三星和鎧俠持續(xù)加大對NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新

AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動著存儲器產(chǎn)業(yè)的飛躍，其中，海量數(shù)據(jù)的激增對存儲容量與性能提出了更高要求，使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益凸顯。在此背景下，全球存儲巨頭如三星和鎧俠，在深耕DRAM市場的同時，也持續(xù)加大對NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新。

三星V-NAND技術(shù)再創(chuàng)新高

今年4月，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品正式進入量產(chǎn)階段，并預告下半年將推出四層單元（QLC）版本的第九代V-NAND。相較于前代產(chǎn)品，新一代V-NAND實現(xiàn)了約50%的位密度提升，并成功降低了10%的功耗。尤為引人注目的是，三星在第九代V-NAND的“金屬布線”環(huán)節(jié)首次采用了鉬（Mo）材料，這一創(chuàng)新旨在突破現(xiàn)有材料的物理極限，進一步縮減層高、降低響應時間，從而顯著提升性能。為實現(xiàn)這一技術(shù)突破，三星已引進多臺Mo沉積機，并與多家供應商緊密合作，共同推進鉬材料在NAND生產(chǎn)中的應用。

鎧俠引領(lǐng)QLC閃存新紀元

與此同時，鎧俠也宣布了其在NAND閃存領(lǐng)域的重大進展。該公司已開始提供基于第八代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)的2Tb BiCS8 FLASH QLC閃存樣品，該樣品以其超大容量在業(yè)內(nèi)獨樹一幟，預示著QLC閃存將在AI、大數(shù)據(jù)等多個領(lǐng)域迎來廣泛應用。鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，不僅提高了存儲芯片的垂直與橫向擴展能力，還采用了CBA技術(shù)，實現(xiàn)了更高的設(shè)備密度和更快的接口速度。其新推出的QLC閃存產(chǎn)品不僅位密度大幅提升，寫入能效比也顯著優(yōu)化，且具備更小的封裝尺寸，為數(shù)據(jù)中心等應用場景提供了更高效的存儲解決方案。

QLC SSD在AI領(lǐng)域的潛力無限

隨著AI技術(shù)的普及和數(shù)據(jù)中心存儲需求的激增，QLC NAND尤其是QLC SSD正逐漸成為AI、大數(shù)據(jù)領(lǐng)域的寵兒。相較于傳統(tǒng)MLC和TLC設(shè)備，QLC NAND能夠存儲更多數(shù)據(jù)，顯著提升存儲性能。而QLC SSD在AI應用中的優(yōu)勢則主要體現(xiàn)在其高速讀取能力和低TCO成本上。對于以讀取為主的AI推理服務器而言，QLC SSD不僅能夠提供更快的讀取速度，還能通過大容量設(shè)計減少所需空間，降低總體擁有成本。因此，QLC SSD正成為AI客戶尋求的理想存儲解決方案之一。

據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce預測，受AI需求推動，2024年全球QLC Enterprise SSD出貨位元有望大幅增長至30EB，是2023年的四倍之多。這一預測進一步證明了QLC SSD在AI領(lǐng)域的廣闊前景和巨大潛力。