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標(biāo)簽 > NAND
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)在于寫(xiě)(編程)和擦除操作的速率快,而NOR的優(yōu)點(diǎn)是具有隨機(jī)存取和對(duì)字節(jié)執(zhí)行寫(xiě)(編程)操作的能力(見(jiàn)下圖圖2)。NOR的隨機(jī)存取能力支持直接代碼執(zhí)行(XiP),而這是嵌入式應(yīng)用經(jīng)常需要的一個(gè)功能。NAND的缺點(diǎn)是隨機(jī)存取的速率慢,NOR的缺點(diǎn)是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲(chǔ)文件。如今,越來(lái)越多的處理器具備直接NAND接口,并能直接從NAND(沒(méi)有NOR)導(dǎo)入數(shù)據(jù)。
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)在于寫(xiě)(編程)和擦除操作的速率快,而NOR的優(yōu)點(diǎn)是具有隨機(jī)存取和對(duì)字節(jié)執(zhí)行寫(xiě)(編程)操作的能力(見(jiàn)下圖圖2)。NOR的隨機(jī)存取能力支持直接代碼執(zhí)行(XiP),而這是嵌入式應(yīng)用經(jīng)常需要的一個(gè)功能。NAND的缺點(diǎn)是隨機(jī)存取的速率慢,NOR的缺點(diǎn)是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲(chǔ)文件。如今,越來(lái)越多的處理器具備直接NAND接口,并能直接從NAND(沒(méi)有NOR)導(dǎo)入數(shù)據(jù)。
編程速度快、擦除時(shí)間短
NAND的真正好處是編程速度快、擦除時(shí)間短。NAND支持速率超過(guò)5Mbps的持續(xù)寫(xiě)操作,其區(qū)塊擦除時(shí)間短至2ms,而NOR是750ms。顯然,NAND在某些方面具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。然而,它不太適合于直接隨機(jī)存取。
對(duì)于16位的器件,NOR閃存大約需要41個(gè)I/O引腳;相對(duì)而言,NAND器件僅需24個(gè)引腳。NAND器件能夠復(fù)用指令、地址和數(shù)據(jù)總線,從而節(jié)省了引腳數(shù)量。復(fù)用接口的一項(xiàng)好處,就在于能夠利用同樣的硬件設(shè)計(jì)和電路板,支持較大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封裝已經(jīng)沿用多年,該功能讓客戶能夠把較高密度的NAND器件移植到相同的電路板上。NAND器件的另外一個(gè)好處顯然是其封裝選項(xiàng):NAND提供一種厚膜的2Gb裸片或能夠支持最多四顆堆疊裸片,容許在相同的TSOP-1封裝中堆疊一個(gè)8Gb的器件。這就使得一種封裝和接口能夠在將來(lái)支持較高的密度。
NOR閃存的隨機(jī)存取時(shí)間為0.12ms,而NAND閃存的第一字節(jié)隨機(jī)存取速度要慢得多
以2Gb NAND器件為例,它由2048個(gè)區(qū)塊組成,每個(gè)區(qū)塊有64個(gè)頁(yè)
2GB NAND閃存包含2,048個(gè)區(qū)塊
前言: 隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)芯片的需求日益增加,國(guó)產(chǎn)中高端芯片在不斷的占領(lǐng)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)甚至在國(guó)際市場(chǎng)都有一部分,越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始研究自己的芯片,這個(gè)芯片的種類(lèi)繁...
一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲(chǔ)器的區(qū)別
存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今,已有很多不同種類(lèi)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見(jiàn)的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用: 1 NANDNAND Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種...
eMMC的全稱(chēng)為“embedded Multi Media Card”,即嵌入式的多媒體存儲(chǔ)卡。eMMC采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的接口,把高容量NAND Flash...
傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問(wèn)題,3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,通過(guò)在垂直方向上堆疊存儲(chǔ)單元,大幅提升了存儲(chǔ)密度。本文將簡(jiǎn)...
瀚海微SD NAND之SD 協(xié)議(34)1.8V信號(hào)的時(shí)序
固定數(shù)據(jù)窗口插卡輸出時(shí)序如下圖所示,SDR12、SDR25、SDR50的輸出時(shí)序。
瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述(27)C_SIZE
該參數(shù)用于計(jì)算用戶的數(shù)據(jù)卡容量(不包括安全保護(hù)區(qū)域),數(shù)據(jù)卡的內(nèi)存容量從C_SIZE、C_SIZE MULT和READ_BL_LEN表項(xiàng)計(jì)算。
心率監(jiān)測(cè)儀使用的存儲(chǔ)產(chǎn)品
心率監(jiān)測(cè)儀可能會(huì)使用多種存儲(chǔ)產(chǎn)品來(lái)記錄和保存心率數(shù)據(jù),具體取決于設(shè)備的設(shè)計(jì)、應(yīng)用場(chǎng)景和技術(shù)要求。
瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述(24)擦除超時(shí)計(jì)算
擦除單元速度類(lèi)規(guī)范定義了一個(gè)新的管理單元AU(分配單元)。擦除超時(shí)計(jì)算被定義為AU的基礎(chǔ)。SD存儲(chǔ)卡支持塊擦除,但擦除塊需要更多的時(shí)間,這是AU(部分擦...
SD NAND SPI模式:如何實(shí)現(xiàn)低功耗運(yùn)行
最近,收到客戶反饋,使用我們SD NAND過(guò)程中,使用SPI模式,對(duì)SD完成操作后,SD沒(méi)有進(jìn)入低功耗模式,未對(duì)SD進(jìn)行任何操作的情況下測(cè)得的功耗仍在2...
一、電路設(shè)計(jì)1、參考電路:R1~R5(10K-100kΩ)是上拉電阻,當(dāng)SDNAND處于高阻抗模式時(shí),保護(hù)CMD和DAT線免受總線浮動(dòng)。即使主機(jī)使用SD...
2024-08-30 標(biāo)簽:上拉電阻NAND電路設(shè)計(jì) 304 0
CMOS四路2輸入NAND施密特觸發(fā)器CD4093B數(shù)據(jù)表立即下載
類(lèi)別:電子資料 2024-05-16 標(biāo)簽:NAND施密特觸發(fā)器
開(kāi)放式NAND閃存接口規(guī)范onfi5.0協(xié)議立即下載
類(lèi)別:規(guī)則標(biāo)準(zhǔn) 2024-05-15 標(biāo)簽:NAND閃存接口
美光調(diào)整NAND晶圓生產(chǎn)策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求放緩
近日,根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)電話會(huì)議文稿,公司高管在會(huì)上確認(rèn)了針對(duì)當(dāng)前閃存市場(chǎng)需求放緩的應(yīng)對(duì)措施。 美光執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ar...
芯片行業(yè)正在努力在未來(lái)幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍,從 200 層增加到 800 層或更多,利用額外的容量將有助于滿足對(duì)各種類(lèi)型內(nèi)存...
前言 作為一名電子專(zhuān)業(yè)的學(xué)生,半導(dǎo)體存儲(chǔ)顯然是繞不過(guò)去的一個(gè)坎,今天聊一聊關(guān)于Nand Flash的一些小知識(shí)。 這里十分感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主...
鎧俠計(jì)劃12月減產(chǎn),或助NAND Flash價(jià)格反轉(zhuǎn)
存儲(chǔ)大廠鎧俠近日宣布,計(jì)劃在2024年12月實(shí)施減產(chǎn)措施。此舉旨在應(yīng)對(duì)當(dāng)前NAND Flash市場(chǎng)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),并有望促使價(jià)格止跌回升。
近日,據(jù)相關(guān)報(bào)道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND閃存...
江波龍?jiān)诖鎯?chǔ)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得了顯著成果,自研SLC NAND Flash累計(jì)出貨量已突破1億顆。公司充分發(fā)揮芯片設(shè)計(jì)能力,專(zhuān)注于SLC NAND Fla...
MLC NAND產(chǎn)能或遭削減?三星否認(rèn)停產(chǎn)傳聞
近日,業(yè)界傳出消息,MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減,其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場(chǎng)傳言,三星計(jì)劃在2024年底現(xiàn)貨市場(chǎng)停止銷(xiāo)售...
隨著人工智能(AI)不斷改變行業(yè)并推動(dòng)創(chuàng)新,數(shù)據(jù)中心需要能夠跟上存儲(chǔ)解決方案的發(fā)展步伐。為滿足這一需求,我很高興地宣布推出新款存儲(chǔ)解決方案——美光955...
2024-11-18 標(biāo)簽:NANDSSD數(shù)據(jù)中心 215 0
據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示,2024年一季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)24.2%,達(dá)到了151.78億美元。這一顯著的增長(zhǎng)表明,全球NAND...
全球NAND閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Solidigm,近日宣布了一項(xiàng)重大突破——成功推出全球首款超大容量的PCIe固態(tài)硬盤(pán)(SSD),即122TB的So...
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