在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士?jī)纱缶揞^依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲，這一上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能，進(jìn)而推動(dòng)了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
然而，整個(gè)通用存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)仍面臨著不確定性。此外，隨著HBM（高帶寬內(nèi)存）需求的持續(xù)旺盛，三星電子和SK海力士正積極擴(kuò)產(chǎn)HBM，這勢(shì)必會(huì)抑制通用DRAM的晶圓投片量。在此背景下，兩大公司對(duì)于提高標(biāo)準(zhǔn)DRAM和NAND芯片產(chǎn)量的決策更顯審慎。未來市場(chǎng)走勢(shì)如何，還需進(jìn)一步觀察。
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