0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

凱世通交付首臺(tái)面向CIS的大束流離子注入機(jī)

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-30 09:34 ? 次閱讀

近日,上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司迎來重要里程碑——首次成功交付用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器(CIS)的大型離子注入機(jī)給全新客戶。

據(jù)了解,到2024年第一季度為止,該公司已陸續(xù)向多個(gè)特定客戶發(fā)出了多個(gè)離子注入機(jī)訂單,單季度就完成了八臺(tái)離子注入機(jī)的客戶端上線工作,呈現(xiàn)出迅猛增長的發(fā)展態(tài)勢,取得了良好開局。

作為電子信息行業(yè)的基石,集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)系著國家發(fā)展大局。而離子注入機(jī)、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)及薄膜沉積設(shè)備被譽(yù)為芯片加工的關(guān)鍵設(shè)備。

然而,國內(nèi)在此領(lǐng)域存在國產(chǎn)化程度低的問題,只有不到五成的設(shè)備來自于本土企業(yè)。因此,凱世通以市場需求和前沿科技創(chuàng)新為導(dǎo)向,現(xiàn)已成功推出多種類型的離子注入機(jī),并滿足了頻繁且大規(guī)模的訂單需求。

此舉成功挑戰(zhàn)了極具技術(shù)難度的CIS大束流離子注入機(jī),再次證明其在關(guān)鍵技術(shù)上堅(jiān)守自主研發(fā)與創(chuàng)新的決心。

未來,凱世通將繼續(xù)深入開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品,擴(kuò)展產(chǎn)品線,力求以更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品回饋客戶,為推動(dòng)集成電路行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展獻(xiàn)力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5388

    文章

    11554

    瀏覽量

    361945
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27390

    瀏覽量

    219093
  • CIS
    CIS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    194

    瀏覽量

    29628
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

    本文介紹了一種在MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)特征尺寸縮小至深亞微米級(jí)別、短溝道效應(yīng)顯著時(shí)采用的一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)。 ? 離子注入 在半導(dǎo)體制造工藝中指的是離子注入(Ion
    的頭像 發(fā)表于 12-31 11:49 ?143次閱讀
    一種<b class='flag-5'>離子注入</b>技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

    SiC的離子注入工藝及其注意事項(xiàng)

    離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤1疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 11:09 ?351次閱讀

    源漏離子注入工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝,降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻,提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接觸的有源區(qū),或者n型和p型有源區(qū)電阻,以及n型和p型多晶硅電阻。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 10:04 ?331次閱讀
    源漏<b class='flag-5'>離子注入</b>工藝的制造流程

    萬業(yè)企業(yè)旗下通半導(dǎo)體:離子注入機(jī)基本自主可控!

    零部件本土化新質(zhì)生產(chǎn)力研討會(huì)暨協(xié)同創(chuàng)新戰(zhàn)略合作簽約儀式在上海浦東成功舉辦。萬業(yè)企業(yè)旗下上海通半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱通)攜手國內(nèi)頂尖的集成電路制造企業(yè)、中國科學(xué)院合肥物質(zhì)
    的頭像 發(fā)表于 09-13 18:03 ?364次閱讀

    通收獲重點(diǎn)晶圓廠客戶多臺(tái)復(fù)購訂單

    上海通半導(dǎo)體股份有限公司近日傳來喜訊,公司再次獲得一家重要的12吋主流晶圓廠客戶的青睞,成功拿下低能大流離子注入機(jī)的復(fù)購訂單。自去年一季度起,這位重點(diǎn)客戶已多次向
    的頭像 發(fā)表于 06-06 10:25 ?610次閱讀

    華瑞微電子科技榮獲離子注入機(jī)專利

    該專利揭示了一款專用于集成電路生產(chǎn)線的離子注入機(jī),屬于半導(dǎo)體加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該設(shè)備主要由支撐框架、離子注入機(jī)構(gòu)、照射箱組件和擾流機(jī)構(gòu)組成,同時(shí)配備吸塵除塵組件。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 10:06 ?489次閱讀
    華瑞微電子科技榮獲<b class='flag-5'>離子注入機(jī)</b>專利

    日本住友重工將推出SiC離子注入機(jī)

    住友重工離子技術(shù)公司,作為住友重工的子公司,計(jì)劃在2025年向市場推出專為碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的離子注入機(jī)。SiC制程雖與硅生產(chǎn)線有諸多相似之處,但由于其高硬度等獨(dú)特性質(zhì),對(duì)生產(chǎn)設(shè)備提出了特殊要求。
    的頭像 發(fā)表于 05-20 14:31 ?1170次閱讀

    住友重工2025年擬推碳化硅離子注入機(jī)

    盡管SiC制造過程中的多數(shù)設(shè)備與常規(guī)硅類通用,但因其具備高硬度特性,需要專屬設(shè)備支持,包括高級(jí)別的高溫離子注入機(jī)、強(qiáng)效的碳膜濺射儀以及大規(guī)模的高溫退火爐等。其中,能否擁有高溫離子注入機(jī)被視為衡量SiC生產(chǎn)線水平的關(guān)鍵指標(biāo)。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 09:47 ?778次閱讀

    SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

    碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅器件
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:49 ?1278次閱讀
    SiC與GaN 功率器件中的<b class='flag-5'>離子注入</b>技術(shù)挑戰(zhàn)

    離子注入機(jī)的簡易原理圖

    本文介紹了離子注入機(jī)的相關(guān)原理。 離子注入機(jī)的原理是什么?
    的頭像 發(fā)表于 04-18 11:31 ?2163次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入機(jī)</b>的簡易原理圖

    介紹離子注入在電容極板和濕法腐蝕自停止技術(shù)上的應(yīng)用

    在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關(guān)中,離子注入均有應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 02-23 10:47 ?872次閱讀
    介紹<b class='flag-5'>離子注入</b>在電容極板和濕法腐蝕自停止技術(shù)上的應(yīng)用

    什么是離子注入?離子注入的應(yīng)用介紹

    離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度,相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:23 ?5131次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>離子注入</b>?<b class='flag-5'>離子注入</b>的應(yīng)用介紹

    離子注入中的劑量和濃度之間有何關(guān)系呢?

    對(duì)器件設(shè)計(jì)工程師來講,離子注入的濃度往往是需要關(guān)心的參數(shù),什么樣的濃度對(duì)應(yīng)什么樣的方阻,器件仿真參數(shù)輸入的是濃度,通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關(guān)系。
    的頭像 發(fā)表于 01-26 13:37 ?2993次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入</b>中的劑量和濃度之間有何關(guān)系呢?

    離子注入涉及到的隧道效應(yīng)為什么需要7°角?

    隧道效應(yīng),又稱溝道效應(yīng),對(duì)晶圓進(jìn)行離子注入時(shí),當(dāng)注入離子的方向與晶圓的某個(gè)晶向平行時(shí),其運(yùn)動(dòng)軌跡將不再是無規(guī)則的碰撞,而是將沿溝道(原子之間的縫隙)運(yùn)動(dòng)并且很少受到原子核的碰撞
    的頭像 發(fā)表于 01-08 10:25 ?1545次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入</b>涉及到的隧道效應(yīng)為什么需要7°角?

    原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入的相關(guān)原理及其區(qū)別介紹

    半導(dǎo)體改變電阻率的方式有三種,原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入,這三種方式分別過程如何,有何區(qū)別呢?
    的頭像 發(fā)表于 01-05 18:21 ?5079次閱讀
    原位摻雜、擴(kuò)散和<b class='flag-5'>離子注入</b>的相關(guān)原理及其區(qū)別介紹