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三星確認(rèn)驍龍 820 使用第二代 14nm FinFET 工藝

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三星或采用14nm工藝制造144MP攝像頭傳感器

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三星:也來看看我們的14nm晶圓吧

三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù),而且又類似GlobalFoundries、聯(lián)電,三星也使用了14+20nm混合工藝,大致來說就是晶體管是14nm的,其它各部分則都是20nm的。
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2013-03-05 08:51:201363

16nm/14nm FinFET技術(shù):開創(chuàng)電子業(yè)界全新紀(jì)元

16nm/14nm FinFET技術(shù)將是一個(gè)Niche技術(shù),或者成為IC設(shè)計(jì)的主流?歷史證明,每當(dāng)創(chuàng)新出現(xiàn),人們就會(huì)勾勒如何加以利用以實(shí)現(xiàn)新的、而且往往是意想不到的價(jià)值。FinFET技術(shù)將開啟電腦、通信和所有類型消費(fèi)電子產(chǎn)品的大躍進(jìn)時(shí)代。
2013-03-28 09:26:472161

聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

在Synopsys 的協(xié)助下,臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造,而這
2013-06-28 09:57:581023

電子芯聞早報(bào):三星14nm威武,機(jī)器人可定制

據(jù)彭博社的報(bào)道稱,三星電子已經(jīng)從臺(tái)積電手中搶奪了A9處理器的代工權(quán)利,而新的處理器會(huì)使用14nm工藝。此外,報(bào)道中還提到,三星位于首爾京畿道器興(Giheung)的工廠將開始生產(chǎn)蘋果A9芯片。
2015-04-07 10:23:45973

電子芯聞早報(bào):三星14nm奪高通新品訂單

手機(jī)晶片大廠高通9月3日發(fā)表旗艦手機(jī)晶片Snapdragon 820處理器,確定采用三星14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程,也代表臺(tái)積電失去這個(gè)產(chǎn)品的代工訂單。
2015-09-06 10:51:43945

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對(duì)比上代ARM Cortex-A57/A53公版IP的810,使用三星最新一代14nm FinFET LPP工藝的驍龍820大體來講有六大改進(jìn)。
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三星本周宣布,將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前,三星已經(jīng)在美國硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝,目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41490

三星第二代10納米制程開發(fā)完成 | 老邢點(diǎn)評(píng)

三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成,未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-27 10:04:491516

中芯國際 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺(tái)積電同等工藝

3 月 10 日消息從供應(yīng)鏈獲悉,中芯國際 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺(tái)積電同等工藝,水準(zhǔn)達(dá)約 90%-95%。目前,中芯國際各制程產(chǎn)能滿載,部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
2021-03-10 13:42:244501

今日看點(diǎn)丨高通第二代驍龍4芯片發(fā)布,傳由臺(tái)積電轉(zhuǎn)單三星代工;華為明年將發(fā)布端到端 5.5G 商用產(chǎn)品

1. 高通第二代驍龍4 芯片發(fā)布,傳由臺(tái)積電轉(zhuǎn)單三星代工 ? 據(jù)外媒報(bào)道,高通公司本月27日正式發(fā)布第二代驍龍4移動(dòng)平臺(tái)(Snapdragon 4 Gen 2),據(jù)傳將從前代的臺(tái)積電6納米工藝平臺(tái)
2023-06-29 10:54:291087

14nm工藝的肖特基極管和與非門導(dǎo)通延時(shí)是多少皮秒啊

14nm工藝的肖特基極管和與非門導(dǎo)通延時(shí)是多少皮秒啊
2018-06-17 13:21:09

FinFET(鰭型MOSFET)簡介

增強(qiáng);同時(shí)也極大地減少了漏電流的產(chǎn)生,這樣就可以和以前一樣繼續(xù)進(jìn)一步減小Gate寬度。目前三星和臺(tái)積電在其14/16nm這一代工藝都開始采用FinFET技術(shù)。圖6:Intel(左:22nm)和Samsung(右:14nm)Fin鰭型結(jié)構(gòu)注:圖3、圖6的圖片來于網(wǎng)絡(luò)。
2017-01-06 14:46:20

三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

三星電子近日在國際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱,三星此次試制出了20nm工藝的DRAM,并表示可以“采用同樣的方法,達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
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第二代Intel頂級(jí)CPU問世 芯片解密打破禁售壟斷

本帖最后由 Mrblue 于 2015-11-30 14:55 編輯 近日,Intel在超級(jí)計(jì)算機(jī)大會(huì)上正式展示出其第二代高性能計(jì)算產(chǎn)品Knights Landing Xeon Phi,強(qiáng)大
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第二代Raspberry Pi發(fā)布,微軟推出Windows 10 for Raspberry Pi 2

`Raspberry Pi基金會(huì)今天發(fā)布第二代樹莓派—— Raspberry Pi ,樹莓派2外形看起來跟樹莓派B+一樣一樣的,配置主要就是升級(jí)了CPU (900M4核ARM v7)和內(nèi)存(1G
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第二代可穿戴設(shè)備背后的傳感器技術(shù)

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2018-09-21 11:46:21

865相當(dāng)于什么處理器麒麟

990采用的臺(tái)積電先進(jìn)的EUV-7nm制程,865是晚于麒麟9905G發(fā)布的一款5G芯片,865采用的并不是先進(jìn)的EUV-7nm制程,而是在傳統(tǒng)的7nm制程工藝上做出了改變。   由于
2021-07-22 07:58:49

820漸行漸近,集成全新Hexagon 680 DSP

和GPGPU計(jì)算性能提升高達(dá)40%;Qualcomm還宣布820處理器將首次搭載全新的14位Qualcomm Spectra圖像信號(hào)處理(ISP)單元,旨在支持卓越的媲美數(shù)碼單反相機(jī)(DSLR)的攝影與增強(qiáng)型計(jì)算機(jī)視覺。
2015-08-26 09:40:23

820里面集成了wifi功能,為什么采用這個(gè)芯片的手機(jī)中還用其它wifi芯片呢

820里面集成了wifi功能,為什么采用這個(gè)芯片的手機(jī)中還用其它wifi芯片呢?比如三星s7手機(jī)中采用了820芯片,還用murata的wifi芯片有高手指點(diǎn)一下嗎
2017-04-22 21:50:49

AN15261第二代無線電具有第一無線電中不存在的其他強(qiáng)大功能

AN15261基于CYWUSB6934將無線USB LS設(shè)計(jì)移植到無線USB LP。第二代無線電具有第一無線電中不存在的其他強(qiáng)大功能:更高的傳輸比特率,更低的接收靈敏度,更高的最大發(fā)射功率,專用的發(fā)送和接收緩沖器以及自動(dòng)CRC
2019-07-19 09:05:47

Exynos5410 VS 800

最近想學(xué)習(xí)下ARM就想買一塊開發(fā)板, 發(fā)現(xiàn)三星的開發(fā)板發(fā)展的很快呀, 上網(wǎng)居然發(fā)現(xiàn)深圳榮品電子出了一個(gè)5410的八核的開發(fā)板。 于是乎就上網(wǎng)找了下Exynos5410的資料了解了下, 看到了很多人
2014-02-26 14:29:30

FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點(diǎn)?

FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點(diǎn)?FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能?
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技術(shù)開發(fā)成功,同時(shí)透露會(huì)朝第二代FinFET 技術(shù)開發(fā)。若***一舉朝 7 納米前進(jìn),將會(huì)成為全球第四家 7 納米技術(shù)供應(yīng)商,與英特爾、臺(tái)積電、三星分庭抗禮。同時(shí),華為海思的麒麟980也搶先發(fā)布,首款
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Intel銜枚急進(jìn):14nm手機(jī)、平板野心首曝

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SE2431L范圍擴(kuò)展器FEM的CC2530第二代片上系統(tǒng)解決方案

GHz IEEE 802.15.4/RF4CE/ZigBee(具有范圍擴(kuò)展器)的第二代片上系統(tǒng)解決方案4 層設(shè)計(jì)天線分集工作電壓為 2.2V 至 3.6VPCB 天線
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【集成電路】10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)大戰(zhàn)

。這場戰(zhàn)役兩家大廠互有消長,首先是三星14nm較臺(tái)積電的16nm搶先半年投入量產(chǎn),因兩家大廠的鰭式晶體管(FinFET)設(shè)計(jì)也確有雷同之處,后續(xù)又衍生了競業(yè)禁止官司訴訟等故事,無論如何,最終臺(tái)積電還是
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中國第二代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)發(fā)展到了什么程度?

第二代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)與第一導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)在體制上的差別主要是:第二代用戶機(jī)可免發(fā)上行信號(hào),不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息,而是直接接收衛(wèi)星單程測距信號(hào)自己定位,系統(tǒng)的用戶容量不受限制,并可提高用戶位置隱蔽性。
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從7nm到5nm,半導(dǎo)體制程 精選資料分享

的寬度,也被稱為柵長。柵長越短,則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前,業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF(格羅方德),在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛,10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半,7n...
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月流片,性能超過 2018 年 ARM 發(fā)布的 Cortex-A76,主頻 2GHz@14nm,SPEC 2006 得分為 20 分。香山用湖來命名每一架構(gòu) —— 第一架構(gòu)是雁棲湖,第二代架構(gòu)
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組裝手機(jī)的格調(diào)似乎不太高,不如再搞件大事,做一枚處理器玩玩。

%的提升。除此之外,三星還計(jì)劃優(yōu)化14nm制程的成本,以吸引更多潛在用戶。比上不足比下有余,我司可以考慮抄底14nm工藝。反觀友商紛紛在工藝制程上加緊腳步,聯(lián)發(fā)科CTO周漁君表示Helio X30將會(huì)采用
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工藝制程,Intel VS臺(tái)積電誰會(huì)贏?

年下半年才會(huì)推出,較預(yù)期晚至少半年以上?! ∮⑻貭柌粌H在第二季度財(cái)報(bào)中下調(diào)了全年業(yè)績預(yù)期,而且在財(cái)報(bào)會(huì)議后的分析師電話會(huì)議上,英特爾 CEO 柯再奇確認(rèn),其采用下一制造工藝 10nm
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14nm ARM成功流片,Cortex-A50還會(huì)遠(yuǎn)嗎?

  電子設(shè)計(jì)企業(yè)Cadence Design Systems, Inc.今天宣布,借助IBM FinFET晶體管技術(shù),已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗(yàn)芯片。
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Intel 14nm工藝推遲半年:得等2015?

據(jù)《愛爾蘭時(shí)報(bào)》報(bào)道,Intel已經(jīng)決定,將其都柏林萊克斯利普(Leixlip)晶圓廠升級(jí)14nm工藝的計(jì)劃推遲半年,暫時(shí)仍舊停留在22nm。 為了部署新工藝,Intel還調(diào)集了大約600名愛爾蘭員工,
2012-11-12 09:39:40730

三星芯片工藝突破14nm 何時(shí)量產(chǎn)仍未確定

GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm工藝,三星電子今天也宣布,已經(jīng)在14nm FinFET工藝開發(fā)之路上取得又一個(gè)里程碑式的突破,與其設(shè)計(jì)、IP合作伙伴成功流片了多個(gè)開發(fā)載具。
2012-12-24 09:28:241072

GF確認(rèn)將直奔7nm工藝 AMD將同步?

2015年以來,英特爾(Intel)、三星、臺(tái)積電(TSMC)紛紛發(fā)力16/14nm FinFET工藝,而當(dāng)下芯片廠商正爭相蓄力2017款10nm半導(dǎo)體制造工藝。隨著高通CEO爆料,高通2017
2016-08-19 14:34:10809

三星宣布已經(jīng)完成第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作

三星今天宣布,繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作,即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12586

三星宣布第二代10nm制程已完成開發(fā)

三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成,未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn),目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11537

三星芯片業(yè)務(wù)再登臺(tái)階,第二代10nm今年內(nèi)量產(chǎn)!

前進(jìn)的步伐還是不會(huì)被徹底推翻的??萍嫉膭?chuàng)新也不會(huì)因此而止步。日前,三星官方正式宣布他們將會(huì)開產(chǎn)第二代10nm工藝制程的芯片,三星電子在4月20日正式宣布,他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗(yàn)證工作,同時(shí)即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22606

三星完成第二代10nm工藝質(zhì)量驗(yàn)證,即將量產(chǎn)

  據(jù)韓媒報(bào)道,高通已經(jīng)與三星攜手,合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE(low-power early)工藝處理器后,日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02764

7nm工藝研發(fā)進(jìn)程,三星有望再次領(lǐng)先全球!

臺(tái)積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中,三星則宣布已推出第二代10nm工藝,這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗,而且這可能會(huì)影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461327

展訊Intel合作第二14nm芯片手機(jī)第 3 季量產(chǎn)

外電報(bào)導(dǎo)指出,英特爾和展訊合作的第二14nm手機(jī)芯片將于第3季量產(chǎn),與聯(lián)發(fā)科、高通爭搶中低端市場。
2017-05-04 01:07:111039

三星10nm SoC第二代量產(chǎn),預(yù)計(jì)明年推出

第二代10nm工藝即LPP(Low Power Plus),比LPE(Low Power Early)的性能提升了10%,功耗降低了15%,首款商用產(chǎn)品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30726

三星開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道,三星電子今天宣布,已開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063

中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝

中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。
2018-05-14 14:52:005009

中芯國際放大招-"14nm工藝晶圓2019年量產(chǎn)"

的中上游重要組成部分,國際上一直處在半壟斷競爭態(tài)勢(shì)中。臺(tái)積電、三星、Intel等國際巨頭的晶圓工藝使他們科技力量的重要源泉。日前,中芯國際傳來了中國晶圓好消息。 中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并借此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。 中芯國際
2018-05-17 09:37:354975

三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存開始量產(chǎn),可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電

根據(jù)報(bào)道,三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn),相比第一代,雖然性能沒有提升,但是功耗再降10%,可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:23902

AMD第二代EPYC霄龍將在明年發(fā)布;阿里云啟動(dòng)達(dá)爾文計(jì)劃;搜狗翻譯寶Pro正式發(fā)布

AMD已經(jīng)多次確認(rèn),基于7nm工藝、Zen 2架構(gòu)的第二代EPYC霄龍已經(jīng)向客戶交付樣片,將在明年正式發(fā)布。
2018-09-21 15:20:594252

現(xiàn)在的九代酷睿處理器或代表著14nm工藝的謝幕

、酷睿i5-9600K這三款,它們依然是14nm++工藝生產(chǎn)。近年來英特爾的10nm工藝一直延期,14nm工藝已經(jīng)衍生出了5代桌面處理器,但是英特爾高管表示九代酷睿處理器將是14nm的謝幕演出。
2018-10-12 16:38:001360

中芯國際首個(gè)14nm工藝明年上半年量產(chǎn)

根據(jù)中芯國際之前的爆料,其14nm工藝良率已達(dá)95%,進(jìn)展符合預(yù)期,已經(jīng)進(jìn)入了客戶導(dǎo)入階段,正在進(jìn)行驗(yàn)證及IP設(shè)計(jì)。另外,中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松宣布計(jì)劃在2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)14nm FinFET。
2018-11-11 10:03:304212

三星采用第二代10nm工藝級(jí)別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763

Intel正式發(fā)布CascadeLake第二代可擴(kuò)展Xeon至強(qiáng)服務(wù)器處理器

4月3日,Intel正式發(fā)布了代號(hào)Cascade Lake的第二代可擴(kuò)展Xeon至強(qiáng)服務(wù)器處理器,工藝和架構(gòu)本質(zhì)上還是基于14nm Skylake-SP,但是核心數(shù)量翻番,并支持傲騰可持續(xù)內(nèi)存,加強(qiáng)了對(duì)AI、5G應(yīng)用的支持。
2019-04-03 14:39:3318113

現(xiàn)代集成電路芯片14nm節(jié)點(diǎn)FinFET的制造工藝流程詳細(xì)資料說明

本位介紹14nm節(jié)點(diǎn)FinFET工藝流程。(后柵工藝BEOL+FEOL) 3.1流程概述:晶圓材料-隔離—淀積多晶硅—芯軸—鰭硬掩膜(“側(cè)墻”)—刻蝕形成鰭—雙阱形成—制作臨時(shí)輔助柵—補(bǔ)償隔離
2019-04-10 08:00:00143

Intel正式宣布第二代10nm工藝的處理器TigerLake 使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核

2019年就要正式量產(chǎn)了,6月份就會(huì)發(fā)布10nm Ice Lake處理器,今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake,將會(huì)使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核。
2019-05-09 15:19:031801

英特爾14nm工藝制程永流傳

英特爾已經(jīng)使用了 N 年的 14nm 工藝制程了,而現(xiàn)在這家科技巨頭似乎遇到了 10nm 的產(chǎn)能問題,于是 14nm++++ 成為未來兩三年內(nèi)英特爾的主力制程,這也是消費(fèi)者所不想要看到的。然而事實(shí)便是這樣,于是大家也就只能硬著頭皮使用英特爾的 14nm 產(chǎn)品了。
2019-12-02 16:31:328187

三星公布14nm FinFET的1.44億像素傳感器

據(jù)介紹,14nm FinFET工藝使得界面態(tài)密度(Nit)提升40%以上,閃爍噪聲提高64%,數(shù)字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進(jìn)工藝優(yōu)勢(shì),144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001317

intel的第二代10nm桌面CPU帶來了全新面貌

盡管intel的十代酷睿處理器仍在使用14nm工藝擠牙膏,但是外界對(duì)于這代intel處理器的性能還是十分期待的,因?yàn)闃O有可能十代酷睿處理器將會(huì)成為14nm工藝的絕唱。
2020-01-06 15:41:393309

紫光展銳正式推出第二代5G平臺(tái)馬卡魯2.0 首發(fā)臺(tái)積電6nm工藝

2月26日,紫光展銳舉行了“5G所向 價(jià)值所在”的線上發(fā)布會(huì),正式推出了第二代5G平臺(tái)——馬卡魯2.0,第二代5G芯片虎賁T7520由原定的7nm升級(jí)到了6nm EUV,這是首款用上臺(tái)積電6nm工藝的5G芯片。
2020-02-26 16:04:362752

中芯國際14nm能夠發(fā)揮7nm工藝存疑

我們要不要過分夸大中芯國際呢,14nm能夠發(fā)揮7nm工藝的水平?如果說14nm高于12nm,筆者是相信的,畢竟當(dāng)年的iphone 6s的兩個(gè)處理器是混用的。
2020-03-09 11:59:343314

AMD加速甩掉14nm工藝,IO核心有望使用臺(tái)積電7nm工藝

去年AMD推出了7nm Zen2架構(gòu)的銳龍、霄龍?zhí)幚砥?,這是首款7nm工藝的x86處理器。不過嚴(yán)格來說它是7nm+14nm混合,現(xiàn)在AMD要加速甩掉14nm工藝了,IO核心也有望使用臺(tái)積電7nm工藝。
2020-09-24 10:12:581765

中芯國際第二代FinFET N+1可望于2020小批量試產(chǎn)

稱,該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn),第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,可望于2020年底小批量試產(chǎn)。 按照這樣的時(shí)間表推測,中芯國際N+1代工藝確實(shí)會(huì)在2021年規(guī)模量產(chǎn)。 N+1是中芯國際對(duì)其第二代先進(jìn)工藝的代號(hào),但從未明確
2020-09-26 10:11:392092

中芯國際第二代FinFET N+1工藝已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段

710A 芯片等進(jìn)行代工。 對(duì)此,中芯國際回應(yīng)稱,公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn),第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,有望于2020年底小批量試產(chǎn)。在沒有使用EUV光刻機(jī)的情況下,中芯國際實(shí)現(xiàn)了14nm以下的先進(jìn)制造工藝,不能不說
2020-09-30 14:24:188395

臺(tái)積電第二代 5nm 工藝性能提升水平有望高于預(yù)期

為臺(tái)積電帶來了近 10 億美元的營收。 同此前的 7nm 工藝一樣,臺(tái)積電的 5nm 工藝也不只一代,他們還將推出第二代的 5nm 工藝,也就是他們所說的 N5P。 在 8 月底的全球技術(shù)論壇期間,臺(tái)積電曾披露,同第一代 5nm 工藝相比,第二代 5nm 工藝所制造的芯片,理論上性能將提升
2020-11-06 16:19:021626

中芯國際14nm工藝爆發(fā)營收創(chuàng)歷史新高 回應(yīng)出口管制與美國保持積極溝通

昨天,中芯國際發(fā)布2020年Q3財(cái)報(bào),得益于14nm工藝的爆發(fā),其中單季營收首超10億美元,創(chuàng)歷史新高。 值得一提的是,中芯國際Q3季度不僅產(chǎn)能利用率達(dá)到了97.8%,而且先進(jìn)工藝占比快速提升,14
2020-11-12 09:37:111673

14nm工藝大爆發(fā),中芯國際10月營收創(chuàng)新高

昨天,中芯國際發(fā)布2020年Q3財(cái)報(bào),得益于14nm工藝的爆發(fā),其中單季營收首超10億美元,創(chuàng)歷史新高。
2020-11-12 11:01:591470

蘋果A15處理器將采用臺(tái)積電第二代5nm工藝制造

據(jù)國外媒體報(bào)道,研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),蘋果明后兩年iPhone新品將搭載的兩款A(yù)系列處理器,將由芯片代工商臺(tái)積電采用第二代5nm工藝和4nm工藝制造。 蘋果今年推出的iPhone 12系列智能手機(jī),搭載
2020-11-20 11:27:031767

消息稱中國芯片設(shè)計(jì)廠商們看上三星 14nm及以上工藝下單量增加

Digitimes的最新消息稱,中國芯片設(shè)計(jì)廠商們似乎對(duì)三星工藝很滿意,已經(jīng)顯著增加了對(duì)后者14nm及以上工藝的下單量。 盡管當(dāng)年三星14nm的A9處理器(iPhone 6s)表現(xiàn)不佳,被一些用戶認(rèn)為是漏電翻車的存在,但經(jīng)過后續(xù)的演進(jìn),已經(jīng)得到不少頭部客戶的
2020-11-20 17:00:481622

消息稱臺(tái)積電第二代3nm工藝計(jì)劃2023年推出

年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 從英文媒體最新的報(bào)道來看,同2018年量產(chǎn)的7nm和今年量產(chǎn)的5nm工藝一樣,臺(tái)積電正在研發(fā)的3nm工藝,也將會(huì)有第二代。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息,報(bào)道臺(tái)積電會(huì)推出第二代3nm工藝的,這一消息人士表示臺(tái)積電計(jì)劃在2
2020-12-02 17:14:461572

中芯國際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)

據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道稱,中芯國際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 科創(chuàng)板中芯國際在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司第一代FinFET14納米已于2019年四季度量產(chǎn);第二代FinFETN+1已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段
2020-12-04 18:08:151858

中芯國際稱第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)

2019 年四季度進(jìn)入量產(chǎn),第二代 FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 IT之家了解到,中芯國際于 2019 年實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn),并已為華為麒麟 710A 芯片等進(jìn)行代工。 今年9月份,投資者向中芯國際求證中芯關(guān)于下一代芯片量產(chǎn)消息,中芯國際回答表示:中芯國際第二代
2020-12-07 11:23:372570

中芯國際:將于年底小批量試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片

據(jù)最新消息,我國芯片生產(chǎn)巨頭中芯國際在互動(dòng)平臺(tái)公開表示,該司即將在2020年底小批量試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片,目前這一芯片已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。去年年底,中芯國際率先完成任務(wù),完成了第一代FinFET 14nm芯片的量產(chǎn)工作。
2020-12-08 15:41:092788

中芯國際聚焦14nm FinFET工藝,與阿斯麥集團(tuán)簽訂購買單

14nm 制程工藝產(chǎn)品良率來說,中芯國際生產(chǎn)水平已經(jīng)快等同于臺(tái)積電,制程工藝產(chǎn)品良率可達(dá)90%-95%。
2021-03-15 16:38:231129

谷歌第二代Tensor將由三星以4nm制程工藝代工,本月開始量產(chǎn)

據(jù)媒體報(bào)道稱,谷歌第二代Tensor芯片將于這個(gè)月開始量產(chǎn),代工方為三星,將會(huì)采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機(jī)自研的芯片,第一代在去年8月發(fā)布,而第二代
2022-06-02 14:52:451272

7nm14nm的區(qū)別 7nm14nm哪個(gè)好

  在芯片設(shè)計(jì)和制造中,納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離,在體積相同大小的情況下,7nm工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量,幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4621551

第二代有人用了!臺(tái)積電最新3nm工藝首顆芯片流片

核是ZeusCORE100,涵蓋支持了800G以太網(wǎng)、OIF 112G-CEI, PCIe 6.0和CXL3.0等多項(xiàng)前沿標(biāo)準(zhǔn),致力于服務(wù)下一代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器。 回到工藝本身,N3E實(shí)際上是臺(tái)積電的第二代3nm,性能相比
2022-10-27 10:03:561157

Samsung研發(fā)第二代3納米工藝 SF3

據(jù)報(bào)道,韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級(jí)別工藝技術(shù)的芯片,稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">三星與臺(tái)積電競爭下一代先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:14456

三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14321

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