DDR4、LPDDR4和LPDDR4x的區(qū)別

1、不同的傳輸速率

此外，速度也從3200MT / s增加到了4266MT / s（無OC）。這是由于I / O總線時(shí)鐘（1600MHz至2134MHz）和內(nèi)存陣列（200-266.7MHz）更快的結(jié)果。命令和地址總線已保留有6位SDR空間。最后，它占用的片上空間更少，單個(gè)封裝最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是，LPDDR4X不能與LPDDR4向后兼容。即使設(shè)備與更快的LPDDR4內(nèi)存兼容，它也可能不適用于LPDDR4X。

LPDDR4輸入/輸出接口的數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)3200Mbps。LPDDR4X采用超薄高級(jí)封裝，在提供與LPDDR4相同的速度的同時(shí)，還可以加快多任務(wù)處理速度并優(yōu)化用戶體驗(yàn)。

2、不同的功耗

類似于DDR5降低電壓和功耗的方式，LPDDR4X的作用相同。它將I / O電壓降低了50％（1.12至0.61v），從而大大降低了存儲(chǔ)器以及存儲(chǔ)器控制器的功耗。

LPDDR4低功耗解決方案，與LPDDR3相比，功耗降低了37％。LPDDR4X的卓越節(jié)能解決方案在性能方面比超快LPDDR4進(jìn)一步提高，與LPDDR4相比，其能耗降低了17％。

總結(jié)一下：

LPDDR4X可以視為L(zhǎng)PDDR4的節(jié)能優(yōu)化版本。它具有與LPDDR4相同的頻率，帶寬和工作電壓。唯一的區(qū)別是封裝上的電源引腳設(shè)計(jì)和測(cè)試規(guī)格不同，并且功耗得到了優(yōu)化。簡(jiǎn)而言之，LPDDR4X內(nèi)存是LPDDR4節(jié)能的優(yōu)化版本。功耗降低約10-20％，更有利于節(jié)電。

LPDDR5 與LPDDR4X對(duì)比呢？

LPDDR4

總線時(shí)鐘頻率1600-2133Mhz，架構(gòu) 86x，電壓1.8/1.1/1.1V

LPDDR4X

總線時(shí)鐘頻率2133Mhz，架構(gòu)64x與86x，電壓為1.8/1.1/0.6V

LPDDR5

數(shù)據(jù)速率3200Mhz，架構(gòu)64x，電壓1.8/1.05/0.9/0.5V

就數(shù)據(jù)傳輸而言，新的LPDDR5大約比LPDDR4x快1.5倍 。LPDDR5的傳輸速度為51.2 Gbps，頻率為6,400 Mbps。

LPDDR4和LPDDR4x通過使用32bit雙通道架構(gòu)（2 x 16bit）提高了。LPDDR5將移回單個(gè)16bit通道，但是，每個(gè)通道中的存儲(chǔ)體數(shù)量已增加到2倍。LPDDR4X僅支持Single Bank Group，而LPDDR5支持多Bank Group模式，這里可以理解為數(shù)據(jù)傳輸從單車道變成了多車道，進(jìn)一步提升了傳輸數(shù)據(jù)帶寬。

由于閃存速度比CPU慢得多。為了提高速度并防止出現(xiàn)此瓶頸，DRAM使用了一種稱為預(yù)取緩沖區(qū)的技術(shù)。增加緩沖區(qū)大小可進(jìn)一步改善此性能。三星和鎂光的LPDDR5使用與LPDDR4相同的16bit預(yù)取緩沖區(qū)。為了提高數(shù)據(jù)速率，LPDDR5使用存儲(chǔ)區(qū)分組，這與LPDDR4相同。

在功耗方面，由于降低了電壓，并且LPDDR5具有DVFS，深度睡眠模式，DQ復(fù)制和WriteX等新節(jié)能功能，使LPDDR5的功耗降低了達(dá)45％。

另外就是LPDDR5價(jià)格昂貴，目前只有高端旗艦手機(jī)才使用了LPDDR5,大部分還是使用的是LPDDR4X。不過，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，LPDDR5正逐漸取代LPDDR4X。

簡(jiǎn)單點(diǎn)來說，LPDDR5有三大優(yōu)勢(shì)，分別是多車道Bank Group架構(gòu)、速率跨越式升級(jí)最多可達(dá)50%性能提升、超低功耗。目前階段來看，LPDDR5好是好，可是對(duì)手機(jī)的性能并沒有非常大的影響，所以使用LPDDR4x的小伙伴也不要著急著換LPDDR5。

審核編輯：湯梓紅