DRAM價(jià)格持續(xù)上漲，NAND Flash跌價(jià)壓力增加

根據(jù)CINNO Research從存儲器供應(yīng)鏈業(yè)者所掌握到的消息，除了DRAM供給端產(chǎn)出成長持續(xù)有限外，主要受惠于第二季智能型手機(jī)備貨需求開始增溫以及服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心建置持續(xù)暢旺，整體第二季DRAM需求位出貨將拜托第一季衰退的局面，將呈現(xiàn)季增5-10%，帶動DRAM價(jià)格持續(xù)往上，因此第二季DRAM價(jià)格較第一季微幅上漲3%；而DRAM供貨商的報(bào)價(jià)區(qū)間也持續(xù)收斂，顯示整體DRAM產(chǎn)業(yè)秩序穩(wěn)定，在不帶變動的市場占有率中追求利潤最大化成為大家有志一同的目標(biāo)。

DRAM: CINNO Research副總楊文得認(rèn)為，整年2018年服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的建置需求將從年初旺到年底，再加上Intel今年推出新款服務(wù)器處理器可望進(jìn)一步帶動服務(wù)器換機(jī)需求，服務(wù)器內(nèi)存條的容量也持續(xù)增加，這方面的需求是穩(wěn)定；而第一季智能型手機(jī)需求疲軟的情形在經(jīng)過一季庫存調(diào)整后，再加上第二季三星、華為、OPPO、VIVO與小米等一線品牌推出新款手機(jī)啟動備貨需求，在高階機(jī)種的廝殺上大家持續(xù)提升DRAM容量的態(tài)勢不變，有效抵銷iPhoneX銷售不振的負(fù)面因素；同時其它各種新興應(yīng)用悄然躍上臺面，比特幣挖礦機(jī)需求雖然高低起伏，但整體態(tài)勢持續(xù)往上，對于高階繪圖內(nèi)存的消耗量不少，AI人工智能和自駕車等高度效能運(yùn)算的應(yīng)用也多需要高頻率高速度的內(nèi)存來搭配，因此我們認(rèn)為即便第四季韓系廠商陸續(xù)有新產(chǎn)能加入，但考慮到下半年需求將大于上半年，整體DRAM供需維持吃緊，價(jià)格持續(xù)上漲，唯獨(dú)DRAM價(jià)格過去一整年累積基期漲幅也高，因此各季度的漲幅也將收斂。

NAND Flash: 各家64/72層堆棧的3D-NAND Flash良率爬升速度加快，多數(shù)廠商已達(dá)到良率成熟的階段，因此供給量成長的速度加快，需求端也因第一季智能型手機(jī)市場進(jìn)入庫存調(diào)節(jié)以及iPhoneX銷售不如預(yù)期而影響到需求端，加上筆記本電腦市場疲軟依舊影響到SSD固態(tài)硬盤的市場，讓NAND Flash價(jià)格下滑的速度加快，四月份NAND Flash價(jià)格三月份再度下跌9-10%，上半年價(jià)格持續(xù)下跌已成共識，下半年NAND Flash市場供需備受考驗(yàn)，關(guān)鍵觀察指標(biāo)在于下半年新款iPhone的銷售，然而我們認(rèn)為在供給量成長幅度高于需求上漲的程度，下半年NAND Flash跌價(jià)的壓力只會增加。

表1:四月份DRAM/NAND Flash存儲器價(jià)格