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離子注入設(shè)備和方法

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2023-12-22 09:41:21704

離子注入工藝資料~還不錯(cuò)哦~

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2012-08-01 10:58:59

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請(qǐng)問(wèn)離子注入時(shí)V-CURVE為什么是到拋物線呢?

請(qǐng)問(wèn)各位大俠,離子注入時(shí)有遇到做V-CURVE時(shí),出現(xiàn)倒著的拋物線嗎?急,在線等,謝謝!
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離子注入技術(shù)介紹

離子注入技術(shù)又是近30年來(lái)在國(guó)際上蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的一種材料表面改性高新技術(shù)。
2011-05-22 12:13:574275

什么是離子注入技術(shù)

本文詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的特點(diǎn)及性能,以及離子注入技術(shù)的英文全稱(chēng)。
2011-05-22 12:13:294861

離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)及典型應(yīng)用

簡(jiǎn)述了離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)及典型應(yīng)用,并簡(jiǎn)要分析了該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展方向。
2011-05-22 12:10:3110636

離子注入技術(shù)原理

詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的工作原理和離子注入系統(tǒng)原理圖。
2011-05-22 12:24:1618742

離子注入的特點(diǎn)

離子注入的特點(diǎn),與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來(lái)獲得表面合金層的,因而有其特點(diǎn)。
2011-05-22 12:27:084337

離子注入摻雜銳鈦礦TiO2薄膜的光學(xué)性能

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離子注入工藝 (課程設(shè)計(jì)資料)

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離子體源離子注入技術(shù)及其應(yīng)用

離子注八材料表面陡性技術(shù), 是材料科學(xué)發(fā)展的一個(gè)重要方面。文中概述7等離子體源離子注八技術(shù)的特點(diǎn) 基皋原理 應(yīng)用效果。取覆等離子體源離子注八技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。例如, 除7在
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集成電路工藝技術(shù)講座-離子注入(Ion implantation)

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2011-05-22 12:39:0661

離子注入(Ion Implantation)教程

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系統(tǒng)介紹了金屬表面改性用離子注入的機(jī)理和特點(diǎn)。剖析了溫度、注入劑量、離子種類(lèi)等影響因子對(duì)改性層效果的影響,綜述了該技術(shù)在提高強(qiáng)度和硬度、改善磨損性能、降低摩擦系數(shù)
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大規(guī)模集成技術(shù)5-離子注入ppt

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離子注入工藝(ion implantation)

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2011-05-22 12:56:47118

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離子注入技術(shù)

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中車(chē)時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成

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2018-01-15 09:50:096732

萬(wàn)業(yè)企業(yè)已具備低能大束流離子注入整機(jī)工藝驗(yàn)證的能力 將助力國(guó)產(chǎn)集成電路的整體發(fā)展

近日有消息顯示,萬(wàn)業(yè)企業(yè)(600641.SH)全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機(jī)已搬進(jìn)杭州灣潔凈室,目前正在根據(jù)集成電路芯片客戶(hù)工藝要求,進(jìn)行離子注入晶圓驗(yàn)證。
2019-12-31 10:04:085297

國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)已發(fā)往大產(chǎn)線,集成電路裝備再破零

近日,從電科裝備旗下?tīng)q科中科信公司傳來(lái)喜訊,公司研發(fā)的12英寸中束流離子注入機(jī)順利發(fā)往某集成電路大產(chǎn)線,這臺(tái)由客戶(hù)直接采購(gòu)的設(shè)備如期交付,標(biāo)志著公司國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)市場(chǎng)化進(jìn)程再上新臺(tái)階。
2020-06-23 10:20:284019

重大突破!中國(guó)研發(fā)高能離子注入機(jī)性能已達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,中國(guó)知名電子企業(yè)中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司近日取得重大技術(shù)突破,其自主研發(fā)的高能離子注入機(jī)已成功實(shí)現(xiàn)百萬(wàn)電子伏特高能離子加速,其性能達(dá)國(guó)際主流先進(jìn)水平。
2020-06-28 11:36:023688

PCB等離子清洗設(shè)備的維護(hù)方法

摘要:等離子技術(shù)在印制電路板行業(yè)中主要作為處理鉆孔殘膠的一種重要手段。文章介紹了PCB等離子清洗設(shè)備的維護(hù)方法。在等離子清洗設(shè)備在使用中,會(huì)遇到除膠清洗達(dá)不到要求、設(shè)備本身故障率異常等問(wèn)題。如何保證
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全球離子注入機(jī)市場(chǎng)呈現(xiàn)波動(dòng)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì),市場(chǎng)規(guī)模實(shí)現(xiàn)18.0億美元

離子注入機(jī)是高壓小型加速器中的一種,是由離子源得到所需要的離子,經(jīng)過(guò)加速得到幾百千電子伏能量的離子束流,用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入,還能用于太陽(yáng)能電池等的制造。
2020-10-10 16:55:453314

離子注入工藝的設(shè)計(jì)與計(jì)算簡(jiǎn)介

介紹工藝之前,我們先聊一下昨天一個(gè)朋友提到的日本日新的離子注入設(shè)備。日本日新是全球3大離子注入設(shè)備商之一。 1973年的時(shí)候,該公司就開(kāi)始做離子注入的工藝設(shè)備。 目前的主要業(yè)務(wù)設(shè)備如上表。詳細(xì)的可以
2020-11-20 10:03:276458

離子注入工藝仿真

離子注入作為半導(dǎo)體常用的摻雜手段,具有熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。列表對(duì)比 摻雜原子被動(dòng)打進(jìn)到基板的晶體內(nèi)部,但是它是被硬塞進(jìn)去的,不是一個(gè)熱平衡下的過(guò)程,雜質(zhì)一般也不出在晶格點(diǎn)陣上,且離子軌跡
2020-11-20 10:10:305208

凱世通與芯成科技簽署銷(xiāo)售合同,擬出售3臺(tái)12英寸集成電路設(shè)備

集成電路設(shè)備,分別為低能大束流重金屬離子注入機(jī)(Sb implanter)、低能大束流超低溫離子注入機(jī)(Cold implanter)以及高能離子注入機(jī)(HE implanter),訂單金額超過(guò)1億人民幣。這也是繼凱世通今年9月首臺(tái)低能大束流設(shè)備送入國(guó)內(nèi)主要芯片制造工廠后的又一大商業(yè)化進(jìn)展。
2020-12-02 10:02:282197

凱世通集成電路離子注入機(jī)迎來(lái)商業(yè)客戶(hù)及多款設(shè)備訂單的重大突破

目前,離子注入機(jī)行業(yè)主要由美國(guó)廠商壟斷,應(yīng)用材料(Applied Materials)、亞舍立(Axcelis)合計(jì)占據(jù)全球 85%-90%的市場(chǎng),存在較高競(jìng)爭(zhēng)壁壘,也是解決芯片國(guó)產(chǎn)化設(shè)備卡脖子的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2020-12-04 10:21:293635

離子注入工藝原理介紹

四十五所作為國(guó)內(nèi)最大的濕化學(xué)設(shè)備供應(yīng)商之一,其設(shè)備涵蓋了半導(dǎo)體制造幾乎所有的濕化學(xué)制程,包括:金屬刻蝕、深硅刻蝕、二氧化硅刻蝕、RCA清洗、酸洗、有機(jī)清洗、去膠、顯影、去蠟、制絨、高溫側(cè)腐、電鍍等。
2021-02-01 11:16:355172

中國(guó)芯片制造關(guān)鍵設(shè)備迎來(lái)新突破

很多人都知道,離子注入機(jī)是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備,而中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司旗下裝備子集團(tuán)就是在離子注入機(jī)方面取得了重大突破,其成功實(shí)現(xiàn)了離子注入機(jī)全譜系產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化,包括中束流、大束流、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等離子注入機(jī),工藝段覆蓋至28nm,累計(jì)形成了413項(xiàng)核心發(fā)明專(zhuān)利。
2021-04-17 08:14:194126

為鋰離子電池組注入安全性

為鋰離子電池組注入安全性(高頻開(kāi)關(guān)電源技術(shù)及應(yīng)用答案)-為鋰離子電池組注入安全性? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
2021-09-23 17:55:018

硅晶圓制造中需要的半導(dǎo)體設(shè)備

制作一顆硅晶圓需要的半導(dǎo)體設(shè)備大致有十個(gè),它們分別是單晶爐、氣相外延爐、氧化爐、磁控濺射臺(tái)、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、光刻機(jī)、離子注入機(jī)、引線鍵合機(jī)、晶圓劃片機(jī)、晶圓減薄機(jī)。
2022-04-02 15:47:495139

光刻膠剝離用組合物及用其進(jìn)行剝離的方法介紹

本文章介紹了我們?nèi)A林科納一種光刻膠剝離用組合物,該組合物不僅對(duì)離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質(zhì)為聚合物的光刻膠具有良好的去除力,而且使膜質(zhì)腐蝕性最小化。半導(dǎo)體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081442

離子注入與傳統(tǒng)熱擴(kuò)散工藝區(qū)別

與通過(guò)傳統(tǒng)熱擴(kuò)散工藝進(jìn)行摻雜的方式相比,離子注入摻雜具有如下優(yōu)點(diǎn)。
2022-10-31 09:06:015608

離子體摻雜(Plasma Doping)

通常,用射頻電源產(chǎn)生高濃度等離子體電離摻雜氣體,而用偏置電源加速離子去“轟擊”圓片表面。最常用的 PLAD 摻雜氣體為 B2H6,用于硼摻雜。對(duì)于需要非常高劑量的圓片摻雜的產(chǎn)品,由于離子注入機(jī)需要“點(diǎn)”式掃描注入,即使在最高的離子束流下,工藝實(shí)施時(shí)間仍然較長(zhǎng),產(chǎn)出效率低。
2022-11-01 10:14:003046

退火工藝(Thermal Annealing)介紹

通常,退火工藝是與其他工藝(如離子注入、薄膜沉積、金屬硅化物的形成等)結(jié)合在一起的,最常見(jiàn)的就是離子注入后的熱退火。離子注入會(huì)撞擊襯底原子,使其脫離原本的晶格結(jié)構(gòu),而對(duì)襯底晶格造成損傷。
2022-11-02 10:03:5215055

外延工藝(Epitaxy)

固相外延,是指固體源在襯底上生長(zhǎng)一層單晶層,如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過(guò)程。離于注入加工時(shí),硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210252

半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)工藝流程科普!

第九步退火,離子注入后也會(huì)產(chǎn)生一些晶格缺陷,退火是將離子注入后的半導(dǎo)體放在一定溫度下進(jìn)行加熱,使得注入的粒子擴(kuò)散,恢復(fù)晶體結(jié)構(gòu),修復(fù)缺陷,激活所需要的電學(xué)特性。
2023-04-28 09:32:542021

離子注入工藝

加熱擴(kuò)散的物理原理眾所皆知,工藝工具相當(dāng)簡(jiǎn)單且不昂貴,然而擴(kuò)散過(guò)程有一些主要的限制。
2023-05-04 09:25:52503

離子注入技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

離子注入過(guò)程提供了比擴(kuò)散過(guò)程更好的摻雜工藝控制(見(jiàn)下表)。例如,摻雜物濃度和結(jié)深在擴(kuò)散過(guò)程中無(wú)法獨(dú)立控制,因?yàn)闈舛群徒Y(jié)深都與擴(kuò)散的溫度和時(shí)間有關(guān)。離子注入可以獨(dú)立控制摻雜濃度和結(jié)深,摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:331545

簡(jiǎn)要描述離子注入的原理和優(yōu)缺點(diǎn)

離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì),以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個(gè)物理過(guò)程,不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2023-05-12 16:00:084597

離子注入工藝的損傷與熱退火

高電流的硅或錯(cuò)離子注入將嚴(yán)重破壞單晶體的晶格結(jié)構(gòu),并在晶圓表面附近產(chǎn)生非晶態(tài)層。
2023-05-19 09:22:131960

離子注入工藝之退火處理

高溫爐廣泛用于進(jìn)行注入后的熱退火。高溫爐的退火處理是一個(gè)批量過(guò)程,在850攝氏度至1000攝氏度情況下,通常約30min能處理100片晶圓。
2023-05-22 09:56:592495

半導(dǎo)體制造之離子注入工藝簡(jiǎn)述

高壓直流電源用于加速離子,大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機(jī)內(nèi)。為了通過(guò)離子源產(chǎn)生離子,需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾百伏的供電系統(tǒng),然而一個(gè)射頻離子源需要大約
2023-05-26 14:44:171357

半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類(lèi),包括光刻(光刻機(jī))、刻蝕(刻蝕機(jī))、薄膜生長(zhǎng)(PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備)、擴(kuò)散(擴(kuò)散爐)、離子注入離子注入機(jī))、平坦化(CMP設(shè)備)、金屬化(ECD設(shè)備)、濕法工藝(濕法工藝設(shè)備)等。
2023-05-30 10:47:121132

半導(dǎo)體行業(yè)之離子注入工藝(十)

當(dāng)質(zhì)譜儀選擇了所需的離子后,離子將進(jìn)入后段加速區(qū)域,射束電流與最后的離子能量被控制在該區(qū)內(nèi),離子束電流利用可調(diào)整的葉片控制,而離子能量則由后段加速電極的電位控制。
2023-06-04 16:38:261185

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:27317

6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402

6.1.3 p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565

6.1.6 離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.1.6離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷行成6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)
2021-12-31 14:13:05466

離子表面處理設(shè)備在引線框架清洗中的作用

離子表面處理設(shè)備無(wú)論是晶圓源離子注入還是晶圓電鍍,都被選為IC芯片制造層面不可替代的重要技術(shù)。還可以實(shí)現(xiàn)低溫等離子表面處理裝置。去除晶片表面的氧化膜,對(duì)晶片進(jìn)行有機(jī)(有機(jī))物質(zhì)、去掩膜、表面活性劑(化學(xué))等超細(xì)化處理。
2022-08-17 09:58:50377

芯片制造中人類(lèi)科技之巔的設(shè)備---***

光刻機(jī)是芯片制造中最復(fù)雜、最昂貴的設(shè)備。芯片制造可以包括多個(gè)工藝,如初步氧化、涂光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、離子注入。這個(gè)過(guò)程需要用到的設(shè)備種類(lèi)繁多,包括氧化爐、涂膠顯影機(jī)、光刻機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、刻蝕
2023-06-12 10:13:334453

如何降低污染粒子在每一道離子注入過(guò)程中的增加量?

對(duì)于許多仍在使用旋轉(zhuǎn)輪的離子注入設(shè)備,大顆粒粒子可能掉落在晶圓表面,這如同一個(gè)高速導(dǎo)彈與建筑物的墻壁碰撞。
2023-06-30 10:11:24605

電科裝備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋

離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過(guò)程中,需要摻入不同種類(lèi)的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中,離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-06-30 16:41:19412

中國(guó)電科實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝全覆蓋!【附41份報(bào)告】

來(lái)源:芯智訊,謝謝 編輯:感知芯視界 6月29日,據(jù)中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中國(guó)電科”)官方消息,該集團(tuán)旗下中電科電子裝備集團(tuán)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“電科裝備”)已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米
2023-07-03 09:16:46651

中國(guó)電科宣布已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋

離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過(guò)程中,需要摻入不同種類(lèi)的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中,離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備
2023-07-03 15:05:55593

半導(dǎo)體離子注入工藝評(píng)估

摻雜物的種類(lèi)、結(jié)深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類(lèi)可以通過(guò)離子注入機(jī)的質(zhì)譜儀決定,摻雜物濃度由離子束電流與注入時(shí)間的乘積決定。四點(diǎn)探針是離子注入監(jiān)測(cè)中最常使用的測(cè)量工具,可以測(cè)量
2023-07-07 09:51:172240

離子體浸置型離子注入及等離子體摻雜系統(tǒng)介紹

在常規(guī)離子注入中,三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因?yàn)锽F2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷(C2B10&或CBH)是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399

離子注入技術(shù)在晶硅太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

在晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)過(guò)程中,離子注入是一項(xiàng)非常重要的工藝,它可以大幅度提高光電轉(zhuǎn)換率,實(shí)現(xiàn)在應(yīng)用中的精益有效?!该滥芄夥棺鳛橐患揖哂斜姸鄼z測(cè)電池和組件性能設(shè)備的光伏企業(yè),擁有的美能傅里葉紅外光
2023-08-29 08:35:56376

華林科納研究化合物半導(dǎo)體中離子注入引起的起泡和薄層分裂現(xiàn)象學(xué)

半導(dǎo)體的這些參數(shù)的最佳值。在廣泛使用的絕緣體上硅晶片的制造過(guò)程中,對(duì)硅的起泡和分裂過(guò)程進(jìn)行了詳細(xì)的研究。因此,還對(duì)硅和化合物半導(dǎo)體的起泡過(guò)程進(jìn)行了比較。這項(xiàng)比較研究在技術(shù)上是相關(guān)的,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">離子注入誘導(dǎo)的層分裂與直接晶片鍵合相結(jié)合,
2023-09-04 17:09:31317

探討碲鎘汞紅外探測(cè)器工藝中注入溫度的影響

本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā),研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對(duì)溫控的影響,并結(jié)合器件的I-V曲線,探究了碲鎘汞紅外探測(cè)器工藝中注入溫度的影響。
2023-09-29 10:45:002367

什么是離子注入?離子注入相對(duì)于擴(kuò)散的優(yōu)點(diǎn)?

想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電,必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì),而離子注入是一種常用的方法,下面來(lái)具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764

離子注入仿真用什么模型

方法離子運(yùn)動(dòng)模型 離子運(yùn)動(dòng)模型是離子注入仿真中最基本的模型之一。它描述了離子在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)規(guī)律。根據(jù)離子注入的不同情況,可以采用不同的運(yùn)動(dòng)模型,如簡(jiǎn)單的牛頓運(yùn)動(dòng)模型、蒙特卡洛(Monte Carlo)模擬方法以及分
2023-12-21 16:38:19257

原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入的相關(guān)原理及其區(qū)別介紹

半導(dǎo)體改變電阻率的方式有三種,原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入,這三種方式分別過(guò)程如何,有何區(qū)別呢?
2024-01-05 18:21:111111

離子注入涉及到的隧道效應(yīng)為什么需要7°角?

隧道效應(yīng),又稱(chēng)溝道效應(yīng),對(duì)晶圓進(jìn)行離子注入時(shí),當(dāng)注入離子的方向與晶圓的某個(gè)晶向平行時(shí),其運(yùn)動(dòng)軌跡將不再是無(wú)規(guī)則的碰撞,而是將沿溝道(原子之間的縫隙)運(yùn)動(dòng)并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42420

離子注入中的劑量和濃度之間有何關(guān)系呢?

對(duì)器件設(shè)計(jì)工程師來(lái)講,離子注入的濃度往往是需要關(guān)心的參數(shù),什么樣的濃度對(duì)應(yīng)什么樣的方阻,器件仿真參數(shù)輸入的是濃度,通過(guò)DSIMS測(cè)出來(lái)的也是濃度和深度的關(guān)系。
2024-01-26 13:37:02581

介紹離子注入在電容極板和濕法腐蝕自停止技術(shù)上的應(yīng)用

在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開(kāi)關(guān)中,離子注入均有應(yīng)用。
2024-02-23 10:47:13181

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