合肥長(zhǎng)鑫加速開(kāi)發(fā)17nm工藝內(nèi)存研發(fā)

在量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首個(gè)8Gb DDR4芯片之后，合肥長(zhǎng)鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開(kāi)發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。

據(jù)報(bào)道，合肥長(zhǎng)鑫的母公司睿力集成近期獲得了一筆巨額融資，總額高達(dá)156億元，參與投資的主要是國(guó)家大基金二期、安徽省三重一創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金有限公司、合肥石溪集電企業(yè)管理合伙企業(yè)、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等投資公司。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為一體化存儲(chǔ)器制造商，專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)，18年研發(fā)國(guó)內(nèi)首個(gè)8Gb DDR4芯片，2019年Q3季度量產(chǎn)，2020年多款國(guó)產(chǎn)內(nèi)存已經(jīng)用上了長(zhǎng)鑫的顆粒。

長(zhǎng)鑫的第一代DDR4芯片使用的還是19nm的第一代10nm工藝10G1，此前安徽方面發(fā)布的文件顯示，長(zhǎng)鑫將研發(fā)先進(jìn)低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，依托DRAM 17nm及以下工藝，攻關(guān)高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)、低功耗電源（電壓）技術(shù)、片內(nèi)糾錯(cuò)編碼（On-Die ECC）技術(shù)，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
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