0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國產(chǎn)離子注入機已發(fā)往大產(chǎn)線,集成電路裝備再破零

如意 ? 來源:北京商報 ? 作者:北京商報 ? 2020-06-23 10:20 ? 次閱讀

近日,從電科裝備旗下爍科中科信公司傳來喜訊,公司研發(fā)的12英寸中束流離子注入機順利發(fā)往某集成電路大產(chǎn)線,這臺由客戶直接采購的設備如期交付,標志著公司國產(chǎn)離子注入機市場化進程再上新臺階。

據(jù)介紹,離子注入機是將特定種類離子以指定參數(shù)注入至特定材料中的一種設備,執(zhí)行的是核心的摻雜工藝。半導體要做成器件,要改變電性能,必須摻入雜質(zhì),離子注入機就是執(zhí)行摻雜工藝的標準設備?!懊恳粋€器件生產(chǎn)過程中,需要進行很多次離子注入,注入到器件不同的位置,注入的次數(shù)對于不同器件類型和工藝節(jié)點有差異,例如對于28nm邏輯器件,注入次數(shù)約為40次。”爍科中科信公司技術總監(jiān)張叢介紹說。

目前,國內(nèi)集成電路離子注入設備市場幾乎被國外壟斷,國產(chǎn)設備市場份額小,爍科中科信是我國目前唯一的一家全系列集成電路離子注入機集研發(fā)、制造、服務于一體的供應商。在研發(fā)過程中,研發(fā)團隊攻克了光路、晶圓傳輸、劑量控制、通用軟件系統(tǒng)等離子注入機共性關鍵技術。中束流離子注入機突破了高精度束流角度控制、小發(fā)射度長壽命離子源等關鍵技術,大束流離子注入機則進一步突破了低能大流強束流傳輸與控制、支持十余種離子的大流強長壽命離子源等關鍵技術,高能離子注入機在高能(MeV)離子加速、高電荷態(tài)離子源等關鍵技術上實現(xiàn)了突破。

追平主流只是開始,成體系實現(xiàn)國產(chǎn)替代才是目標。“爍科中科信公司已形成全系列離子注入機產(chǎn)品體系,建立了符合SEMI標準要求的離子注入機產(chǎn)業(yè)化平臺,年產(chǎn)能達30臺,公司的產(chǎn)品廣泛應用于全球知名芯片制造企業(yè),并獲客戶高度認可?!睆垍舱f,公司自主研制的離子注入機系列產(chǎn)品還斬獲了北京市科學技術進步一等獎等多項榮譽,在客戶產(chǎn)線上累計跑片650萬片,穩(wěn)定支撐了客戶量產(chǎn)。除此之外,還建立了一支專業(yè)化的售后服務團隊,實行7×24小時響應機制,持續(xù)提升客戶體驗,加速國產(chǎn)化進程。

公司負責人說,將進一步圍繞攻克核心關鍵技術持續(xù)發(fā)力,推進中束流和大束流離子注入機產(chǎn)業(yè)化,同時,緊跟先進工藝發(fā)展,開展適用于更先進工藝節(jié)點的離子注入機的研發(fā)工作,并不斷拓展離子注入機在新興領域的應用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關注

    關注

    5388

    文章

    11554

    瀏覽量

    361943
  • 離子
    +關注

    關注

    0

    文章

    101

    瀏覽量

    17110
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    一種離子注入技術:暈環(huán)技術介紹

    本文介紹了一種在MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)特征尺寸縮小至深亞微米級別、短溝道效應顯著時采用的一種離子注入技術:暈環(huán)技術。 ? 離子注入 在半導體制造工藝中指的是離子注入(Ion
    的頭像 發(fā)表于 12-31 11:49 ?143次閱讀
    一種<b class='flag-5'>離子注入</b>技術:暈環(huán)技術介紹

    SiC的離子注入工藝及其注意事項

    離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 11:09 ?351次閱讀

    源漏離子注入工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重摻雜的工藝,降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻,提高器件的速度。同時源漏離子注入也會形成n型和p型阱接觸的有源區(qū),或者n型和p型有源區(qū)電阻,以及n型和p型多晶硅電阻。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 10:04 ?331次閱讀
    源漏<b class='flag-5'>離子注入</b>工藝的制造流程

    萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通半導體:離子注入機基本自主可控!

    科學研究院等離子體物理研究所,元禾璞華投資管理有限公司,以及眾多國內(nèi)集成電路部件企業(yè)共同參與了此次盛會。通過簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,各方將聯(lián)合推動技術創(chuàng)新和產(chǎn)學研合作,促進上游部件企業(yè)一
    的頭像 發(fā)表于 09-13 18:03 ?364次閱讀

    華瑞微電子科技榮獲離子注入機專利

    該專利揭示了一款專用于集成電路生產(chǎn)離子注入機,屬于半導體加工設備技術領域。該設備主要由支撐框架、離子注入機構、照射箱組件和擾流機構組成,同時配備吸塵除塵組件。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 10:06 ?489次閱讀
    華瑞微電子科技榮獲<b class='flag-5'>離子注入機</b>專利

    日本住友重工將推出SiC離子注入機

    住友重工離子技術公司,作為住友重工的子公司,計劃在2025年向市場推出專為碳化硅(SiC)功率半導體設計的離子注入機。SiC制程雖與硅生產(chǎn)有諸多相似之處,但由于其高硬度等獨特性質(zhì),對生產(chǎn)設備提出了特殊要求。
    的頭像 發(fā)表于 05-20 14:31 ?1170次閱讀

    住友重工2025年擬推碳化硅離子注入機

    盡管SiC制造過程中的多數(shù)設備與常規(guī)硅類通用,但因其具備高硬度特性,需要專屬設備支持,包括高級別的高溫離子注入機、強效的碳膜濺射儀以及大規(guī)模的高溫退火爐等。其中,能否擁有高溫離子注入機被視為衡量SiC生產(chǎn)水平的關鍵指標。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 09:47 ?778次閱讀

    離子注入機的簡易原理圖

    本文介紹了離子注入機的相關原理。 離子注入機的原理是什么?
    的頭像 發(fā)表于 04-18 11:31 ?2163次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入機</b>的簡易原理圖

    建設高端半導體裝備,SRII賦能新一代集成電路制造

    來源:思銳智能 思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入(IMP)和原子層沉積(ALD)技術亮相SEMICON China 2024,持續(xù)建設全球一流的高端半導體制造裝備,廣泛賦能集成電路、第三代半導體等諸多
    的頭像 發(fā)表于 04-03 17:01 ?370次閱讀
    建設高端半導體<b class='flag-5'>裝備</b>,SRII賦能新一代<b class='flag-5'>集成電路</b>制造

    凱世通交付首臺面向CIS的大束流離子注入機

    據(jù)了解,到2024年第一季度為止,該公司陸續(xù)向多個特定客戶發(fā)出了多個離子注入機訂單,單季度就完成了八臺離子注入機的客戶端上線工作,呈現(xiàn)出迅猛增長的發(fā)展態(tài)勢,取得了良好開局。
    的頭像 發(fā)表于 03-30 09:34 ?742次閱讀

    建設高端半導體裝備,SRII賦能新一代集成電路制造

    思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入(IMP)和原子層沉積(ALD)技術亮相SEMICON China 2024,持續(xù)建設全球一流的高端半導體制造裝備,廣泛賦能集成電路、第三代半導體等諸多高精尖領域
    發(fā)表于 03-25 10:16 ?323次閱讀
    建設高端半導體<b class='flag-5'>裝備</b>,SRII賦能新一代<b class='flag-5'>集成電路</b>制造

    介紹離子注入在電容極板和濕法腐蝕自停止技術上的應用

    在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關中,離子注入均有應用。
    的頭像 發(fā)表于 02-23 10:47 ?872次閱讀
    介紹<b class='flag-5'>離子注入</b>在電容極板和濕法腐蝕自停止技術上的應用

    什么是離子注入?離子注入的應用介紹

    離子注入是將高能離子注入半導體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度,相較于傳統(tǒng)的擴散工藝更為精確。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:23 ?5131次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>離子注入</b>?<b class='flag-5'>離子注入</b>的應用介紹

    離子注入涉及到的隧道效應為什么需要7°角?

    隧道效應,又稱溝道效應,對晶圓進行離子注入時,當注入離子的方向與晶圓的某個晶向平行時,其運動軌跡將不再是無規(guī)則的碰撞,而是將沿溝道(原子之間的縫隙)運動并且很少受到原子核的碰撞
    的頭像 發(fā)表于 01-08 10:25 ?1545次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入</b>涉及到的隧道效應為什么需要7°角?

    原位摻雜、擴散和離子注入的相關原理及其區(qū)別介紹

    半導體改變電阻率的方式有三種,原位摻雜、擴散和離子注入,這三種方式分別過程如何,有何區(qū)別呢?
    的頭像 發(fā)表于 01-05 18:21 ?5079次閱讀
    原位摻雜、擴散和<b class='flag-5'>離子注入</b>的相關原理及其區(qū)別介紹