英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 米勒電容、米勒效應(yīng)和器件與系統(tǒng)設(shè)計對策2023-03-02 22:04

  

  搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個詞困擾。米勒效應(yīng)增加開關(guān)延時不說，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對呢？我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍(lán)色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開通過程中，GE的電壓從-10V開始上升，上升至閾值電壓后，IGBT導(dǎo)通，開始流過電流

  器件 系統(tǒng) 3296瀏覽量

• 新品 | EiceDRIVER™ 0.35A/0.65A 1200V SOI技術(shù)的三相柵極驅(qū)動器2023-02-21 22:04

  

  新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI技術(shù)的三相柵極驅(qū)動器EiceDRIVER1200V三相柵極驅(qū)動器，典型的0.35A源電流和0.65A灌電流。其采用DSO-24引腳封裝，適用于IGBT（絕緣柵雙極晶體管）/SiC（碳化硅）模塊和分立器件驅(qū)動。產(chǎn)品型號：6ED2231S12TEiceDRIVER1200V三相柵極驅(qū)動器，典型的0.3

  電流 驅(qū)動器 998瀏覽量

• 請教如何解決FF1400R17IP4模塊雙脈沖測試電流振蕩？2023-02-09 22:05

  

  “做雙脈沖實驗時VCE電壓振蕩很大是為什么？”“英飛凌的產(chǎn)品文檔在哪里查找？”“IGBT橋臂模塊疊層銅排結(jié)構(gòu)是否合理，是否需要優(yōu)化？”當(dāng)你有任何技術(shù)問題，卻苦于無法快速得到專業(yè)工程師的回復(fù)時，（InfineonDeveloperCommunity）英飛凌開發(fā)者社區(qū)是你的最佳選擇。在這里，大量英飛凌資深工程師常駐后臺，提供多種語言的問答服務(wù)，中國本土工程師24

  測試 電感 電流 2307瀏覽量

• 新品 | IMI111T - iMOTION™帶有微控制器、柵極驅(qū)動器和IGBT的IPM智能功率模塊2023-02-03 22:05

  

  新品IMI111T-iMOTION帶有微控制器、柵極驅(qū)動器和IGBT的IPM智能功率模塊集成了電機(jī)控制器、三相柵驅(qū)動器600V/2A和600V/4AIPM,在沒有散熱器情況可以驅(qū)動50W/70W電機(jī)，目標(biāo)應(yīng)用為大小家電和風(fēng)機(jī)水泵。產(chǎn)品型號：IMI111T-026H：2A600VIPMIMI111T-046H：4A600VIPMiMOTIONIPM集成了電機(jī)控

  IPM 微控制器 驅(qū)動器 1209瀏覽量

• 新品 | -1A/2A，160V MOTIX™三相SOI柵極驅(qū)動器2023-01-30 22:11

  

  新品-1A/2A，160VMOTIX三相SOI柵極驅(qū)動器-1A/2A，160VMOTIX三相柵極驅(qū)動器，帶有集成的電源管理單元（PMU）、電流感應(yīng)放大器（CSA）和過流保護(hù)（ITRIP）。產(chǎn)品型號：6ED2742S01QMOTIX6ED2742S01Q是一款基于SOI的160V柵極驅(qū)動器，用于三相無刷直流電動機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。集成的自舉二極管用于為三個外部高邊充電

  驅(qū)動器 柵極 1124瀏覽量

• 新品 | EasyPACK™ 2B 75A 1700V IGBT三相橋模塊和2200V EasyBRIDGE整流模塊2023-01-20 22:11

  

  新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊1700V電機(jī)驅(qū)動功率半導(dǎo)體解決方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊相關(guān)器件：FS75R17W2E4P_B11Easy2B封裝DDB6U50N22W1RP_B11Easy1B封裝EasyPACK

  模塊 整流器 2122瀏覽量

• 新品 | 采用950V IGBT7和1200VSiC二極管的三路45A 三電平Boost MPPT模塊2023-01-18 22:11

  

  新品光伏組串逆變器用45A三路MPPT模塊光伏組串逆變器用45A三路MPPT模塊，由950VIGBT7和1200VSiC二極管構(gòu)成相關(guān)器件：FS3L400R10W3S7F_B1145A3路MPPTFS3L400R10W3S7F_B11是EasyPACK3B封裝的三路45AMPPT模塊。它采用950V的TRENCHSTOPIGBT7和1200V的CoolSiC

  二極管 模塊 MPPT 1561瀏覽量

• 是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案2023-01-16 22:11

  

  作者簡介作者：sureshthangavel翻譯：趙佳與硅技術(shù)相比，SiCMOSFET在光伏和儲能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統(tǒng)，將會非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這

  逆變器 SiC 851瀏覽量

• 如何手動計算IGBT的損耗2023-01-12 22:11

  

  現(xiàn)今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節(jié)省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實基礎(chǔ)都是大家學(xué)過的基本高等數(shù)學(xué)知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形：IGB

  IGBT 損耗 1708瀏覽量

• SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？2023-01-11 15:09

  

  眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，Si

  MOSFET SiC 1341瀏覽量