碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿場強、高電子飽和漂移速率和高熱導率等優(yōu)異性能,使其在功率器件領域具有廣泛的應用前景。本文將對碳化硅功率器件的技術、應用和市場前景進行深入探討。
一、碳化硅功率器件的技術
制造工藝:碳化硅功率器件的制造工藝主要包括外延生長、薄膜制備、摻雜、刻蝕和金屬化等環(huán)節(jié)。其中,外延生長是關鍵技術之一,直接影響器件的性能和可靠性。目前,常用的外延生長技術包括化學氣相沉積和物理氣相沉積等。
結(jié)構(gòu)與特性:碳化硅功率器件的主要結(jié)構(gòu)包括MOSFET、IGBT和Schottky等。這些器件具有低導通電阻、高開關速度和高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點,適用于高頻率、高電壓和高功率的應用場景。此外,碳化硅功率器件還具有優(yōu)良的耐壓和耐電流能力,能夠承受更高的工作溫度和更快的開關速度。
可靠性:碳化硅功率器件的可靠性是其廣泛應用的重要因素之一。在高溫、高濕和機械應力等惡劣環(huán)境下,碳化硅功率器件能夠保持穩(wěn)定的性能和較長的使用壽命。此外,碳化硅功率器件還具有良好的抗輻射性能,適用于航天、核能和醫(yī)療等領域。
二、碳化硅功率器件的應用
碳化硅功率器件在許多領域都有廣泛的應用,以下是一些典型的應用場景:
電動汽車與充電樁:隨著電動汽車市場的不斷擴大,碳化硅功率器件在電動汽車電機控制和充電樁等領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件的高效率、高耐壓和高開關速度等特點,使得電動汽車的續(xù)航里程更長、充電時間更短,提高了電動汽車的性能和用戶體驗。
智能電網(wǎng)與可再生能源:碳化硅功率器件在智能電網(wǎng)和可再生能源領域的應用包括無功補償、有功濾波、電能質(zhì)量改善和太陽能逆變器等。這些應用可以提高電網(wǎng)的穩(wěn)定性和可靠性,降低能源損耗,促進可再生能源的發(fā)展。
工業(yè)自動化與電機控制:碳化硅功率器件在工業(yè)自動化和電機控制領域的應用包括變頻器、伺服控制器和電機驅(qū)動器等。這些應用可以提高設備的效率和可靠性,降低能耗和維護成本,促進工業(yè)自動化的發(fā)展。
軌道交通與航空航天:碳化硅功率器件在軌道交通和航空航天領域的應用包括牽引傳動、輔助電源和航天電子等。這些應用可以提高設備的可靠性和效率,降低維護成本,促進軌道交通和航空航天事業(yè)的發(fā)展。
三、碳化硅功率器件的市場前景
隨著技術的不斷進步和應用需求的不斷提高,碳化硅功率器件的市場前景十分廣闊。據(jù)市場研究報告,未來幾年碳化硅功率器件的市場將以驚人的速度增長,預計到2025年將達到數(shù)十億美元的規(guī)模。這一增長主要得益于電動汽車、可再生能源和智能電網(wǎng)等領域的快速發(fā)展,以及碳化硅功率器件在提高能效、降低成本和減少碳排放等方面的優(yōu)勢。
總結(jié)而言,碳化硅功率器件作為一種高性能的半導體材料,具有廣泛的應用前景和市場潛力。隨著技術的不斷進步和應用需求的不斷增長,碳化硅功率器件將繼續(xù)發(fā)揮重要作用,為人類社會的可持續(xù)發(fā)展做出貢獻。
無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產(chǎn)品芯片設計、生產(chǎn)與銷售并提供相關產(chǎn)品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發(fā)區(qū)內(nèi),并在杭州、深圳和香港設有研發(fā)中心和銷售服務支持中心及辦事處。
公司具有國內(nèi)領先的研發(fā)實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品,同時提供一站式的應用解決方案和現(xiàn)場技術支持服務,使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。
公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品完全可以對標國際品牌同行的先進品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現(xiàn)設計用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運行。
特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業(yè)內(nèi)領先的研發(fā)團隊。在國內(nèi)創(chuàng)先設計開發(fā)了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產(chǎn)應用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產(chǎn)品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構(gòu)的新產(chǎn)品認定。
公司核心研發(fā)團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產(chǎn)權管理的規(guī)范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內(nèi)自主發(fā)明專利。
“國之重器,從晶出發(fā),自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業(yè)目標,我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產(chǎn)品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:碳化硅(SiC)功率器件:技術、應用與市場前景
文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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