動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-04-29 17:26
元器件失效之推拉力測(cè)試
元器件失效之推拉力測(cè)試在當(dāng)代電子設(shè)備的生產(chǎn)與使用過(guò)程中，組件的故障不僅可能降低產(chǎn)品的性能，還可能導(dǎo)致產(chǎn)品徹底失效，給用戶(hù)帶來(lái)麻煩和經(jīng)濟(jì)損失，同時(shí)對(duì)制造商的聲譽(yù)和成本也會(huì)造成負(fù)面影響。為什么要做推拉力測(cè)試？在電子元件的焊接、運(yùn)輸和使用過(guò)程中，它們經(jīng)常遭受到振動(dòng)、沖擊以及彎曲等外部力量的干擾，這些力量可能在焊點(diǎn)或元件上產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，進(jìn)而有可能導(dǎo)致焊點(diǎn)斷裂或元件損104瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-28 20:18
LED芯片質(zhì)量檢測(cè)技術(shù)之X-ray檢測(cè)
X射線檢測(cè)在光電半導(dǎo)體領(lǐng)域，LED芯片作為核心技術(shù)，其質(zhì)量至關(guān)重要。隨著制造工藝的不斷進(jìn)步，LED芯片的結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，內(nèi)部潛在缺陷的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加。盡管在常規(guī)工作條件下，這些缺陷可能不會(huì)明顯影響芯片的性能，但在高電流、高溫等極端環(huán)境下，它們可能引發(fā)功能失效，甚至導(dǎo)致整個(gè)LED系統(tǒng)損壞。因此，在LED芯片制造和應(yīng)用過(guò)程中，利用無(wú)損檢測(cè)技術(shù)對(duì)內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)檢查72瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-28 20:17
鹵素檢測(cè)：PCB有鹵與無(wú)鹵的差異
在當(dāng)代電子產(chǎn)業(yè)中，印制電路板（PCB）是核心組件之一，其材料與工藝的革新對(duì)電子設(shè)備的性能與可持續(xù)性有著深遠(yuǎn)影響。有鹵與無(wú)鹵PCB作為當(dāng)前市場(chǎng)上的兩大類(lèi)，各自有著獨(dú)特的特性與應(yīng)用范圍。有鹵與無(wú)鹵PCB概述1.有鹵PCB有鹵PCB是指在生產(chǎn)過(guò)程中使用了含有鹵素（如氯、溴等）的阻燃劑。當(dāng)電路板遭遇高溫或燃燒時(shí)，這些阻燃劑會(huì)釋放鹵素氣體，從而有效抑制火焰的蔓延，起到 -
發(fā)布了文章 2025-04-28 20:16
AEC-Q之高壓蒸煮試驗(yàn)（PCT）
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，電子元件的性能和可靠性直接決定了各類(lèi)設(shè)備的穩(wěn)定性和使用壽命。高壓蒸煮試驗(yàn)（PCT）作為一種關(guān)鍵的測(cè)試手段，為評(píng)估電子元件在極端環(huán)境下的表現(xiàn)提供了科學(xué)依據(jù)。模擬極端環(huán)境的關(guān)鍵技術(shù)PCT試驗(yàn)的核心在于模擬電子元件在實(shí)際使用中可能遭遇的高濕、高溫和高壓環(huán)境。通過(guò)將待測(cè)元件置于100%相對(duì)濕度（R.H.）的飽和蒸汽環(huán)境中，并施加一定的80瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-28 20:14
聚焦離子束技術(shù)：納米加工與分析的利器
聚焦離子束技術(shù)（FocusedIonBeam,FIB）作為一種前沿的納米加工與分析手段，憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的應(yīng)用潛力。本文將從技術(shù)原理、應(yīng)用領(lǐng)域、測(cè)試項(xiàng)目以及制樣流程等方面，對(duì)聚焦離子束技術(shù)進(jìn)行全面剖析，以期為相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和從業(yè)者提供有價(jià)值的參考。聚焦離子束技術(shù)核心聚焦離子束技術(shù)的核心在于利用電透鏡將離子束聚焦成極小尺寸的離子束，進(jìn)而 -
發(fā)布了文章 2025-04-27 15:47
LED燈珠變色發(fā)黑與失效原因分析
LED光源發(fā)黑現(xiàn)象LED光源以其高效、節(jié)能、環(huán)保的特性，在照明領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，LED光源在使用過(guò)程中出現(xiàn)的發(fā)黑現(xiàn)象，卻成為了影響其性能和壽命的重要因素。LED光源黑化的多重原因分析LED光源黑化是各大LED公司經(jīng)常碰到的問(wèn)題。然而光源黑化只是表象，硫化、氯化、溴化、氧化、碳化和化學(xué)不兼容化等原因均會(huì)導(dǎo)致LED光源發(fā)黑的現(xiàn)象。由于缺乏專(zhuān)業(yè)的檢測(cè)設(shè)備和 -
發(fā)布了文章 2025-04-27 15:45
IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器：電力電子系統(tǒng)的核心組件
在電力電子行業(yè)，隨著對(duì)功率電平和開(kāi)關(guān)頻率要求的不斷提升，半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）憑借其高效性和可靠性，成為中高功率開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中的首選。而IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器作為控制和驅(qū)動(dòng)IGBT的核心器件，其重要性愈發(fā)顯著。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)剖析1.輸入端：信號(hào)接收的關(guān)鍵IGBT柵極驅(qū)動(dòng)198瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-27 15:43
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發(fā)布了文章 2025-04-27 15:42
最新！中國(guó)RoHS管控體系升級(jí)要點(diǎn)解讀
2025年4月14日，工業(yè)和信息化部科技司發(fā)布公告，《電器電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制使用要求》等3項(xiàng)強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（報(bào)批稿）的編制工作。中國(guó)RoHS管控體系在幾大方面進(jìn)行了全面升級(jí)，此次升級(jí)的核心內(nèi)容之一是將有害物質(zhì)的管控種類(lèi)從原來(lái)的6類(lèi)擴(kuò)充至10類(lèi)，新增的四類(lèi)物質(zhì)均為鄰苯類(lèi)物質(zhì)使用要求的此次升級(jí)還對(duì)電器電子產(chǎn)品有害物質(zhì)的限制使用要求進(jìn)行了全面規(guī)范。根據(jù)最新規(guī)定， -
發(fā)布了文章 2025-04-25 17:44
AEC-Q102中的破壞性物理分析（DPA）
AEC-Q102與DPA概述在汽車(chē)電子系統(tǒng)中，光電半導(dǎo)體器件的可靠性至關(guān)重要。AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生，它為汽車(chē)電子中的光電半導(dǎo)體器件提供了一套全面的測(cè)試規(guī)范，確保這些器件能夠在極端溫度波動(dòng)和惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。而破壞性物理分析（DPA）作為AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)的核心組成部分，通過(guò)一系列物理和化學(xué)手段對(duì)器件進(jìn)行深入剖析，旨在發(fā)現(xiàn)潛在的制造缺陷和材料問(wèn)133瀏覽量
