3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點
編者按
中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術(shù)的理解，本學期集成電路學院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授外，學生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報告，實現(xiàn)教學互動。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
考慮到這些內(nèi)容也是目前業(yè)界關(guān)注的實用技術(shù)，征得教師和學生的同意，本公眾號將陸續(xù)展示一些學生的調(diào)研結(jié)果。這些報告還很初步，甚至有少許謬誤之處，請業(yè)界專家批評指正。
以下為報告PPT：
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5391文章
11591瀏覽量
362524 -
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1686瀏覽量
136284 -
3D
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
2899瀏覽量
107701 -
光刻技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
146瀏覽量
15859 -
刻蝕工藝
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
38瀏覽量
8446
原文標題：【Study】3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點
文章出處：【微信號：光刻人的世界，微信公眾號：光刻人的世界】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
干貨！一文看懂3D NAND Flash
目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情
發(fā)表于 08-11 13:58
?4.3w次閱讀
3D NAND良率是NAND Flash市場最大變數(shù)
據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3D NAND
發(fā)表于 02-27 09:21
?1489次閱讀
【半導體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識
NAND就是高樓大廈，建筑面積成倍擴增，理論上可以無限堆疊，可以擺脫對先進制程工藝的束縛，同時也不依賴于極紫外光刻（EUV）技術(shù)。
[]()
與2D NAND縮小Cell提高存儲
發(fā)表于 12-17 17:34
3D NAND技術(shù)工藝發(fā)展與主流內(nèi)存標準探討
本文為您講述ROM存儲介質(zhì)3D NAND技術(shù)工藝的發(fā)展，現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標準，包括傳統(tǒng)eMMC，三星和蘋果提出的UFC標準和NVMe標準。
發(fā)表于 10-12 15:54
?3446次閱讀
在3D NAND新產(chǎn)品技術(shù)進入市場之際加快發(fā)展步伐
的平面閃存，3D存儲器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且相對2D NAND來說，
3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)
今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預期。
發(fā)表于 09-16 10:38
?604次閱讀
半導體行業(yè)3D NAND Flash
，以致于達到某個點之后制程工藝已經(jīng)無法帶來優(yōu)勢了。相比之下，3D NAND解決問題的思路就不一樣了，為了提高NAND的容量、降低成本，廠商不需要費勁心思去提高制程
發(fā)表于 10-08 15:52
?540次閱讀
美光發(fā)布176層3D NAND閃存
存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手
未來的3D NAND將如何發(fā)展？
NAND 應(yīng)運而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來
未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？
依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款
不要過于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)
NAND應(yīng)運而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的
什么是3D NAND閃存？
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，
請問3D NAND如何進行臺階刻蝕呢？
在3D NAND的制造過程中，一般會有3個工序會用到干法蝕刻，即：臺階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論