三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片

CFan曾在《“芯”希望來自新工藝！EUV和GAAFET技術(shù)是個什么鬼？》一文中解讀過EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù)，特別是在5nm→3nm這個關(guān)鍵制程節(jié)點上，沒有EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。

有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。

據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應(yīng)的其實是2GB。

基于1z nm EUV工藝打造的16Gb LPDDR5內(nèi)存芯片已經(jīng)達(dá)成了業(yè)內(nèi)當(dāng)前的最高容量和最佳性能，其帶寬速度為6400Mbps（也可以理解為6400MHz），比現(xiàn)在最快的12Gb（1.5GB）LPDDR5-5500快了16%。

除了速度更快，1z nm EUV工藝還讓內(nèi)存芯片的厚度較上代（1y nm）薄了大約30%。

可能很多小伙伴還不太了解手機(jī)內(nèi)存芯片變薄的意義。手機(jī)內(nèi)存和PC內(nèi)存條不一樣，目前PC領(lǐng)域的內(nèi)存顆粒多以10nm工藝的8Gb為主，即單顆1GB的容量。無論是臺式機(jī)內(nèi)存還是筆記本內(nèi)存，想達(dá)成單條16GB的目標(biāo)，需要在PCB主板正反共集成16顆8Gb顆粒。

臺式機(jī)內(nèi)存

筆記本內(nèi)存

手機(jī)和PC的最大差異是，前者的整套主板都沒有筆記本內(nèi)存條的PCB主板大，能留給內(nèi)存的空間只夠焊上一顆內(nèi)存顆粒。

因此，手機(jī)內(nèi)存只能采用更加節(jié)省空間的PoP（Package on Package）封裝技術(shù)，翻譯過來就是元件堆疊裝配技術(shù)，我們可以將它理解為疊羅漢，即將多顆內(nèi)存芯片摞在一起，和現(xiàn)在SSD領(lǐng)域的3D堆疊技術(shù)很像。比如，手機(jī)圈現(xiàn)有的12GB內(nèi)存，其實就是由8片12Gb的內(nèi)存芯片“打包”封裝的。在1z nm EUV工藝出現(xiàn)前，16GB手機(jī)內(nèi)存則是由12GB（8×12Gb）+4GB（4×8Gb）內(nèi)存模塊組成的。

因此，1z nm EUV提升了單顆內(nèi)存芯片的容量，還減少了厚度，可以由更少的內(nèi)存芯片組成16GB容量，還能進(jìn)一步減少內(nèi)存模塊對手機(jī)內(nèi)部空間的占用，優(yōu)勢多多。

對了，如果你拆開手機(jī)，一般是看不到SoC（處理器）芯片的，因為這顆芯片通常都藏在了內(nèi)存芯片的下方，它們也是PoP封裝摞在一起的。這種堆疊封裝可以縮短處理器和內(nèi)存之間的金屬引線，可有效降低線路噪音、訪問延遲、電力損耗，還能進(jìn)一步節(jié)省主板空間。

需要注意的是，雖然1z nm EUVLPDDR5內(nèi)存擁有6400MHz的頻率，但現(xiàn)有的SoC卻都還無法享用它，因為截至目前只有驍龍865支持LPDDR5，而且還僅支持到LPDDR5-5500。如果不出意外，明年上市的驍龍875應(yīng)該將支持LPDDR5-6400。

將于下月發(fā)布的麒麟9000應(yīng)該也支持LPDDR5，但是否能支持到6400MHz的頻率還不得而知。