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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號(hào)致力于打造電力電子工程師園地，英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺(tái)，包括工程師應(yīng)用知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)分享，在線課程、研討會(huì)視頻集錦。

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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

  • 新品 | CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV XHP™ 2半橋模塊2024-12-27 17:07

    新品CoolSiCMOSFET3.3kVXHP2半橋模塊XHP2CoolSiCMOSFET3.3kV集成體二極管、XHP2封裝，采用.XT互聯(lián)技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)：■FF2000UXTR33T2M1■FF2600UXTR33T2M1■FF4000UXTR33T2M1產(chǎn)品特點(diǎn)Inom大損耗低高開關(guān)頻率體積小.XT連接技術(shù)I2t浪涌電流穩(wěn)健性應(yīng)用價(jià)值能源效率高功率密度
    MOSFET SiC 65瀏覽量

  • 英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴2024-12-26 17:06

    2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下，推動(dòng)社會(huì)的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識(shí)。在經(jīng)濟(jì)社會(huì)踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場(chǎng)與價(jià)格戰(zhàn)的矛盾，除了當(dāng)下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲(chǔ)能等其他應(yīng)用市場(chǎng)多點(diǎn)開花？在日前舉辦的年度碳
    碳化硅 能源 英飛凌 347瀏覽量

  • 白皮書導(dǎo)讀 | 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件2024-12-25 17:30

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情近年來，電動(dòng)汽車的興起帶動(dòng)了寬禁帶器件的應(yīng)用，并逐漸滲透到各個(gè)市場(chǎng)。目前，工業(yè)電機(jī)主要使用逆變器來提高能效等級(jí)，這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關(guān)時(shí)存在一些限制，如總體損耗較高、開關(guān)頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導(dǎo)體的興起，寬禁帶器件的應(yīng)用使得提高電機(jī)的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能。《電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

  • 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)2024-12-23 17:31

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)？在功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章《功率半導(dǎo)體殼溫和

  • 新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET2024-12-20 17:04

    750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅(jiān)固的SiCMOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和堅(jiān)固性方面都具有優(yōu)勢(shì)，并具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提高了成本效益，實(shí)現(xiàn)了最高的效率和功率
    MOSFET SiC 英飛凌 146瀏覽量

  • 新品 | 6EDL04x065xT 系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器2024-12-19 19:00

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情新品6EDL04x065xT系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器650V三相柵極驅(qū)動(dòng)器，帶過電流保護(hù)(OCP)、使能(EN)、故障檢測(cè)和集成自舉二極管(BSD)產(chǎn)品型號(hào)：■6EDL04I065NT■6EDL04I065PT■6EDL04N065PT產(chǎn)品特點(diǎn)英飛凌薄膜-SOI技術(shù)最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0.165A/-0.375A集成

  • 搶先領(lǐng)??！高壓CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮書推薦2024-12-18 17:20

    高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗(yàn)證的白皮書共33頁(yè)，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實(shí)現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件使用壽命，且大幅超過標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，詳細(xì)闡述了英飛凌用于驗(yàn)證CoolGaN器件的四個(gè)方面的流程。硅的故障機(jī)制清晰，驗(yàn)證方法非常成熟，但傳統(tǒng)的硅驗(yàn)證工藝無法直接應(yīng)用于GaN技術(shù)產(chǎn)品，因?yàn)镚aN器件的材料和結(jié)構(gòu)特性與

  • 英飛凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再獲殊榮，榮獲極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)2024-12-17 17:03

    英飛凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度贏得行業(yè)殊榮，榮獲2024年度極光獎(jiǎng)“年度影響力產(chǎn)品”獎(jiǎng)項(xiàng)。與此同時(shí)，憑借其在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新突破及產(chǎn)品性能的顯著提升，英飛凌被授予“第三代半導(dǎo)體年度標(biāo)桿領(lǐng)軍企業(yè)”的榮譽(yù)。點(diǎn)擊可查看大圖此外，作為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌持續(xù)致力于碳化硅技術(shù)的革新與發(fā)展，推動(dòng)市場(chǎng)向更高功率等級(jí)與更高能

  • 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散2024-12-16 17:22

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理

  • 新品 | 6EDL04x065xR 和 6EDL04N03PR 系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器2024-12-13 17:04

    新品6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器650V和300V三相柵極驅(qū)動(dòng)器，帶過電流保護(hù)(OCP)、使能(EN)、故障檢測(cè)和集成自舉二極管(BSD)產(chǎn)品型號(hào)：■6EDL04I065NR■6EDL04I065PR■6EDL04N065PR■6EDL04N03PR產(chǎn)品特點(diǎn)英飛凌薄膜-SOI技術(shù)最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0