英特爾的福爾瑟姆園區(qū)被用于固態(tài)硬盤(SSD)、圖形處理器、軟件甚至芯片的開發(fā),甚至芯片開發(fā)等多種研究開發(fā)。英特爾計劃在2021年出售3d nand和ssd事業(yè)部門后,將適當的專家轉移到solidm或使其退出。
2023-08-18 11:27:43497 在半導體行業(yè)的最初幾十年里,新的工藝節(jié)點只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實現(xiàn)性能、功耗和面積增益,這稱為經典縮放。集成電路工作得更好,因為電信號在每個晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:43253 在比利時安特衛(wèi)普舉行的ITF World 2023上,英特爾技術開發(fā)總經理Ann Kelleher概述了英特爾在幾個關鍵領域的最新進展,最有趣的是英特爾將在未來采用堆疊CFET晶體管。
2023-05-20 10:01:14328 英特爾和Arm達成了一項合作協(xié)議,英特爾代工服務(Intel Foundry Services)和Arm將會進行設計技術協(xié)同優(yōu)化,這意味著讓芯片設計者能夠基于英特爾18A制程打造低功耗的SoC
2023-04-19 14:31:23710 Bridge的處理器。這種處理器使用3D(三閘)晶體管?! at Bliemer還證實稱,英特爾的Tick-Tock(工藝年-構架年)戰(zhàn)略正在按計劃進行。這意味著第一款采用14納米技術的處理器將在
2011-12-05 10:49:55
)上,英特爾發(fā)布了多項突破性研究成果,繼續(xù)探索技術創(chuàng)新,以在未來十年內持續(xù)推進摩爾定律,最終實現(xiàn)在單個封裝中集成一萬億個晶體管。英特爾的研究人員展示了以下研究成果:3D封裝技術的新進展,可將密度再提升10倍;超越RibbonFET,用于2D晶體管微縮的新材料,包括僅三個
2022-12-06 15:50:21824 英特爾向今年的國際電子器件會議(IEDM)提交了幾篇研究論文,強調了他們追求新的2D晶體管材料和3D封裝解決方案的計劃。這些新信息支持了首席執(zhí)行官Pat Gelsinger之前關于英特爾即將進行的微
2022-12-05 10:16:07776 FinFET確切的說,是一個技術的代稱。世界上第一個3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功,當時英特爾稱其為 “Tri-Gate”(三柵極晶體管)。
2022-07-08 15:04:261549 方法背后的依據。 未來之路 英特爾的路線圖是基于無與倫比的制程技術創(chuàng)新底蘊制定而成。結合世界先進的研發(fā)流程,英特爾推出過諸多深刻影響了半導體生態(tài)的行業(yè)首創(chuàng)技術,如應變硅、高K金屬柵極和3D FinFET晶體管等。 如今,英特爾延
2021-08-09 10:40:314049 芯東西12月30日消息,英特爾在本周的IEEE國際電子設備會議上展示了一項新的研究,或為續(xù)命摩爾定律提供下一步可行方向。 此項研究是英特爾一直熱衷的堆疊納米片晶體管技術,通過將PMOS和NMOS兩種
2021-01-02 09:03:001643 一系列新品發(fā)布外,更重要的是從中讀出出售閃存業(yè)務后,英特爾存儲的未來發(fā)展方向。 此次活動上,英特爾發(fā)布了六款全新的內存和存儲產品,三款基于3D XPoint的傲騰系列產品以和三款基于英特爾144層3D NAND的SSD。其中三款傲騰系列產品包括兩款新
2020-12-25 10:56:072484 根據英特爾官方的消息,在今天的 2020 英特爾內存存儲日活動上,英特爾正式發(fā)布了英特爾固態(tài)盤 670p,采用了英特爾下一代 144 層 QLC 3D NAND。 IT之家了解到,670p 是繼
2020-12-17 10:04:272736 12 月 16 日消息 根據英特爾官方的消息,在今天的 2020 英特爾內存存儲日活動上,英特爾正式發(fā)布了英特爾固態(tài)盤 670p,采用了英特爾下一代 144 層 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:222228 制程工藝是非常重要的基礎。在今年“架構日”上,英特爾推出了創(chuàng)新的晶體管技術SuperFin。這項技術擁有行業(yè)顛覆意義,英特爾在底層晶體管設計上做了優(yōu)化,降低了電阻,提高了電流,同時在電容層級采用了Super MIM的大幅優(yōu)化技術,電容量提高了5倍,同時降低了壓降。
2020-08-27 11:14:582173 中都會涉及到這一重要元件。 而晶體管主要是泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件。也是規(guī)范操作電腦,手機,和所有其英特爾3D晶體管技術英特爾3D晶體管技術(16張) 他現(xiàn)代電子電路的基本構建塊。 兩者的區(qū)別還不僅僅是上
2020-06-17 11:40:3932546 在此前高調地宣布“分道揚鑣”之后,英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應協(xié)議。分析人士指出,鑒于英特爾是當前唯一的 3D XPoint 制造商,其需要向美光支付較以往更多的費用。
2020-03-17 14:21:141872 針對 2020 年東京奧運會、2022 年北京冬奧會和 2024 年巴黎奧運會,英特爾正著力開發(fā)基于 5G 的 VR、3D 和 360 度內容開發(fā)平臺。
2019-10-23 17:38:33528 英特爾近日在舊金山召開的SemiCon West上公布了他們在半導體領域最新的研究成果,一共公布了三種新的3D封裝工藝,為未來開啟了一個全新的維度。芯片封裝一直是芯片制造中的一個重頭戲,在傳統(tǒng)的2D
2019-07-11 16:58:103562 英特爾今日公布了英特爾?傲騰?混合式固態(tài)盤的詳細信息,這款創(chuàng)新的設備采用M.2規(guī)格,體積小巧,將英特爾傲騰技術的卓越響應速度與英特爾?Quad Level Cell(QLC)3D NAND技術的強大存儲容量融為一體。
2019-04-12 17:25:583937 此前外界普遍預計,蘋果最早將在2020年放棄英特爾處理器,轉而采用自己的ARM芯片。Axios報道今日稱,一些開發(fā)人員和英特爾高管預計最早明年蘋果就會采取這一行動。據Axios報道,盡管蘋果公司尚未
2019-02-25 08:57:029148 的價值可能超過一萬億美元。那么,在美光發(fā)布QuantX產品兩年多之后,以及英特爾最近因其在3D XPoint合資企業(yè)中的存在而觸發(fā)了看漲期權之后,3D XPoint現(xiàn)在究竟處于一個什么樣的階段呢?
2019-02-11 16:26:00926 一說到二維(2D)或三維(3D),總是讓人想到人眼視覺效果,然而在半導體領域,3D技術帶來的革命更嘆為觀止,早些年的FinFET和3D NAND只是個開始。從2018年12月初英特爾公布新架構路線,到1月初CES 2019上拿出M.2 SSD大小的整臺電腦,這樣的速度,你不得不更上!
2019-01-29 11:09:004863 在近日舉行的英特爾“架構日”活動中,英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數據中心和網絡系統(tǒng),支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構,還推出了業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術——Foveros。
2018-12-15 09:22:423269 英特爾近日向業(yè)界推出了首款3D邏輯芯片封裝技術“Foveros”,據悉這是在原來的3D封裝技術第一次利用3D堆疊的優(yōu)點在邏輯芯片上進行邏輯芯片堆疊。也是繼多芯片互連橋接2D封裝技術之后的又一個顛覆技術。
2018-12-14 16:16:452192 在近日舉行的英特爾“架構日”活動中,英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數據中心和網絡系統(tǒng),支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構,還推出了業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術——Foveros。這一全新的3D封裝技術首次引入了3D堆疊的優(yōu)勢,可實現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片。
2018-12-14 15:35:327653 新的微加工技術可用于生產有史以來最小的3D晶體管,尺寸是目前主流商用產品的三分之一。
2018-12-12 09:40:482861 近期,美光正式宣布,對IM Flash Technologies,LLC(簡稱“IM Flash”) 中的權益行使認購期權。IM Flash是美光與英特爾的合資公司,主推市場上的新型存儲芯片技術3D Xpoint。
2018-11-11 09:54:491042 查看使用英特爾?實感?技術提供高分辨率3D全身掃描的Cappasity Easy 3D Scan * Booth!
2018-11-09 06:12:002311 來自Cappasity的英特爾?軟件創(chuàng)新者展示了全身3D掃描儀的早期原型,即英特爾?實感?遠程攝像機。
2018-11-07 06:40:002715 讓英特爾頭痛的是,3D XPoint市場規(guī)模仍然很小,這讓他們無法將該產品大批量生產。如果沒有高產量,其生產成本將會保持很高,可能高于DRAM。然而,英特爾必須以低于DRAM的價格出售3D XPoint,才會吸引消費者。這意味著英特爾必須賠錢來建立市場。
2018-10-16 15:47:033881 英特爾在當地時間周日開始出貨首批基于3D XPoint新技術的產品,希望借此重塑計算機內存市場,協(xié)助公司從科技行業(yè)的數據爆炸中獲得更多利潤。
2018-09-16 10:50:153127 英特爾周一宣布,下一世代3D XPoint存儲器芯片的研發(fā)計劃,將轉移陣地至新墨西哥州廠。據新墨西哥州長Susana Martinez表示,英特爾變更布局將為當地帶來逾100個新工作機會。(usnews.com)
2018-09-12 11:33:263407 近日,英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術的數據中心級固態(tài)盤,加強擴大3D NAND供應。
2018-08-01 17:44:54746 在英特爾制造日,英特爾發(fā)布了10nm晶圓。通過采用超微縮技術(hyper scaling),英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距,從而實現(xiàn)了業(yè)內最高的晶體管密度。超微縮技術
2018-03-12 11:48:00593 上周,隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發(fā)3D NAND,其維持多年的長期合作關系也將結束。與此同時,有外媒報道,英特爾將于紫光合作,在中國生產3D NAND閃存芯片。在未來幾年,英特爾將會
2018-01-16 14:37:554386 近日傳聞美光科技和英特爾的合作關系即將終止,主要是因為3D NAND技術還不適合目前的市場,后續(xù)有傳說英特爾要和紫光一起開發(fā)3D NAND芯片,具體情況如何還需要進一步的考證。
2018-01-16 14:30:431228 據外媒報道,英特爾和鎂光宣布,它們不再合作開發(fā)下一代3D NAND內存。
2018-01-11 09:16:023961 集微網消息,1月9日,英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚鑣。今日臺灣DIGITIMES報道指出,業(yè)界透露英特爾在3D NAND布局押寶大陸市場,不僅
2018-01-10 19:43:16445 TechInsights的研究人員針對采用XPoint技術的英特爾Optane內存之制程、單元結構與材料持續(xù)進行深入分析與研究。 英特爾(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D
2017-09-18 19:39:004 據消息,英特爾正計劃利用現(xiàn)有的硬件材料去開發(fā)量子計算機。通過量子機制,量子計算機能帶來更強大的計算性能。 荷蘭代爾夫特理工大學與英特爾合作開發(fā)的量子計算設備 競爭對手IBM、微軟和谷歌都在開發(fā)量子計算機,但這些量子計算機與當前的計算機有很大不同。英特爾則計劃利用當前的硅晶體管材料來實現(xiàn)量子計算機。
2016-12-23 02:39:111440 今天在舊金山召開的英特爾全球開發(fā)者論壇(IDF),英特爾發(fā)布了諸多布局新技術領域的產品,包括融合現(xiàn)實MR眼罩、物聯(lián)網芯片焦耳(Joule)。但有一個非產品的消息同樣引起了媒體關注。英特爾已經與ARM達成了新的授權協(xié)議,英特爾工廠未來將可以生產ARM芯片。
2016-08-17 10:15:22863 據The Register網站報導,英特爾(Intel)收購以色列3D影像技術新創(chuàng)公司Replay Technologies,希望借此將該公司芯片觸角延伸到其他周邊科技和應用,并針對虛擬實境(VR)等關鍵新興技術,透過端對端的供應方式,增加營收與客戶管控。
2016-04-27 16:46:44724 目前3D晶體管成為代工產業(yè)重點關注的技術,但很多人關于這個技術的細節(jié)不是很了解,我們在這里介紹一下。
2015-12-28 14:34:1211367 汽車,英特爾公司期望透過該公司的新晶片進展,為未來打造更安全且身歷其境的體驗。 透過以下圖集,看看英特爾展示今日與明日的創(chuàng)新技術。 RealSense 3D懸浮屏幕 RealSense 3D監(jiān)測 英特爾在平板電腦與筆記型電腦中嵌入了 3D 感測元件、專用處理器以及多個攝影鏡頭,
2014-07-01 09:50:514058 IM Flash 技術有限責任公司是英特爾與美光科技的合資公司,日前,該公司表示目前正在策劃如何及何時將3D技術用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451411 的onshore代工技術和使用英特爾革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶體管技術,開發(fā)先進的高性能數字集成電路(IC)和系統(tǒng)級芯片(SoC)解決方案。
2013-05-09 11:15:58772 IBM在Common Platform技術論壇上展示了藍色巨人對未來晶圓的發(fā)展預測,Common Platform是IBM、Globalfoundries和Samsung的聯(lián)盟,旨在研究3D晶體管
2013-02-20 23:04:307669 近日消息,英特爾計劃將“3D晶體管”工藝應用到SoC移動芯片上,以獲得產品性能飛躍性提升,但對于“3D晶體管”技術是否適用于SoC芯片的制造,參與舊金山國際電子產品大會的專家們
2012-12-11 09:05:451014 本文中心議題: 英特爾(Intel)于日前宣布芯片設計創(chuàng)新,外界認為,主要是為擺脫英國芯片大廠ARM的威脅。ARM對英特爾在微處理器行業(yè)的統(tǒng)治地位構成挑戰(zhàn)。但是ARM卻表明立場:面對
2012-08-15 13:56:421250 英特爾已經準備把第一個3D晶體管結構導入大量生產,它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產芯片。22納米處理器,代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質性的區(qū)別,它不只可
2012-08-15 11:23:241179 英特爾已經準備把第一個3D晶體管結構導入大量生產,它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產芯片。22納米處理器,代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質性的區(qū)別,它不只可
2012-08-15 11:23:244748 本文核心議題: 通過本文介紹,我們將對Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術有著詳細的了解。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術將會用于下下代14nm的半導體制造,沒想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:277091 Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經逐步進入大家的視線了,本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點。
2012-08-08 11:49:461736 什么是3D晶體管?3D晶體管,從技術上講,應該是三個門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭(fin)所取代,硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:012992 本文通過高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術將會用于下下代14nm的半導體制造,沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝,并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:1870 為了在硅芯片上擠入更多的元件,英特爾已開始大規(guī)模生產基于3-D晶體管的處理器。這一舉動不僅延長了摩爾定律(根據該定律,每塊芯片上的晶體管數量每兩年就會翻一番)的壽命
2012-07-09 11:11:341040 2012年4月23日,英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設計,最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產成功,并于4月29日開始全球銷售。
2012-05-13 09:35:434558 Achronix 半導體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產品系列的細節(jié),它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術工藝制造的首批現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)產品。Speedster22i FPGA產品是業(yè)內唯一
2012-04-25 09:12:051138 電子發(fā)燒友網訊:英特爾今天推出了首款運用22納米3D三維晶體管技術制造的處理器Ivy Bridge,這款內核主要搭載在超薄高亮筆記本上面。分析人士認為,這款芯片會縮短其與圖形處理性能
2012-04-24 17:11:521207 將特別采用英特爾的3-D三維晶體管尖端制造工藝
2012-04-16 08:52:00631 可編程邏輯廠商Tabula 2月21日確認,英特爾將使用最新技術3-D三柵極晶體管技術為其代工22-nm3PLD產品。
2012-02-21 15:07:15875 晶體管是現(xiàn)代電子學的基石,而Intel 此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發(fā)明,甚至可以說是重新發(fā)明了晶體管。半個多世紀以來,晶體管一直都在使用2-D 平面結構,現(xiàn)在終于邁入
2012-01-18 15:28:52146 北京時間11月2日凌晨消息,惠普周二公布了一項計劃,將與ARM和AMD等公司合作開發(fā)超低能耗服務器,此舉可能對英特爾的市場主導地位形成威脅。
2011-11-02 09:24:09331 Intel在微處理器晶體管設計上取得重大突破,沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實現(xiàn)3D架構,一款名為Tri-Gate的晶體管技術得到實現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401274 近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎”,英特爾的3-D三柵極晶體管設計獲得半導體類別創(chuàng)新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結構代表著從2-D平面晶體管結構的根本性轉變
2011-10-23 01:01:04867 在本周于舊金山召開的英特爾開發(fā)者大會(IDF)中,英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術的22nm元件細節(jié),并進一步說明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設計概念。
2011-09-16 09:23:43811
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