都有為:自旋芯片具有高達(dá)上萬億美元的巨大市場前景

10月16日，第十九屆中國（淄博）新材料技術(shù)論壇在淄博舉行。在論壇上，中國科學(xué)院院士，南京大學(xué)物理系教授、博士生導(dǎo)師都有為指出，自旋芯片屬于核心高端芯片，是科技關(guān)鍵核心技術(shù)，具有高達(dá)上萬億美元的巨大市場前景，有可能成為后摩爾時(shí)代的主流芯片。

據(jù)了解，自旋芯片是各類MRAM（磁隨機(jī)存儲器）的統(tǒng)稱，共經(jīng)歷了MRAM、STT-MRAM、MeRAM等三個(gè)發(fā)展階段。

在此期間，不同的國家或者企業(yè)都在積極推動自旋芯片的發(fā)展。2008年，日本衛(wèi)星全面采用Freescale公司的MRAM產(chǎn)品，替代了SRAM和Flash存儲器。2009年，法國投入420萬歐元資助研制自旋電子可編程邏輯器件；韓國政府與Hynix和三星共同投資5000萬美元開發(fā)STT-MRAM。2010年，日本研發(fā)新的TMR結(jié)構(gòu)，原理上可以使STT-MRAM容量達(dá)到10Gbit。2013年，歐洲A350飛機(jī)采用自旋芯片控制系統(tǒng)。2016年，IBM聯(lián)手三星宣布批量生產(chǎn)STT-MRAM芯片，其讀寫速度比NAND Flash快千倍，有望取代DRAM。

從2017年開始，中國企業(yè)也在積極布局自旋芯片 。2017年，臺積電在南京建廠擬生產(chǎn)自旋芯片。2018年，杭州馳拓、上海磁宇、中芯國際、華為等籌建自旋芯片的研發(fā)、生產(chǎn)線。

都有為認(rèn)為，自旋芯片兼具SRAM的高速度、DRAM的高密度和Flash的非易失性等優(yōu)點(diǎn)，是科技關(guān)鍵核心技術(shù)，可軍民兩用，具有高達(dá)上萬億美元的巨大市場前景，有可能成為后摩爾時(shí)代的主流芯片。這對提升國家高科技水平和增強(qiáng)國防安全意義重大，國外不會將高端科技在中國生根發(fā)芽，國家應(yīng)予以高度重視與支持。

都有為強(qiáng)調(diào)，如果我國當(dāng)前不重視自旋芯片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，未來必將受制于國外，重走半導(dǎo)體芯片落后的覆轍。
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