英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 談?wù)凷iC MOSFET的短路能力2023-08-25 08:16

  

  談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

  IGBT MOSFET SiC 電壓 短路 2146瀏覽量

• 如何更好的使用EiceDRIVER™ IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET2023-08-17 09:27

  

  2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設(shè)立“綠色能源與工業(yè)”“電動(dòng)交通和電動(dòng)出行”“智能家居”三大核心展示區(qū)域碳化硅（SiCMOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER1

  IC MOSFET SiC 驅(qū)動(dòng) 1190瀏覽量

• 來自英飛凌開發(fā)者社區(qū)的10問10答——IGBT篇2023-08-02 08:17

  

  Q在IGBT器件的開通過程中，柵極電荷Qg的充電過程是怎樣的？A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數(shù)據(jù)手冊中如圖1所示，給出了柵極電荷Qg和柵極電壓Vge的關(guān)系。圖2為IGBT器件簡化示意圖。柵極電荷的充電過程可以分為以下三個(gè)區(qū)域。

  IGBT 電壓 英飛凌 1651瀏覽量

• 基于IM828-XCC的高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)2023-07-31 22:55

  

  隨著現(xiàn)代機(jī)床向高速、高精度方向發(fā)展，對機(jī)床主軸的技術(shù)要求越來越高。電主軸作為高速機(jī)床的重要組成部件之一，因其轉(zhuǎn)速高、體積小和優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能等特性，可有效提高機(jī)床的動(dòng)態(tài)平衡，避免了振動(dòng)和噪聲。主軸電機(jī)放置在機(jī)床的主軸單元內(nèi)，直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載。因此，簡化了傳統(tǒng)的機(jī)械驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了“零驅(qū)動(dòng)”。由于電主軸的廣泛應(yīng)用，推動(dòng)著電機(jī)主軸系統(tǒng)向高精度、高速、低能耗、高效率、高

  機(jī)床 電機(jī) 驅(qū)動(dòng)器 高速 1717瀏覽量

• 使用新型160V MOTIX™三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC實(shí)現(xiàn)更好的電池供電設(shè)計(jì)（第一部分）2023-07-31 22:55

  

  作者簡介作者:SrivatsaRaghunath翻譯：趙佳MOTIX三相柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX品牌的新成員，該品牌通過可擴(kuò)展的產(chǎn)品組合提供低壓電機(jī)控制解決方案。它是一款160V絕緣體上硅(SOI)柵極驅(qū)動(dòng)器IC，采用5x5mm²QFN-32封裝，帶有熱效率高的裸露功率焊盤，并集成了電源管理單元(PMU)。這種易于使用的器件

  IC 供電 電池 驅(qū)動(dòng)器 795瀏覽量

• 使用新型160V MOTIX™三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC實(shí)現(xiàn)更好的電池供電設(shè)計(jì)（第二部分）2023-07-31 22:54

  

  作者簡介作者:SrivatsaRaghunath翻譯：趙佳6ED2742S01Q是一款用于電池供電應(yīng)用的高性價(jià)比、易于使用的柵極驅(qū)動(dòng)器IC。6ED2742S01Q具有10V至120V的寬工作電壓范圍，是12V、24V、48V、72V和96V等多種電池類型的理想"一站式"柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案。這兩種強(qiáng)大的保護(hù)和電流檢測方案使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)镸OSFET逆變級(jí)和

  IC 電池 驅(qū)動(dòng)器 624瀏覽量

• 200kW儲(chǔ)能用EasyPACK™ 3B三電平模塊2023-07-31 17:56

  

  新品200kW儲(chǔ)能用EasyPACK3B三電平模塊F3L225R12W3H3_B11NPC1三電平EasyPACK3B模塊采用1200VHIGHSPEED3IGBT芯片和EmCon7二極管。它為ESS雙向功率變換進(jìn)行了優(yōu)化，兩個(gè)并聯(lián)模塊，可以實(shí)現(xiàn)200千瓦1500VDC功率變換。相關(guān)器件：F3L225R12W3H3_B11產(chǎn)品特點(diǎn)采用PressFIT技術(shù)的E

  三電平 儲(chǔ)能 模塊 2287瀏覽量

• 6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiC MOSFET）2023-07-31 17:55

  

  新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來驅(qū)動(dòng)IGBT、MOSFET和SiCMOSFET等功率開關(guān)。該板預(yù)裝了兩個(gè)CoolSiCSiCMOSFETIMZA120R020M1H，一個(gè)額外的柵極驅(qū)動(dòng)IC用于隔離從上橋臂到邏輯控制側(cè)

  MOSFET SiC 評(píng)估板 946瀏覽量

• 英飛凌的SiC MOS需要負(fù)壓嗎2023-07-31 17:30

  

  IPAC|2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場直播于5月23日順利結(jié)束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設(shè)計(jì)理念、高性能封裝互聯(lián)方案.XT、冷切割技術(shù)與應(yīng)用。直播時(shí)間有限，未能回答全部觀眾問題，在此針對一些遺漏問題進(jìn)行回答。如果大家還有任何問題，歡迎在文末留言，我們會(huì)及時(shí)回復(fù)。點(diǎn)擊下方視頻即可回看溝槽柵

  MOS SiC 英飛凌 1902瀏覽量

• 新品 | 用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET2023-07-31 16:57

  

  新品用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強(qiáng)型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。產(chǎn)品型號(hào)：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低

  MOSFET 高速開關(guān) 1043瀏覽量