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FIB 技術(shù)在電池材料研究中的相關(guān)應(yīng)用2025-04-30 15:20
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AEC-Q102中WHTOL及H3TRB試驗的異同2025-04-29 17:28
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元器件失效之推拉力測試2025-04-29 17:26
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LED芯片質(zhì)量檢測技術(shù)之X-ray檢測2025-04-28 20:18
X射線檢測在光電半導(dǎo)體領(lǐng)域,LED芯片作為核心技術(shù),其質(zhì)量至關(guān)重要。隨著制造工藝的不斷進步,LED芯片的結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜,內(nèi)部潛在缺陷的風(fēng)險也隨之增加。盡管在常規(guī)工作條件下,這些缺陷可能不會明顯影響芯片的性能,但在高電流、高溫等極端環(huán)境下,它們可能引發(fā)功能失效,甚至導(dǎo)致整個LED系統(tǒng)損壞。因此,在LED芯片制造和應(yīng)用過程中,利用無損檢測技術(shù)對內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行詳細檢查 -
鹵素檢測:PCB有鹵與無鹵的差異2025-04-28 20:17
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AEC-Q之高壓蒸煮試驗(PCT)2025-04-28 20:16
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,電子元件的性能和可靠性直接決定了各類設(shè)備的穩(wěn)定性和使用壽命。高壓蒸煮試驗(PCT)作為一種關(guān)鍵的測試手段,為評估電子元件在極端環(huán)境下的表現(xiàn)提供了科學(xué)依據(jù)。模擬極端環(huán)境的關(guān)鍵技術(shù)PCT試驗的核心在于模擬電子元件在實際使用中可能遭遇的高濕、高溫和高壓環(huán)境。通過將待測元件置于100%相對濕度(R.H.)的飽和蒸汽環(huán)境中,并施加一定的 -
聚焦離子束技術(shù):納米加工與分析的利器2025-04-28 20:14
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LED燈珠變色發(fā)黑與失效原因分析2025-04-27 15:47
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IGBT 柵極驅(qū)動器:電力電子系統(tǒng)的核心組件2025-04-27 15:45