英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 英飛凌IGBT7系列芯片大解析2025-01-15 18:05

  

  上回書(shū)(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說(shuō)到，IGBT自面世以來(lái)，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，并且

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• 新品 | 用于交直流固態(tài)斷路器評(píng)估的高效套件（CoolSiC™版本）2025-01-14 17:35

  

  新品用于交直流固態(tài)斷路器評(píng)估的高效套件（CoolSiC版本）REF_SSCB_AC_DC_1PH_SIC固態(tài)斷路器(SSCB)套件用于快速評(píng)估交流和直流斷路器，帶交互式圖形用戶界面GUI。該套件支持110VAC、230VAC或350VDC工作電壓和16A額定電流，自然冷卻，采用頂部散熱(TSC)MOSFET封裝上的非隔離式散熱器。它可支持不同的SSCB應(yīng)用場(chǎng)

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• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)2025-01-13 17:36

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率半導(dǎo)體的電流密度隨著功率半導(dǎo)體芯片損耗降低，最高工作結(jié)溫提升，器件的功率密度越來(lái)越高，也就是

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• 第二屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽斬獲殊榮——榮獲2024年全國(guó)科普日優(yōu)秀活動(dòng)表彰2025-01-11 09:05

  

  2024年12月27日，中國(guó)科協(xié)辦公廳正式發(fā)布了《關(guān)于表彰2024年全國(guó)科普日優(yōu)秀組織單位與活動(dòng)的通知》，由中國(guó)電源學(xué)會(huì)科普工作委員會(huì)攜手英飛凌科技（中國(guó)）有限公司精心策劃的第二屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽，斬獲“2024年全國(guó)科普日優(yōu)秀活動(dòng)”殊榮。第二屆大賽，我們鼓勵(lì)參賽者圍繞自身工作、學(xué)習(xí)及興趣，用文字、視頻、動(dòng)漫等多種形式，展示電力電子技術(shù)在電源管理、電

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• 新品 | 670V TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝2025-01-09 17:06

  

  670VTRENCHSTOPIGBT7PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝該產(chǎn)品專門針對(duì)RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路進(jìn)行了優(yōu)化。它是TRENCHSTOPIGBT5的后續(xù)產(chǎn)品，具有更好的EMI特性、同類最佳的可靠性和堅(jiān)固性，可為大功率和高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用提供先進(jìn)的性能和更高的性價(jià)比。產(chǎn)品型號(hào)：■KW30N67PR7■IKW40N

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• 英飛凌一站式方案助力熱泵系統(tǒng)，全新高效功率器件震撼首秀2025-01-08 17:03

  

  隨著全球能源轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，建筑節(jié)能成為重要議題，熱泵系統(tǒng)作為一種高效的供暖、制冷和熱水供應(yīng)方式，能夠顯著降低建筑能耗，提高能源利用效率，在現(xiàn)代社會(huì)中有著廣泛的應(yīng)用需求。然而，人們對(duì)居住環(huán)境舒適度的要求日益提高，熱泵行業(yè)面臨著一個(gè)共同挑戰(zhàn)：如何實(shí)現(xiàn)安靜、高效且可靠的熱泵系統(tǒng)。英飛凌憑借多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，提供MCU控制器，不同封裝的功率器件，以及GateD

  功率器件 功率模塊 英飛凌 656瀏覽量

• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子2025-01-06 17:05

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關(guān)斷電流能力很強(qiáng)，

  功率半導(dǎo)體 功率器件 熱設(shè)計(jì) 666瀏覽量

• 應(yīng)用指南導(dǎo)讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN™功率晶體管的PCB布局2025-01-03 17:31

  

  作為寬禁帶半導(dǎo)體，氮化鎵（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而，GaN器件的高速開(kāi)關(guān)行為也對(duì)PCB布局設(shè)計(jì)提出了巨大挑戰(zhàn)。因此想要充分發(fā)揮GaN的潛力，我們必須理解和管理PCB布局產(chǎn)生的寄生阻抗，確保電路正常、可靠地運(yùn)行，并且不會(huì)引起不必要的電磁干擾（EMI）?！秲?yōu)化HVCoolGaN功率晶體管的PCB布局》應(yīng)用指南，

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• 新品 | 3300V，1200A IGBT4 IHV B模塊2025-01-02 17:41

  

  3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開(kāi)關(guān)IGBT模塊經(jīng)過(guò)了重大改進(jìn)，以滿足牽引和工業(yè)應(yīng)用（如中壓傳動(dòng)或HVDC）當(dāng)前和未來(lái)的要求。其最新推出的產(chǎn)品組合類型是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的IGBT和二極管比率，F(xiàn)Z1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的1500A3.3kV單開(kāi)關(guān)。它采用TRENCHSTOPIGBT4和發(fā)射極可控EC

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• 2024年度盤(pán)點(diǎn)：創(chuàng)新賦能，銳意前行2024-12-31 17:06

  

  2024年，面對(duì)充滿挑戰(zhàn)且不確定的市場(chǎng)環(huán)境，英飛凌始終秉持創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)先的原則，不斷突破技術(shù)與產(chǎn)品性能的邊界，接連推出了多款重量級(jí)產(chǎn)品。今日，小編帶你一起盤(pán)點(diǎn)2024年的高光時(shí)刻。全新2000VCoolSiCMOSFET和二極管，業(yè)界首發(fā)作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000V的碳化硅分立器件，全新推出的CoolSiCMOSFET2000V采用TO-247P

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