼的關系，隨著對半導體性能需求的不斷提升，先進邏輯芯片也會采用優(yōu)化器件結構或集成其他工藝模塊的特色工藝技術來提升性能，如應用于高性能CPU領域的3D封裝技術；特色工藝芯片也會通過適當?shù)乜s小晶體管線寬來實現(xiàn)更高的單位性能和能耗比。

以功率半導體為例，為了提高開關頻率和功率密度、降低功耗，功率半導體的制程工藝不斷進步，從最初的10μm逐步縮小至目前主流的0.5μm~130nm左右；同時，在器件結構改進方面，功率器件經歷了平面、溝槽、超級結等器件結構的變化，進一步提高了器件的功率密度和工作頻率；而在材料方面，新興的第三代半導體功率器件采用了碳化硅、氮化鎵材料，進一步提升了器件的開關特性、降低了功耗，也優(yōu)化了其耐高溫、耐高壓特性。功率半導體在多年的發(fā)展中，將線寬縮小與結構、材料優(yōu)化相結合，實現(xiàn)了性能的飛躍。

由于摩爾定律不可避免地趨向物理極限，IC制造成本的不斷飆升使工藝尺寸的縮小變得愈發(fā)艱難。與開支大、折舊多、功能較為單一的邏輯工藝相比，特色工藝有著更強的盈利穩(wěn)定性和功能多樣性。因此，特色工藝路線是未來半導體制造發(fā)展的重要方向之一。

以臺積電為代表的先進制程巨頭也在加快特色工藝布局，根據(jù)臺積電2022年技術論壇，臺積電特色工藝產能占臺積電成熟制程產能的比重將會從2018年的45%提升至2022年的63%，與2021年相比，2022年12寸晶圓的特色工藝產能會增長14%；中芯國際也大力布局特色工藝，2018年中芯國際和紹興國資委等資本共同成立紹興中芯集成電路制造股份有限公司，專門面向MEMS、MOSFET和IGBT等特色工藝領域，致力于打造綜合性特色工藝基地。

2、半導體掩模版最小線寬及精度隨著半導體技術節(jié)點的進步而不斷提升

半導體產品隨著工藝技術進步和性能提升，線寬越來越窄，對上游掩模版的工藝水平和精度控制能力提出了更高要求。為了解決掩模版制作過程中由于線寬逐步縮小帶來的諸多難題，以OPC光學鄰近效應修正技術、PSM相移掩模版技術、電子束光刻技術為代表的一系列圖形分辨率增強技術興起并快速發(fā)展。

3、特色工藝半導體快速發(fā)展，對掩模版定制化要求越來越高

特色工藝半導體主要包括功率半導體（含第三代半導體）、MEMS傳感器、先進封裝、電源管理芯片、模擬芯片等工藝平臺，近年來隨著新能源汽車、光伏發(fā)電、自動駕駛、新一代移動通信、人工智能等新技術的不斷成熟，工業(yè)控制、汽車電子等半導體主要下游制造行業(yè)的產業(yè)升級進程加快，特色工藝半導體行業(yè)發(fā)展迅速。特色工藝不完全依賴縮小晶體管特征尺寸，而是聚焦于新材料、新結構、新器件的研發(fā)創(chuàng)新與運用，強調定制化和技術品類多元性。由于下游特色工藝半導體高度定制化，平臺繁多、種類龐雜、領域眾多，且通常會集成多種功能，這對于第三方掩模版廠商的定制化服務能力提出了更高的要求，掩模版廠商需要有足夠的技術儲備才能滿足快速發(fā)展的特色工藝半導體的定制化要求。

4、芯片光刻層數(shù)增加，導致掩模版的張數(shù)增加，數(shù)據(jù)處理難度加大，套刻精度控制要求更高

隨著終端產品的功能日趨復雜，半導體產品的集成度持續(xù)提高，晶圓制造的工藝不斷進步。隨著芯片堆疊層數(shù)的增加，半導體器件與集成電路的電路圖也越發(fā)復雜，晶圓表面需要光刻的圖案由傳統(tǒng)的二維電路圖像發(fā)展成含有多層結構的三維電路圖像，這也導致半導體掩模版的張數(shù)不斷增加，CAM版圖處理的難度進一步加大，掩模版的套刻精度控制也更加困難。

面臨的機遇

（1）半導體受下游新興產業(yè)推動，產線持續(xù)擴張，帶來半導體掩模版的大量需求

作為半導體行業(yè)可重復使用的光刻模板，掩模版產品直接需求與半導體產品的更新迭代與產線擴充息息相關。當半導體產品持續(xù)推出新工藝、新結構、新材料等新的芯片設計或者需要產線擴充時，晶圓制造廠商需要使用新的掩模版來進行半導體的大規(guī)模生產，此時就會產生開版需求。因此，掩模版的市場需求與半導體更新?lián)Q代、產線擴充直接相關。近年來受新能源汽車、光伏發(fā)電、工業(yè)自動化、物聯(lián)網等下游新興產業(yè)推動，以功率器件為代表的特色工藝半導體發(fā)展迅速，不斷進行產品迭代，為半導體掩模版創(chuàng)造了大量的市場需求。

以新能源汽車、光伏行業(yè)中的關鍵元件功率器件為例，根據(jù)IBS的統(tǒng)計，2021年中國功率器件市場規(guī)模約為711億元，預計2025年市場規(guī)模將增長至1,102億元，年平均復合增長率為11.58%。國內主要特色工藝晶圓廠均在積極擴充產線，帶來國內半導體掩模版的配套需求大幅增加。國內主要特色工藝半導體廠商擴產情況如下所示：

上述終端行業(yè)的繁榮發(fā)展推動了半導體產線的持續(xù)擴張，相應持續(xù)帶來對配套掩模版的大量需求，未來半導體掩模版市場空間廣闊。

（2）特色工藝半導體受下游功能需求驅動，不斷進行產品更新迭代，帶來半導體掩模版的大量需求

特色工藝半導體產品隨著下游應用的功能需求不斷進行更新迭代。以新能源汽車為例，隨著電動汽車的續(xù)航不斷提升，動力電池能量密度、充電模組的功率越來越高，而單個車輛對半導體的數(shù)量、體積等因素有一定的約束，因此功率半導體的功率密度、單位性能也要求越來越高。功率半導體必須通過結構、制程、技術、工藝、集成度、材料等方面的不斷進步，來實現(xiàn)功率密度及單位性能的提升。功率半導體的技術演進如下表所示：

半導體的結構、制程、技術、工藝、集成度、材料每發(fā)生一次迭代，就需要更換一套新的半導體掩模版。因此，在當前新興行業(yè)的不斷驅動下，功率半導體等半導體產品持續(xù)進行更新迭代，帶來了大量的特色工藝半導體掩模版需求。

（3）半導體掩模版迎來國產替代機遇

半導體產業(yè)是信息技術產業(yè)的核心，也是經濟發(fā)展的支柱性產業(yè)，在實現(xiàn)制造業(yè)升級、保障國家安全等方面發(fā)揮著重要的作用，在當前貿易摩擦、半導體產業(yè)逆全球化的背景下，加速進口替代已上升到國家戰(zhàn)略高度。我國政府從財政、稅收、技術、人才、知識產權等多個方面對半導體產業(yè)及其關鍵材料給予了政策支持，為半導體行業(yè)創(chuàng)造了良好的經營環(huán)境，有力地推動了我國半導體行業(yè)的發(fā)展。

掩模版作為半導體產業(yè)的上游核心材料，技術壁壘高，國內自產率低，長期依賴國外進口，第三方半導體掩模版市場主要被美國Photronics、日本Toppan、日本DNP等國際掩模版巨頭所控制。隨著新能源汽車、光伏發(fā)電、自動駕駛、物聯(lián)網等新一輪科技逐漸走向產業(yè)化，未來十年中國半導體行業(yè)尤其是特色工藝半導體有望迎來進口替代與成長的黃金時期。在貿易摩擦等宏觀環(huán)境不確定性增加的背景下，作為半導體核心原材料的國內半導體掩模版行業(yè)發(fā)展迎來了歷史性的機遇。

半導體掩模版研發(fā)是一個不斷探索光學物理極限的過程

半導體生產工藝通常采用投影式光刻方法，在投影式光刻中，激光透過掩模版后，經過投影物鏡成像到晶圓的光刻膠表面，通過掩模版對光線的遮擋或透過功能，實現(xiàn)掩模圖案向晶圓線路圖的圖形轉移。半導體掩模版的技術演進的過程，正是不斷解決極限情況下光的干涉與衍射現(xiàn)象、克服物理極限的過程。

光刻方式通常根據(jù)曝光方式分為接觸式光刻、接近式光刻、投影式光刻三類。其中，對于曝光面積較大、分辨率要求相對較低的平板顯示類產品，通常使用接近式光刻的方法，能夠實現(xiàn)掩模圖案與基底圖案的1:1復制；對于曝光面積相對較小、精度與分辨率要求極為苛刻的半導體類產品，通常使用投影式光刻方法，能夠實現(xiàn)掩模圖案與基底圖案的4:1或5:1復制。

投影式光刻原理如下圖所示：

（1）光的衍射會降低曝光圖形分辨率，導致CD精度降低

隨著掩模版的線寬和線縫越來越小，當尺寸逐漸接近光刻機的波長時，曝光過程中就會出現(xiàn)嚴重的衍射現(xiàn)象。光的衍射現(xiàn)象是指光在傳播過程中，遇到尺寸與波長大小相近的障礙物時，光會傳到障礙物的陰影區(qū)并形成明暗變化的光強分布情況。這種情況在投影式光刻中尤為明顯，激光通過掩模版的透光區(qū)和投影物鏡后會出現(xiàn)顯著的夫瑯禾費衍射現(xiàn)象，導致曝光圖形邊緣的分辨率降低，圖案邊緣失真嚴重，CD精度大幅下降。因此，為了提高光刻環(huán)節(jié)曝光圖形的CD精度，必須要對掩模圖案進行光學鄰近效應修正（OPC）。

夫瑯禾費衍射，又稱遠場衍射，是波動衍射的一種，在場波通過圓孔或狹縫時發(fā)生，導致觀測到的成像大小有所改變，成因是觀測點的遠場位置，及通過圓孔向外的衍射波有漸趨平面波的性質。

由于光的衍射造成的圖像失真及OPC效果對比情況如下圖所示。

（2）光的干涉會降低曝光圖形對比度，導致CD精度降低

隨著掩模版圖形越來越復雜、線路密度越來越大，掩模版的透光區(qū)間距離便越來越短，此時曝光過程中就會出現(xiàn)顯著的干涉現(xiàn)象。光的干涉是指兩束相干光相遇而引起光的強度重新分布的現(xiàn)象。當掩模版的透光區(qū)間位置趨于接近時，從相鄰兩個透光區(qū)射出的光線頻率相同、振動方向相近、相位差恒定，形成了相干光。兩列或多列相干光在空間相遇時相互疊加，光強在某些區(qū)域始終加強，在另一些區(qū)域則始終削弱，出現(xiàn)了穩(wěn)定的強弱分布現(xiàn)象。上述現(xiàn)象會造成晶圓感光時遮光區(qū)域仍有曝光、透光區(qū)域光強不足的情況，導致整體的對比度降低，CD精度大幅下降，從而嚴重影響了晶圓的電路圖形質量。當半導體的最小線寬小于130nm后，傳統(tǒng)的二元掩模版（BinaryMask）會由于光的干涉現(xiàn)象而無法對晶圓進行有效曝光，需要采用相移掩模版（PhaseShiftMask,PSM）來消除曝光光束中的干涉現(xiàn)象，提升CD精度水平。二元掩模版和PSM掩模版的原理如下圖所示：

（3）半導體掩模版的套刻層數(shù)越來越多，位置/套刻精度控制難度越來越大

隨著半導體功能的不斷進步，制程能力的不斷提升，半導體器件與集成電路的細微電路圖也越發(fā)復雜，晶圓表面需要光刻的圖案由傳統(tǒng)的二維電路圖像發(fā)展成含有多層結構的三維電路圖像（如下圖所示），這也導致半導體掩模版的層數(shù)不斷增加，對掩模版的套刻精度也提出了更高的要求。

（4）電子束光刻技術

光刻機的最小分辨率由公式R=kλ/NA決定，其中R代表可分辨的最小尺寸，k是工藝常數(shù)，λ是光刻機所用光源的波長。因此，光刻機所用光源的波長越短，分辨率越高。激光光刻中，光的波長已經趨于極限，難以制造更短波長的光刻機，因此為了達到更高的分辨率會使用電子束光刻技術。

電子束光刻是利用電子束在基板上進行直寫的光刻技術，相比于激光光刻能夠達到更高的分辨率，用于更高端半導體掩模版的制造。目前公司已開展電子束光刻技術研究及刻蝕、涂膠、烘烤、清洗等后制程相關研究工作，已取得一定的技術成果。

（5）PSM相移掩模版技術

隨著芯片設計圖形的特征尺寸不斷縮小，當特征尺寸達到或者接近光刻機激光光源波長的情況下，會出現(xiàn)明顯的干涉效應，由于已經達到了曝光的分辨率極限，掩模圖案轉移到晶圓時會出現(xiàn)丟失和失真的現(xiàn)象，采用PSM技術可以解決這一問題。

PSM相移掩模版技術是一種利用光線的強度和相位來成像，得到更高分辨率的分辨率增強技術，其基本原理是通過改變掩模結構，使得透過相鄰透光區(qū)域的光波產生180度的相位差，二者發(fā)生相消干涉，消除因干涉效應造成的光刻圖像邊緣模糊現(xiàn)象，提高光刻分辨率。相移掩模版在生產過程需要進行兩次光刻圖形轉移過程，因此相移掩模版的生產周期會成倍增加；第一次光刻圖形為主要功能性圖形，第二次光刻圖形為輔助圖形，兩層圖形之間需要非常高的對位精準度和相位角精準度，存在較高的技術壁壘。

由于PSM相移掩模版制備難度大，通常應用在130nm工藝制程以下節(jié)點的集成電路關鍵層的光刻工藝中，較多應用在90nm節(jié)點以下大規(guī)模集成電路制造上。

關鍵指標：

掩模版產品的精度要求是與制程水平息息相關的，隨著掩模版制程水平的提高，掩模圖案繪制的最小線寬縮小，精度要求（包括CD精度、CD精度均值偏差、CD均勻性、位置精度、套刻精度）也隨著線寬的縮小而越來越高，因此，制程水平是衡量掩模版產品技術水平的最關鍵指標。

半導體掩模版的關鍵指標參數(shù)包括下游晶圓最小線寬（CDSize）、CD精度（CDTolerance）、CD精度均值偏差（CDMean-to-Target）、CD均勻性（CDUniformity/CDRange）、位置精度（Registration）、套刻精度（Overlay）、缺陷尺寸（DefectSize）。

? ?

審核編輯：劉清