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NAND

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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。

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NAND簡(jiǎn)介

  NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

  與NOR閃存比較

  NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)在于寫(xiě)(編程)和擦除操作的速率快,而NOR的優(yōu)點(diǎn)是具有隨機(jī)存取和對(duì)字節(jié)執(zhí)行寫(xiě)(編程)操作的能力(見(jiàn)下圖圖2)。NOR的隨機(jī)存取能力支持直接代碼執(zhí)行(XiP),而這是嵌入式應(yīng)用經(jīng)常需要的一個(gè)功能。NAND的缺點(diǎn)是隨機(jī)存取的速率慢,NOR的缺點(diǎn)是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲(chǔ)文件。如今,越來(lái)越多的處理器具備直接NAND接口,并能直接從NAND(沒(méi)有NOR)導(dǎo)入數(shù)據(jù)。

NAND百科

  NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

  與NOR閃存比較

  NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)在于寫(xiě)(編程)和擦除操作的速率快,而NOR的優(yōu)點(diǎn)是具有隨機(jī)存取和對(duì)字節(jié)執(zhí)行寫(xiě)(編程)操作的能力(見(jiàn)下圖圖2)。NOR的隨機(jī)存取能力支持直接代碼執(zhí)行(XiP),而這是嵌入式應(yīng)用經(jīng)常需要的一個(gè)功能。NAND的缺點(diǎn)是隨機(jī)存取的速率慢,NOR的缺點(diǎn)是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲(chǔ)文件。如今,越來(lái)越多的處理器具備直接NAND接口,并能直接從NAND(沒(méi)有NOR)導(dǎo)入數(shù)據(jù)。

  編程速度快、擦除時(shí)間短

  NAND的真正好處是編程速度快、擦除時(shí)間短。NAND支持速率超過(guò)5Mbps的持續(xù)寫(xiě)操作,其區(qū)塊擦除時(shí)間短至2ms,而NOR是750ms。顯然,NAND在某些方面具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。然而,它不太適合于直接隨機(jī)存取。

  對(duì)于16位的器件,NOR閃存大約需要41個(gè)I/O引腳;相對(duì)而言,NAND器件僅需24個(gè)引腳。NAND器件能夠復(fù)用指令、地址和數(shù)據(jù)總線,從而節(jié)省了引腳數(shù)量。復(fù)用接口的一項(xiàng)好處,就在于能夠利用同樣的硬件設(shè)計(jì)和電路板,支持較大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封裝已經(jīng)沿用多年,該功能讓客戶能夠把較高密度的NAND器件移植到相同的電路板上。NAND器件的另外一個(gè)好處顯然是其封裝選項(xiàng):NAND提供一種厚膜的2Gb裸片或能夠支持最多四顆堆疊裸片,容許在相同的TSOP-1封裝中堆疊一個(gè)8Gb的器件。這就使得一種封裝和接口能夠在將來(lái)支持較高的密度。

  NOR閃存的隨機(jī)存取時(shí)間為0.12ms,而NAND閃存的第一字節(jié)隨機(jī)存取速度要慢得多

  以2Gb NAND器件為例,它由2048個(gè)區(qū)塊組成,每個(gè)區(qū)塊有64個(gè)頁(yè)

  2GB NAND閃存包含2,048個(gè)區(qū)塊

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