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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>10nm工藝+6GB LPDDR4內(nèi)存!三星Galaxy Note 6實(shí)力爆表

10nm工藝+6GB LPDDR4內(nèi)存!三星Galaxy Note 6實(shí)力爆表

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2016-07-28 19:00:27680

三星Note7皇帝機(jī)9月3日鋪貨 高配置6GB不變

三星已經(jīng)證實(shí)將于8月26日在中國舉辦的GALAXY Note 7發(fā)布會(huì)上,首發(fā)推出6GB內(nèi)存的“皇帝版”,但是否會(huì)同步開賣則沒有確切的消息。而現(xiàn)在,不僅有網(wǎng)友已經(jīng)在微博上曝光了“皇帝版”GALAXY
2016-08-22 14:44:45802

驍龍830將采用三星10nm工藝獨(dú)家制造 S8將搭載

)將采用三星10nm工藝獨(dú)家制造,作為交換,拿下高通驍龍830(或835)全部訂單,三星要在Galaxy S8的大部分手機(jī)上采用驍龍830(或835)。
2016-10-18 14:06:101131

SK海力士宣布出貨8GB LPDDR4手機(jī)內(nèi)存三星晚兩個(gè)月

在 Samsung Electronics 之后,SK Hynix 也增加 8GB LPDDR4 產(chǎn)品。Samsung Electronics 是在 10 月 21 日公布智能手機(jī)用的 8GB
2016-12-22 09:40:381610

傳臺(tái)積電10nm工藝良率不夠,聯(lián)發(fā)科或受影響

臺(tái)積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝,不過臺(tái)媒指其10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題,這意味著其10nm工藝產(chǎn)能將相當(dāng)有限,在它優(yōu)先將該工藝產(chǎn)能供給蘋果的情況下,對(duì)另一大客戶聯(lián)發(fā)科顯然不是好消息。
2016-12-23 10:36:28555

驚呆了,逆天的配置三星Galaxy S8:8GB內(nèi)存+UFS 2.1閃存芯片

現(xiàn)在有消息稱,三星Galaxy S8有可能會(huì)采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片,而今年的10月份,他們就曾發(fā)布公告稱,基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432404

臺(tái)積電否認(rèn)10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題

12月29日消息,之前有海外媒體報(bào)道,臺(tái)積電的10nm工藝量產(chǎn)時(shí)間本來就較晚,比三星晚了兩個(gè)月,臺(tái)積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝過程中,出現(xiàn)10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題,對(duì)于聯(lián)發(fā)科來說可謂是雪上加霜的事情。
2016-12-29 10:46:04594

三星S8 8895處理器首發(fā)曝光:20核GPU 10nm技術(shù)

不知道大家是不是還記得在今年10月份左右的時(shí)候,有韓國媒體稱,三星一位高管因?yàn)橄蛑袊拘孤?4/10nm工藝機(jī)密而被警方逮捕,報(bào)道還稱三星將在Galaxy S8上首次使用10nm Exynos
2016-12-29 11:52:361671

制程工藝差距大 英特爾10nm處理器將超越三星/臺(tái)積電

特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺(tái)積電和三星10nm工藝。
2017-01-09 11:46:04727

10nm工藝良品率不足 三星S8可能要搶購了

三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時(shí)代,兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片,不過現(xiàn)據(jù)臺(tái)媒《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境,預(yù)計(jì)Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況,而由于三星S8發(fā)布更早,遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21508

LPDDR4X內(nèi)存表現(xiàn)亮眼 竟比LPDDR4節(jié)能多達(dá)40%

2017年新一代旗艦手機(jī)內(nèi)存容量越來越大,4GB只是起步,6GB才算是標(biāo)準(zhǔn),而除了容量更大、頻率越高之外,手機(jī)內(nèi)存還有趨勢(shì),那就是LPDDR4X類型的內(nèi)存越來越多,與標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR4內(nèi)存相比它的多數(shù)指標(biāo)相同,但是電壓更低,有效降低了內(nèi)存能耗,降幅40%以上也不奇怪。
2017-05-09 16:21:3774924

三星S9最新信息,在Note8的基礎(chǔ)上升級(jí),3D面部識(shí)別+配備6GB內(nèi)存

另外,三星S9和S9+將首發(fā)驍龍845處理器,但主要面向美國和中國市場(chǎng),而其他市場(chǎng)中的這兩款產(chǎn)品將搭載Exynos 9 Octa 10nm全新處理器。據(jù)稱,三星S9系列將在Note8的基礎(chǔ)上進(jìn)行升級(jí),配備6GB內(nèi)存,支持?jǐn)U展卡,至于最終3D人臉識(shí)別會(huì)不會(huì)加入,我們拭目以待。
2017-10-23 09:24:008543

三星10nm 8Gb LPDDR5內(nèi)存面世,將在2019年投入量產(chǎn)

昨天上午,三星官方發(fā)言,宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit(GbLPDDR5 DRAM,并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知,三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后,就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001303

三星宣布量產(chǎn)第二代10nm級(jí)別1y-nm 8Gb DDR4顆粒,高頻內(nèi)存3600MHz起步

據(jù)報(bào)道,三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù),比初代10nm級(jí)別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:512785

揭秘Intel 10nm工藝,晶體管密度是三星10nm工藝的兩倍

作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”,英特爾一直走在所有廠商前面。因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">10nm制程已經(jīng)跳票三年之久,每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布,眾人翹首以待10nm的到來,可英特爾還是給用戶潑冷水,繼續(xù)跳票10nm工藝
2018-06-15 15:53:005069

三星宣布,將量產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒,速度將比LPDDR4存儲(chǔ)器快50%

LPDDR5 存儲(chǔ)器的測(cè)試。市場(chǎng)預(yù)估,在三星推出 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器之后,在 2019 年問世的三星 Galaxy S10 智能型手機(jī)要用 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器應(yīng)該也就是在計(jì)劃中了。
2018-07-18 17:56:003077

三星PM883 SSD固態(tài)硬盤:LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒,最先進(jìn)的10nm級(jí)工藝制造

三星電子今天發(fā)布了一款全新的SSD固態(tài)硬盤,型號(hào)“PM883”,最大特點(diǎn)是第一次用上了LPDDR4內(nèi)存作為緩存顆粒。PM883面向數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),采用標(biāo)準(zhǔn)的2.5寸SATA規(guī)格,主控方案未知(估計(jì)是三星自家的),閃存是三星64層3D V-NAND顆粒,容量4TB、8TB兩種可選。
2018-06-26 16:07:0010997

三星第二代10nm級(jí)別工藝LPDDR4X內(nèi)存開始量產(chǎn),可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電

根據(jù)報(bào)道,三星第二代10nm級(jí)別工藝LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn),相比第一代,雖然性能沒有提升,但是功耗再降10%,可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:23902

三星10nm級(jí)DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(jí)(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789

三星成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM,主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備

三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來,三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等,5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281050

三星10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM開始量產(chǎn),主要用于汽車

4月25日,三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能,同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143

三星表示Galaxy S10和S10+手機(jī)的內(nèi)存都是8GB起步

除了官網(wǎng)信息錯(cuò)誤之外,甚至出現(xiàn)手機(jī)本身顯示的內(nèi)存容量也是錯(cuò)的。據(jù)Android Police報(bào)道,一位名為 Curly_umbrella的網(wǎng)友在reddit論壇分享了一張照片,這張照片清楚地顯示,三星Galaxy S106GB內(nèi)存。
2019-02-24 09:29:321625

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251

三星電子將開發(fā)首款基于第三代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01215

三星Galaxy Note 10將會(huì)運(yùn)行安卓10.0系統(tǒng)擁有512GB和256GB版本

據(jù)外媒報(bào)道稱,三星歐洲等官網(wǎng)上都已經(jīng)出現(xiàn)了Note 10的細(xì)節(jié),不過雖然不多,但是還是能看出一些端倪,比如Note 10+將會(huì)運(yùn)行安卓10.0系統(tǒng),并且頂配是512GB版本,當(dāng)然也有256GB版本
2019-07-30 10:39:477818

三星Galaxy Note10發(fā)布會(huì)正式召開, 8GB+256GB版本售價(jià)6599元

+ 5G版也正式亮相。三星Galaxy Note10 8GB+256GB版本售價(jià)6599元,三星Galaxy Note10+ 5G 12GB+256GB版本售價(jià)7999元,這樣的售價(jià)讓大家感到十分驚喜
2019-08-22 11:39:393105

三星Galaxy Note10系列到9月初將打入130個(gè)市場(chǎng)進(jìn)行開賣

國行三星Galaxy Note10系列將于9月12日上市,只有兩款機(jī)型,分別是Galaxy Note10 8GB+256GBGalaxy Note10+ 5G 12GB+256GB,相對(duì)一些海外
2019-08-26 08:41:39473

三星Galaxy Note10 Lite跑分曝光,采用三星第二代10nm工藝8核心架構(gòu)

11月28日消息,近日,美國FCC對(duì)三星Galaxy Note10 Lite的S Pen進(jìn)行了認(rèn)證,這意味著Galaxy Note10 Lite即將推出?,F(xiàn)在,Note10 Lite的跑分也出現(xiàn)了GeekBench網(wǎng)站上。
2019-11-28 17:33:154131

三星16GB LPDDR5宣布量產(chǎn),可節(jié)省超過20%的功耗

三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個(gè)16GBLPDDR5移動(dòng) DRAM 封裝,基于三星第二代10nm級(jí)工藝技術(shù),可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量,用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019
2020-02-25 13:48:201813

英偉達(dá)安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道,爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝,據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670

三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片

EUV,依靠現(xiàn)有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合,用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉,三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造,請(qǐng)注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:292234

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思?

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思? LPDDR4LPDDR4X內(nèi)存是目前市面上最為先進(jìn)和流行的手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備內(nèi)存。 該內(nèi)存是針對(duì)移動(dòng)設(shè)備而設(shè)計(jì)的,因?yàn)橐苿?dòng)設(shè)備要求更高、更快
2023-08-21 17:16:445970

DDR4、LPDDR4LPDDR4x的區(qū)別

已保留有6位SDR空間。最后,它占用的片上空間更少,單個(gè)封裝最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是,LPDDR4X不能與LPDDR4向后兼容。即使設(shè)備與更快的LPDDR4內(nèi)存兼容,它也可能不適用于LPDDR4X。
2023-09-19 11:09:368386

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579

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