等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:31
2626 阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因為它需要形成阱區(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
2023-06-09 11:31:083889 
統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點。一般來說，高溫擴散工藝簡單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫擴散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復(fù)雜且設(shè)備昂貴，但它可獨立控制摻雜元素的濃度和結(jié)深，雖然也會給襯底引入大量的點缺陷和擴展缺陷。
2023-12-22 09:41:21703 
，加工周期短，速度快。 聯(lián)系方式：姚經(jīng)理、馬經(jīng)理，010-51293689；sales@firstchip.cn工藝能力：1、 熱氧化硅2、 硼、磷擴散，推進3、 離子注入（硼、磷）4、 高低溫退火5
2015-01-07 16:15:47
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負熱阻的制冷技術(shù)，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達二百至三百個步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
滲透、與UV紫外線殺菌等重重關(guān)卡，才能放行使用。由于去離子水是最佳的溶劑與清潔劑，其在半導(dǎo)體工業(yè)之使用量極為驚人！ 8、潔凈室所有用得到的氣源，包括吹干晶圓及機臺空壓所需要的，都得使用氮氣 (98
2011-08-28 11:55:49
在制造半導(dǎo)體器件時，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
們的投入中，80%的開支會用于先進產(chǎn)能擴增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進封裝及特殊制程。而先進工藝中所用到的EUV極紫外光刻機，一臺設(shè)備的單價就可以達到1.2億美元，可見半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
是各種半導(dǎo)體晶體管技術(shù)發(fā)展豐收的時期。第一個晶體管用鍺半導(dǎo)體材料。第一個制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀60年代——改進工藝此階段，半導(dǎo)體制造商重點在工藝技術(shù)的改進，致力于提高集成電路性能
2020-09-02 18:02:47
近幾年來，由于半導(dǎo)體芯片在電腦，通信等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體制造業(yè)不僅在全球，在中國也得到了飛速發(fā)展。9月5日工信部部長指出要通過編制十四五規(guī)劃，將培育軟件產(chǎn)業(yè)生態(tài)、推動產(chǎn)業(yè)聚集，加快建設(shè)數(shù)字
2020-09-24 15:17:16
離子注入工藝資料~還不錯哦~
2012-08-01 10:58:59
離子注入是將離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)加速后高速射向材料表面，當(dāng)離子進入表面，將與固體中的原子碰撞，將其擠進內(nèi)部，并在其射程前后和側(cè)面激發(fā)出一個尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞，后者再繼續(xù)下去，大約在10-11s內(nèi)，材料中將建立一個有數(shù)百個間隙原子和空位的區(qū)域。
2019-10-30 09:10:53
梁德豐，錢省三，梁靜（上海理工大學(xué)工業(yè)工程研究所/微電子發(fā)展中心，上海 200093）摘要：由于半導(dǎo)體制造工藝過程的復(fù)雜性，一般很難建立其制造模型，不能對工藝過程狀態(tài)有效地監(jiān)控，所以迫切需要先進
2018-08-29 10:28:14
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
同一硅襯底上并排制造 nMOS 和 pMOS 晶體管。 制造方法概述 制作工藝順序硅制造（詳細內(nèi)容略）晶圓加工（詳細內(nèi)容略）光刻（詳細內(nèi)容略）氧化物生長和去除（詳細內(nèi)容略）擴散和離子注入（詳細內(nèi)容略
2021-07-09 10:26:01
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
我想用單片機開發(fā)板做個熱療儀，開發(fā)板是某寶上買的那種，有兩個猜想：一個用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱，一個用電熱片。但我不會中間要不要接個DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的，查過一些資料，如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點的意見，能盡量提高點效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項監(jiān)控手段
2021-04-01 23:50:33
{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識
2012-02-12 11:15:05
的設(shè)備?？晒?yīng)翻新半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括：光刻機 步進光刻機 涂膠顯影 化學(xué)濕臺 沉積設(shè)備 劃片及磨片設(shè)備 電子束蒸發(fā) CVD沉積設(shè)備 刻蝕設(shè)備 離子注入機 顯微鏡 探針臺 薄膜測厚儀 表面檢測設(shè)備 鍵合機
2009-10-14 11:05:53
的同義詞？那CMOS工藝是屬于什么工藝??？我怎么記得以前好像說半導(dǎo)體工藝，一般都是說什么CMOS，NMOS，TTL等等譬如摻雜、注入、光刻、腐蝕這些又是屬于什么工藝呢？那die bond,wire
2009-09-16 11:51:34
ADC 及DAC 的DRFM 系統(tǒng)得到廣泛應(yīng)用[1～4 ]。本文利用GaAs MESFET 全離子注入非自對準常規(guī)工藝設(shè)計了用于3bit 相位體制DRFM 系統(tǒng)的單片超高速相位體制ADC。測試結(jié)果表明
2019-07-09 06:57:23
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
請問各位大俠，離子注入時有遇到做V-CURVE時，出現(xiàn)倒著的拋物線嗎？急，在線等，謝謝！
2018-08-05 19:29:33
【作者】：秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優(yōu)美;梁毅;【來源】：《濟南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)》2010年02期【摘要】：鑒于利用離子注入技術(shù)摻雜制作光電集成器件時,離子注入半導(dǎo)體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
M5525100－1/UM型大角度離子注入機:M5525100－1/UM 型大角度離子注入機可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區(qū)的大角度暈、袋、柵閾值調(diào)整、阱等注入，可獲得良好
2009-12-19 12:57:02
12 離子注入技術(shù)又是近30年來在國際上蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的一種材料表面改性高新技術(shù)。
2011-05-22 12:13:574275 
本文詳細介紹離子注入技術(shù)的特點及性能，以及離子注入技術(shù)的英文全稱。
2011-05-22 12:13:294861 
詳細介紹離子注入技術(shù)的工作原理和離子注入系統(tǒng)原理圖。
2011-05-22 12:24:1618742 
離子注入的特點,與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來獲得表面合金層的,因而有其特點。
2011-05-22 12:27:084337 離子注入設(shè)備和方法:最簡單的離子注入機（圖2）應(yīng)包括一個產(chǎn)生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 
離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術(shù),其利用離子注入機實現(xiàn)半導(dǎo)體的摻雜,即將特定的雜質(zhì)原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導(dǎo)體晶體內(nèi)改變其導(dǎo)電特性并最終
2011-05-22 12:34:0083 半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體，以改變半導(dǎo)體，尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì)． 注入一般在50-500kev能量下進行 離子注入的優(yōu)點 注入雜質(zhì)不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 離子注入是另一種對半導(dǎo)體進行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現(xiàn)摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:530 離子注入是另一種對半導(dǎo)體進行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現(xiàn)摻雜。 離子束的性質(zhì) 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 離子注入的特點是加工溫度低，易做淺結(jié)，大面積注入雜質(zhì)仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動化。由于采用了離子注入技術(shù)，大大地推動了半導(dǎo)體器件和集成電路工業(yè)的發(fā)展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在調(diào)情 發(fā)表于: 2010-5-28 10:45 來源: 電子發(fā)燒友網(wǎng) 1． 什么是離子注入? 離子注入（Ion Implant）是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導(dǎo)體晶片中，以得到所需要的摻雜濃度和結(jié)深的
2011-05-22 13:00:000 電子發(fā)燒友為大家整理的離子注入技術(shù)專題有離子注入技術(shù)基本知識、離子注入技術(shù)論文及離子注入技術(shù)培訓(xùn)學(xué)習(xí)資料。離子注入技術(shù)就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
概述了國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)動態(tài), 介紹了光刻技術(shù)、CMP 技術(shù)、膜生長技術(shù)、刻蝕技術(shù)、離子注入技術(shù)、清洗技術(shù)及封裝技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)趨勢, 預(yù)測了全球半導(dǎo)體制造設(shè)備未來市
2011-10-31 16:28:5937 半導(dǎo)體材料 系列的制造方法及應(yīng)用技術(shù) 1、離子注入法制備GaN基稀釋磁性半導(dǎo)體材料的方法 2、一種晶體半導(dǎo)體材料系列A2MM3Q6 3、光致發(fā)光的半導(dǎo)體材料 4、在基體或塊體特別是由半導(dǎo)體
2011-11-01 17:34:3954 半導(dǎo)體硅工藝學(xué)是一部半導(dǎo)體材料技術(shù)叢書，重點闡述了半導(dǎo)體硅晶體us恒章、外延、雜質(zhì)擴散和離子注入等工藝技術(shù)
2011-12-15 15:17:38117 半導(dǎo)體制作工藝CH
2017-10-18 10:19:4747 本文詳細介紹了離子注入高效SE電池。
2017-11-06 17:27:083 本文首先介紹了半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料，其次闡述了IC晶圓生產(chǎn)線的7個主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料，最后詳細的介紹了半導(dǎo)體制造工藝，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-23 17:32:3169224 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導(dǎo)體制造工藝教程的詳細資料免費下載主要內(nèi)容包括了：1.1 引言 1.2基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu) 1.3半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史 1.4集成電路制造階段 1.5半導(dǎo)體制造企業(yè) 1.6基本的半導(dǎo)體材料 1.7 半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品 1.8芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境
2018-11-19 08:00:00200 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長資料概述
一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體 Si、Ge…。2. 化合物半導(dǎo)體 GaAs、SiC 、GaN…
2018-11-19 08:00:0040 近日有消息顯示，萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機已搬進杭州灣潔凈室，目前正在根據(jù)集成電路芯片客戶工藝要求，進行離子注入晶圓驗證。
2019-12-31 10:04:085297 。第四章和第五章分別討論了光刻和刻蝕技術(shù)。第六章和第七章介紹半導(dǎo)體摻雜的主要技術(shù)；擴散法和離子注入法。第八章涉及一些相對獨立的工藝步驟，包括各種薄層淀積的方法?！?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)》最后三章集中討論制版和綜合。
2020-03-09 08:00:00229 離子注入機是高壓小型加速器中的一種，是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還能用于太陽能電池等的制造。
2020-10-10 16:55:453314 
介紹工藝之前，我們先聊一下昨天一個朋友提到的日本日新的離子注入設(shè)備。日本日新是全球3大離子注入設(shè)備商之一。 1973年的時候，該公司就開始做離子注入的工藝設(shè)備。 目前的主要業(yè)務(wù)設(shè)備如上表。詳細的可以
2020-11-20 10:03:276458 離子注入作為半導(dǎo)體常用的摻雜手段，具有熱擴散摻雜技術(shù)無法比擬的優(yōu)勢。列表對比 摻雜原子被動打進到基板的晶體內(nèi)部，但是它是被硬塞進去的，不是一個熱平衡下的過程，雜質(zhì)一般也不出在晶格點陣上，且離子軌跡
2020-11-20 10:10:305208 
MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說明。
2021-04-08 09:30:41237 通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783 
與通過傳統(tǒng)熱擴散工藝進行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優(yōu)點。
2022-10-31 09:06:015608 第九步退火，離子注入后也會產(chǎn)生一些晶格缺陷，退火是將離子注入后的半導(dǎo)體放在一定溫度下進行加熱，使得注入的粒子擴散，恢復(fù)晶體結(jié)構(gòu)，修復(fù)缺陷，激活所需要的電學(xué)特性。
2023-04-28 09:32:542021 半導(dǎo)體材料最重要的特性之一是導(dǎo)電率可以通過摻雜物控制。集成電路制造過程中，半導(dǎo)體材料（如硅、錯或1E-V族化合物砷化鎵）不是通過N型摻雜物就是利用P型摻雜物進行摻雜。
2023-05-04 11:12:512175 
離子注入過程提供了比擴散過程更好的摻雜工藝控制（見下表）。例如，摻雜物濃度和結(jié)深在擴散過程中無法獨立控制，因為濃度和結(jié)深都與擴散的溫度和時間有關(guān)。離子注入可以獨立控制摻雜濃度和結(jié)深，摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:331545 
高電流的硅或錯離子注入將嚴重破壞單晶體的晶格結(jié)構(gòu)，并在晶圓表面附近產(chǎn)生非晶態(tài)層。
2023-05-19 09:22:131960 
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04479 
高壓直流電源用于加速離子，大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機內(nèi)。為了通過離子源產(chǎn)生離子，需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾百伏的供電系統(tǒng)，然而一個射頻離子源需要大約
2023-05-26 14:44:171357 
當(dāng)質(zhì)譜儀選擇了所需的離子后，離子將進入后段加速區(qū)域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區(qū)內(nèi)，離子束電流利用可調(diào)整的葉片控制，而離子能量則由后段加速電極的電位控制。
2023-06-04 16:38:261185 
離子注入機是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中，離子注入機就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-06-30 16:41:19412 半導(dǎo)體同時具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會在
2023-07-03 10:21:572170 
離子注入機是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中，離子注入機就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-07-03 15:05:55593 
摻雜物的種類、結(jié)深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機的質(zhì)譜儀決定，摻雜物濃度由離子束電流與注入時間的乘積決定。四點探針是離子注入監(jiān)測中最常使用的測量工具，可以測量
2023-07-07 09:51:172240 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
在晶硅太陽能電池的生產(chǎn)過程中，離子注入是一項非常重要的工藝，它可以大幅度提高光電轉(zhuǎn)換率，實現(xiàn)在應(yīng)用中的精益有效?！该滥芄夥棺鳛橐患揖哂斜姸鄼z測電池和組件性能設(shè)備的光伏企業(yè)，擁有的美能傅里葉紅外光
2023-08-29 08:35:56376 
半導(dǎo)體的這些參數(shù)的最佳值。在廣泛使用的絕緣體上硅晶片的制造過程中，對硅的起泡和分裂過程進行了詳細的研究。因此，還對硅和化合物半導(dǎo)體的起泡過程進行了比較。這項比較研究在技術(shù)上是相關(guān)的，因為離子注入誘導(dǎo)的層分裂與直接晶片鍵合相結(jié)合，
2023-09-04 17:09:31317 
想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電，必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì)，而離子注入是一種常用的方法，下面來具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 
離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對離子的注入過程進行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測材料性能的變化。以下將詳細介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19256 如今，半導(dǎo)體制造工藝快速發(fā)展，每一代新技術(shù)都在減小集成電路(IC)上各層特征的間距和尺寸。晶圓上高密度的電路需要更高的精度以及高度脆弱的先進制造工藝。
2023-12-25 14:50:47174 半導(dǎo)體改變電阻率的方式有三種，原位摻雜、擴散和離子注入，這三種方式分別過程如何，有何區(qū)別呢？
2024-01-05 18:21:111111 
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