美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動(dòng)DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來改善
2019-08-20 10:22:36
7258 數(shù)據(jù)速率的DDR4。 這是三星自2017年底批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來，僅僅16個(gè)月就開
2019-10-22 10:41:214639 8月21日，臺(tái)積電在其官方博客上宣布，自2018年開始量產(chǎn)的7nm工藝，其所生產(chǎn)的芯片已經(jīng)超過10億顆。此外，臺(tái)積電官網(wǎng)還披露了一個(gè)消息，其6nm工藝制程于8月20日開始量產(chǎn)。 先看7nm
2020-08-23 08:23:005212 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機(jī)種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計(jì)劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預(yù)期今年第三季進(jìn)入16nm
2015-05-28 10:23:16990 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56673 三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41490 今日，三星電子正式宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC，這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:01873 臺(tái)積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺(tái)積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對(duì)手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:51676 
據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:481662 10月份，三星宣布10nm進(jìn)入量產(chǎn)后，市場上的14nm/16nm產(chǎn)品似乎瞬間黯然無光。三星計(jì)劃明年初發(fā)布首款10nm產(chǎn)品，預(yù)計(jì)是采用10nm LPE的Exynos 8895。顯然，老對(duì)手臺(tái)積電和它的客戶不愿被動(dòng)挨打，最新消息顯示，聯(lián)發(fā)科首顆10nm芯片Helio X30定于年底量產(chǎn)亮相。
2016-11-03 11:22:38935 ，這是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。 根據(jù)產(chǎn)品介紹，目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，工作電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:118110 今年2月底，長鑫存儲(chǔ)官方宣布，符合國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國產(chǎn)，并采用國產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造
2020-05-22 11:47:378324 集成更多的晶體管，制程工藝也就越先進(jìn)。而要讓制程變得更先進(jìn)，代價(jià)非常大，畢竟到納米級(jí)別的晶體管，每精細(xì)一點(diǎn)點(diǎn)，需要的投入呈幾何倍增長。當(dāng)達(dá)到10nm級(jí)別的制程時(shí)，越往下研究，難度越大，門檻越高，投入也
2019-12-10 14:38:41
地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM（臺(tái)式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代
2011-02-27 16:47:17
三星電子近日在國際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
本帖最后由 Mrblue 于 2015-11-30 14:55 編輯
近日，Intel在超級(jí)計(jì)算機(jī)大會(huì)上正式展示出其第二代高性能計(jì)算產(chǎn)品Knights Landing Xeon Phi，強(qiáng)大
2015-11-30 14:54:14
`Raspberry Pi基金會(huì)今天發(fā)布第二代樹莓派—— Raspberry Pi ，樹莓派2外形看起來跟樹莓派B+一樣一樣的，配置主要就是升級(jí)了CPU (900M4核ARM v7)和內(nèi)存(1
2015-02-02 21:56:26
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點(diǎn)？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
臺(tái)積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用，人們對(duì)于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
專業(yè)收購三星ddr帝歐電子高價(jià)回收三星ddr，長期求購三星ddr，帶板的也收，大量收購！！！帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購三星（K9
2021-10-26 19:13:52
第二代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)與第一代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)在體制上的差別主要是：第二代用戶機(jī)可免發(fā)上行信號(hào)，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息，而是直接接收衛(wèi)星單程測距信號(hào)自己定位，系統(tǒng)的用戶容量不受限制，并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
2133MT/s，運(yùn)作電壓在1.2V，這也是史上第一條DDR4內(nèi)存。在此之前，三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成為DDR4發(fā)展的關(guān)鍵。三個(gè)月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
使用DDR4的內(nèi)存條，DDR3也有屬于自己的應(yīng)用市場。宏旺半導(dǎo)體ICMAX DDR因性能優(yōu)越性價(jià)比高，擁有極高競爭力，與眾多知名廠商合作。1， 規(guī)格不同DDR3內(nèi)存的起始頻率僅有800MHz，最高頻
2019-07-25 14:08:13
我們使用i.MX8MPlus運(yùn)行Windows 10 IoT系統(tǒng)，遇到了三星eMMC的兼容性問題。如何解決？詳情如下：1.使用三星/KLMAG1JETD-B041/16GB eMMC5.1無法運(yùn)行
2023-03-17 09:03:23
包括1gb eMRAM測試芯片，并計(jì)劃使用其18FDS工藝制造eMRAM，以及更先進(jìn)的基于FinFET的節(jié)點(diǎn)。 三星宣布將改進(jìn)其MRAM的MTJ功能，使其適合更多的應(yīng)用。而在第五屆年度三星代工論壇上
2023-03-21 15:03:00
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能，是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。
2020-12-28 06:16:06
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
) TH58TEG7DDKTA20(16GB)...閃迪：SDTNRGAMA-008G(8GB) SDTNQGAMA-008G(8GB)...? 專業(yè)回收EMMC三星：KLM4G1FE3B-B001(4GB
2020-12-16 17:31:39
) TH58TEG7DDKTA20(16GB)...閃迪：SDTNRGAMA-008G(8GB) SDTNQGAMA-008G(8GB)...? 專業(yè)回收EMMC三星：KLM4G1FE3B-B001(4GB
2021-01-11 18:16:12
是南湖，第三代架構(gòu)是昆明湖。香山開源社區(qū)稱，第一代“雁棲湖”架構(gòu)已經(jīng)成功流片，實(shí)測達(dá)到預(yù)期性能，第二代“南湖”架構(gòu)正在持續(xù)迭代優(yōu)化中。去年 8 月 24 日，中科院計(jì)算所、北京開源芯片研究院、騰訊、阿里
2023-06-05 11:51:36
據(jù)開芯院首席科學(xué)家包云崗介紹，第二代“香山”于2022年6月啟動(dòng)工程優(yōu)化，同年9月研制完畢，計(jì)劃2023年6月流片，性能超過2018年ARM發(fā)布的Cortex-A76，主頻2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
求分享USB3.1第二代應(yīng)用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
回收！大量收購FLASH ！帝歐電子，專業(yè)收購內(nèi)存，收購三星（K9系列，K9K系列，K4H系列，K4T系列，K4X系列，K4S系列，K5系列），現(xiàn)代（HNNIX）：（HY5系列，H5系列，H27系列
2021-08-20 16:33:07
年首款DDR4從韓國三星誕生，隨后海力士迅速跟進(jìn)研制生產(chǎn)；2012年5月8日，美光官方正式宣布該公司首款DDR4內(nèi)存開發(fā)生產(chǎn)出成品，并已經(jīng)開始提供樣品給主要客戶進(jìn)行測試，預(yù)計(jì)2013年開始量產(chǎn)
2012-12-30 18:45:31
RK3576處理器
RK3576瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平臺(tái)，它集成了獨(dú)立的6TOPS（Tera Operations Per Second，每秒萬億次操作）NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元），用于
2024-03-12 13:45:25
特別給力但足夠用了。節(jié)選自：次世代安卓旗艦 谷歌Nexus 7二代評(píng)測 作者：付濤整體性能 第2段相關(guān)產(chǎn)品：Google Nexus 7（第二代/32GB） 回歸常規(guī)評(píng)測的套路，我們使用安兔兔系統(tǒng)評(píng)測
2013-08-12 17:22:08
季度開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年?duì)I收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺(tái)積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
的先進(jìn)工藝，可有效提高能耗表現(xiàn)。RK3568的DDR顆粒兼容性十分優(yōu)秀。支持LP4/LP4x/LP3/DDR4/DDR3，最高頻率1600Mhz，最大容量支持8GB DDR3及DDR4支持2片選模式
2022-03-02 17:13:45
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號(hào)稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍，不過該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存，頻率2666Mbps?！ ≈档米⒁獾氖?，雖然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42780 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會(huì)由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241017 本月，三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國殺”剩下兩個(gè)玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031033 日前在深圳召開的2016三星移動(dòng)解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，承諾帶來更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391122 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27680 據(jù)報(bào)道，三星超車臺(tái)積電，高通8日宣布全球首顆10nm服務(wù)器芯片已送客戶，搶攻長期由英特爾獨(dú)霸市場；高通10nm手機(jī)芯片也委由三星代工，但7nm訂單重返臺(tái)積電，臺(tái)積電仍是大贏家。
2016-12-09 10:38:52337 現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會(huì)采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432404 三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動(dòng)SoC。
2017-03-15 08:30:35517 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12586 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411547 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11537 前進(jìn)的步伐還是不會(huì)被徹底推翻的。科技的創(chuàng)新也不會(huì)因此而止步。日前，三星官方正式宣布他們將會(huì)開產(chǎn)第二代10nm工藝制程的芯片，三星電子在4月20日正式宣布，他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗(yàn)證工作，同時(shí)即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22606 據(jù)韓媒報(bào)道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02764 臺(tái)積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會(huì)影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461327 Intel日前正式宣布了9代酷睿Cannon Lake，并透露第二代10nm IceLake也已經(jīng)正式流片。
2017-06-13 11:29:37841 Intel近日在官方推特自曝了10nm的進(jìn)展，首次透露，第二代10nm（代號(hào)Icelake）已經(jīng)流片。
2017-06-14 15:03:27982 Digitimes發(fā)布消息稱，英特爾可以按計(jì)劃在今年底首發(fā)10nm處理器，但僅限低功耗移動(dòng)平臺(tái)，預(yù)計(jì)是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周，英特爾剛宣布，第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工，同時(shí)第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計(jì)。
2017-06-15 11:43:441317 昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知，三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后，就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001303 第二代10nm工藝即LPP（Low Power Plus），比LPE（Low Power Early）的性能提升了10%，功耗降低了15%，首款商用產(chǎn)品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30728 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級(jí)芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331114 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:011534 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331472 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38835 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063 三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經(jīng)全球第一個(gè)開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條，主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
2018-06-13 15:09:003690 根據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:23902 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:25723 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281050 如之前預(yù)告的那樣，在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時(shí)候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:003468 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過個(gè)人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個(gè)人電腦市場，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來源。
2018-08-28 16:09:212734 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:403490 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251 ，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:541444 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:163659 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01215 2019年就要正式量產(chǎn)了，6月份就會(huì)發(fā)布10nm Ice Lake處理器，今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake，將會(huì)使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核。
2019-05-09 15:19:031801 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:003359 10nm Ice Lake還沒有全面鋪開，Intel第二代10nm Tiger Lake已經(jīng)頻頻亮相，不過首發(fā)還是面向輕薄本等設(shè)備的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:591987 9 月份合肥長鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對(duì)于國產(chǎn)內(nèi)存，市場預(yù)期不會(huì)對(duì)三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來太大影響，但是會(huì)擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對(duì)此南亞科予以否認(rèn)，表示短時(shí)間內(nèi)沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:313316 三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個(gè)16GB 的 LPDDR5移動(dòng) DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級(jí)工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019
2020-02-25 13:48:201813 長鑫存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市?，F(xiàn)在，一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:137803 2019年國內(nèi)公司在內(nèi)存、閃存行業(yè)同時(shí)取得了重大突破，長江存儲(chǔ)量產(chǎn)了64層3D閃存，合肥長鑫則量產(chǎn)了18nm DDR4內(nèi)存。日前長鑫官網(wǎng)也宣布開售8GB DDR4內(nèi)存條。
2020-03-02 09:21:431330 隨著Ice Lake處理器的成功，Intel的10nm工藝總算可以長舒一口氣，產(chǎn)能已經(jīng)沒什么問題了。今年的重點(diǎn)是Tiger Lake處理器，這是第二代10nm工藝，CPU及GPU架構(gòu)也會(huì)全面升級(jí)。
2020-03-04 15:35:202987 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670 江波龍電子旗下嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE再添新成員，正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品，宣布正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域。 江波龍正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域，F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:224860 國產(chǎn)化內(nèi)存的品質(zhì)之路 FORESEE國產(chǎn)化內(nèi)存的核心DRAM率先采用長鑫存儲(chǔ)的10nm級(jí)最新版本8Gb顆粒，該顆粒已
2020-05-22 15:24:522345 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請(qǐng)注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:292234 年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 從英文媒體最新的報(bào)道來看，同2018年量產(chǎn)的7nm和今年量產(chǎn)的5nm工藝一樣，臺(tái)積電正在研發(fā)的3nm工藝，也將會(huì)有第二代。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息，報(bào)道臺(tái)積電會(huì)推出第二代3nm工藝的，這一消息人士表示臺(tái)積電計(jì)劃在2
2020-12-02 17:14:461572 在量產(chǎn)國內(nèi)首個(gè)8Gb DDR4芯片之后，合肥長鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:144084 今日，七彩虹宣布 iGame 內(nèi)存全面升級(jí)，正式發(fā)布了 iGame VULCAN DDR4 內(nèi)存。 iGame VULCAN DDR4 延續(xù)了 VULCAN 顯卡紋理設(shè)計(jì)。值得一提的是，經(jīng)過網(wǎng)友命名
2020-12-25 10:31:312466 據(jù)媒體報(bào)道稱，谷歌第二代Tensor芯片將于這個(gè)月開始量產(chǎn)，代工方為三星，將會(huì)采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機(jī)自研的芯片，第一代在去年8月發(fā)布，而第二代
2022-06-02 14:52:451273 ，比5nm芯片功耗低45%，性能高23%，同時(shí)三星也開始了第二代3nm芯片的計(jì)劃。 不止是第二代3nm芯片，三星也已經(jīng)確定了將在2025年量產(chǎn)2nm芯片，同臺(tái)積電之前宣布的時(shí)間一樣。三星的2nm芯片將繼續(xù)沿用GAA晶體管技術(shù)，并且將進(jìn)一步優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)，性能和功耗等方面會(huì)得
2022-07-08 14:42:101153 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:189011
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