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新品 | EasyDUAL™ 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊2025-05-13 17:04
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英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)2025-05-12 17:06
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電力電子中的“摩爾定律”(1)2025-05-10 08:32
本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品,來自上??萍即髮W(xué)劉賾源的投稿。著名的摩爾定律中指出,集成電路每過一定時間就會性能翻倍,成本減半。那么電力電子當(dāng)中是否也存在著摩爾定律呢?1965年,英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾(GordonMoore)在《電子器件會議記錄》中提出,集成電路芯片上所能容納的晶體管數(shù)量每隔大約18至24個月會翻倍,同時成本也會相應(yīng)下降 -
英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹立新標(biāo)準(zhǔn),加速電動汽車普及與工業(yè)效率提升2025-05-08 17:05
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英飛凌推出新型CoolSiC™ JFET技術(shù),實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電2025-05-07 17:03
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英飛凌2EP EiceDRIVER™ Power系列全橋變壓器驅(qū)動器產(chǎn)品全員到齊,收藏這篇就夠了!2025-05-06 17:04
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新品 | 服務(wù):InfineonSpice 離線仿真工具2025-04-30 18:21
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碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相2025-04-30 18:21
在碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相(誤區(qū)一見:碳化硅何以英飛凌?——溝槽柵技術(shù)可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2:“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp,電阻 -
機器人和自動化的未來(2)2025-04-26 08:33
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新品 | 驅(qū)動無刷直流 (BLDC) 電機用三相柵極驅(qū)動器評估板2025-04-25 17:05